Forschung hebt die dielektrischen Eigenschaften von amorphem Bornitrid für Elektronik hervor.
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Hochmoderne Wissenschaft einfach erklärt
Forschung hebt die dielektrischen Eigenschaften von amorphem Bornitrid für Elektronik hervor.
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Neues Modell beleuchtet die einzigartigen Eigenschaften von verdrehten Übergangsmetall-Dichalcogeniden.
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Diese Studie untersucht, wie das Dotieren mit Übergangsmetallen die magnetischen und elektronischen Eigenschaften von TiS verändert.
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Die einzigartigen Eigenschaften von Quantenpunkten erkunden und ihr Potenzial in der Kommunikation und Technologie.
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Forschung zeigt, wie Spannung die Eigenschaften von TaNiS-Halbleitern verändert.
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Entdeck, wie sich gleitende Schichten von Atomen auf die elektrischen Eigenschaften auswirken.
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Forschung zeigt, dass scandiumlegiertes Aluminium-Nitrid Potenzial in elektro-optischen Anwendungen hat.
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Eine Übersicht über die Probleme beim Übertragen von Qubits in Halbleiter-Quantenpunkten.
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Entdecke die Rolle und die Zukunft von Nanodrahtlasern in der Technologie.
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Die Erforschung der Exziton-Dissociation für bessere Solarzellen und LEDs.
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Forschung zeigt neues Potenzial der hochharmonischen Erzeugung in Anwendungen der Quanten-technologie.
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GeS zeigt vielversprechende Möglichkeiten für zukünftige elektronische und optoelektronische Technologien aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften.
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CdSe-Nanoplättchen bieten spannende optische Eigenschaften für verschiedene Anwendungen in der Technologie.
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SubLock verbessert die IC-Sicherheit gegen Angriffe und hält gleichzeitig die Kosten niedrig.
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Studie zeigt, wie lokale Dichte die Majorana-Zustände in Halbleiter-Supraleiter-Geräten beeinflusst.
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Ein Blick darauf, wie Polarone die Eigenschaften und Anwendungen von Lithiumniobat beeinflussen.
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Die Untersuchung von Exzitonen zeigt neue Chancen zur Verbesserung von organischen Halbleitern.
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Untersuchen, wie Licht die mechanischen Eigenschaften von Zinksulfid verändert.
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Forschung kombiniert granuliertes Aluminium und Germanium-Quantenpunkte für die Entwicklung fortschrittlicher Quantenanwendungen.
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Studie zeigt, wie die Schichtdicke die Selen-Fehlstellen in zweidimensionalen Halbleitern beeinflusst.
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Der Trikarenos-Chip bietet zuverlässige Leistung in der Automobil- und Luftfahrtbranche unter hoher Strahlung.
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Chirales Tellur hat krasses elektrisches Verhalten, das von seiner Struktur und Magnetfeldern beeinflusst wird.
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Forschung zeigt einzigartige elektronische Zustände in AB-gestapelten MoTe/WSe Materialien.
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Studie enthüllt Einblicke in die Spin-Texturen von CrSBr für fortschrittliche Elektronik.
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Studie zeigt Erkenntnisse über die Bewegung von Wärme und Elektrizität in 2D-Materialien.
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Studie zeigt, wie Metallzusätze Verbindungen in elektronischen Materialien verbessern.
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Innovative Backgate-Integration verbessert germanium-basierte Quanten-Geräte.
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Neue neuronale Netzwerke verbessern die Modellierung und Vorhersagegenauigkeit des Verhaltens von Halbleitern.
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Neue Steuerungsmethode verbessert die Positionierungsgenauigkeit in lithografischen Systemen für Halbleiter.
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Verbesserung der ToF-SIMS-Methoden, um Halbleiterstrukturen genau zu analysieren und elektronische Geräte zu verbessern.
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Ein neuer Ansatz verbessert die Genauigkeit bei der Vorhersage von Halbleiter-Spannungen und verringert gleichzeitig den Datenbedarf.
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Diese Studie beschäftigt sich mit den einzigartigen elektronischen Eigenschaften von Ta NiSe bei tiefen Temperaturen.
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Hybride Metall-Halbleitergeräte zeigen komplexe Elektronenverhalten unter verschiedenen Bedingungen.
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Die Erforschung der Rolle von organischen Polaritonsystemen in der optischen Computertechnologie.
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Forschung zu Lochspin-Qubits zeigt vielversprechende Ansätze für Quantencomputing-Technologie.
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Untersuchung der unerwarteten Signale in Niedrigenergie-Halbleiterdetektoren.
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Forschung zeigt, dass Carbidschichten den Wärmetransfer in Elektronik verbessern können.
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SPICED bietet eine fortschrittliche Erkennung von analogen Trojanern in integrierten Schaltkreisen.
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Die Rolle von magnetischen Domänenwänden in fortschrittlichen Halbleiteranwendungen erkunden.
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Untersuchung der Stabilität und Eigenschaften von Wigner-Kristallen und Mott-Isolatoren in TMDs.
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