Einfluss der Speicherorientierung auf SRAM-basierte PUFs
Eine Studie zeigt, wie die Orientierung von Chips die Leistung von SRAM-basierten PUFs beeinflusst.
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Inhaltsverzeichnis
SRAM-basierte Physically Unclonable Functions (PUFs) sind spezielle Hardwarekomponenten, die für Sicherheit genutzt werden. Sie nutzen kleine Unterschiede in der Herstellung von Chips, um einzigartige Identitäten für jeden Chip zu erzeugen. Diese Einzigartigkeit ist in vielen Bereichen hilfreich, wie zum Beispiel bei der Generierung geheimer Schlüssel für die Verschlüsselung und der Verifizierung von Geräten. Obwohl Chips das gleiche Design haben können, verhalten sich ihre einzelnen Teile aufgrund kleiner Variationen im Herstellungsprozess leicht unterschiedlich. Das bedeutet, dass jeder Chip durch seine einzigartigen elektrischen Eigenschaften erkannt werden kann.
Wie SRAM-basierte PUFs Funktionieren
Der Kern einer SRAM-Speicherzelle wird als Bitcell bezeichnet, die aus zwei Invertern besteht, die ein stabiles Speicherelement erzeugen. Wenn ein Chip hergestellt wird, können diese Bitcells aufgrund winziger Variationen während der Herstellung in unterschiedlichen Zuständen starten. Die Stabilität dieser Zustände hängt von den Spannungsunterschieden zwischen verbundenen Geräten ab. Selbst wenn also alle Chips aus identischen Formen kommen, können sie unterschiedliche Muster aus Einsen und Nullen erzeugen.
SRAM-basierte PUFs sind besonders beliebt, weil sie einfach und kostengünstig sind. Sie können mit Standard-SRAM-Technologie hergestellt werden, auf die viele Designer Zugriff haben, was bedeutet, dass kein massgeschneidertes Design speziell für PUFs erforderlich ist.
Die Rolle der Orientierung in SRAM-basierten PUFs
In dieser Forschung haben wir untersucht, wie verschiedene Entscheidungen von Designern das Verhalten von SRAM-basierten PUFs beeinflussen können. Wir haben einen Chip mit einem 65nm-Prozess erstellt, der mehrere SRAM-Chips mit unterschiedlichen Eigenschaften beinhaltete. Ein wichtiger Aspekt, den wir untersucht haben, war, wie die Orientierung dieser Speicher ihre Leistung beeinflusst.
Jeder Speicher kann in unterschiedlichen Winkeln platziert oder gedreht werden, was beeinflussen kann, wie sie funktionieren. Unser Ziel war es, zu analysieren und zu verstehen, wie diese Orientierung die Muster beeinflusst, die in den SRAM-basierten PUFs entstehen.
Chip-Design und Speicherarchitektur
Die Architektur des von uns entwickelten SRAM-Speichers umfasst verschiedene Konfigurationen. Wir haben ein Layout erstellt, das verschiedene Anordnungen von Speichereinheiten ermöglicht und Aspekte wie Datenbreite und Standorttiefe berücksichtigt. Wir verwendeten zwei Arten von Speicher: einen mit höherer Dichte, aber langsamerer Geschwindigkeit und einen anderen, der schneller ist.
Die Anordnung des Speichers wird von einem Speicher-Compiler verwaltet, der automatisch das Layout basierend auf den Benutzerspezifikationen entscheidet. Die Funktionalität jedes SRAMs wird nicht durch seine Position im Chip-Layout beeinflusst, aber eine Änderung der Orientierung kann das Routing verbessern, was die Leistung unterstützt.
Analyse der Antwortdaten
Bei SRAM-basierten PUFs bildet die kollektive Ausgabe die Antwortdaten. Wir haben diese Ausgabe durch verschiedene Metriken bewertet. Ein wichtiger Massstab war die Zuverlässigkeit des PUF, die untersucht, wie konsistent es unter verschiedenen Bedingungen die gleiche Ausgabe erzeugt. Idealerweise sollte ein PUF die gleiche Ausgabe geben, wenn die gleiche Frage gestellt wird, unabhängig von Temperatur- oder Spannungsänderungen.
Wir haben festgestellt, dass SRAM-basierte PUFs ihre einzigartigen Fingerabdrücke trotz Umweltveränderungen beibehalten. Die Eigenschaften der Ausgabedaten können durch die gewählten Konfigurationen beeinflusst werden.
Experimentelle Methodik
Um die Leistung unserer SRAM-basierten PUFs zu testen, haben wir eine Anzahl von Chips verpackt und Experimente durchgeführt, um Daten zu sammeln. Über eine Reihe von Tests haben wir jeden Chip mehrfach ein- und ausgeschaltet. Während dieses Prozesses haben wir eine grosse Menge an Daten gesammelt, die es uns ermöglichten, die Stabilität der Antworten, die von den PUFs erzeugt wurden, zu analysieren.
Wir verwendeten eine einfache Schnittstelle, um die Chips zu steuern, die es uns ermöglichte, spezifische Speicheradressen auszuwählen und die entsprechenden Ausgaben zu erhalten.
Übersicht der Ergebnisse
Bei der Untersuchung der gesammelten Daten haben wir uns drei Hauptparameter angesehen: Zuverlässigkeit, das Muster von Einsen und Nullen in der Ausgabe sowie den Grad an Zufälligkeit in den Antworten. Ein wichtiges Ergebnis war, dass die Zuverlässigkeit der SRAM-basierten PUFs hoch war, mit Werten, die auf eine konsistente Leistung hinwiesen.
Das Muster der Ausgaben zeigte, dass selbst Chips, die im gleichen Prozess hergestellt wurden, unterschiedliche Bias-Muster haben konnten, was bedeutet, dass sie an verschiedenen Punkten entweder Einsen oder Nullen bevorzugen. Dieses Bias-Muster ist entscheidend für das Verständnis, wie die PUFs funktionieren.
Einfluss von Designentscheidungen
Durch unsere Tests haben wir festgestellt, dass die Grösse der Speicher und wie sie konfiguriert wurden, einen Einfluss auf die Bias-Muster hatten. Zum Beispiel sahen wir Variationen in Bezug auf die Breite der verarbeiteten Daten und die Anzahl der zusammengefassten Speichereinheiten. Allerdings änderte sich die allgemeine Richtung des Bias nicht mit diesen Faktoren.
Interessanterweise beobachteten wir, dass selbst kleine Anpassungen im Design, wie die Verwendung schnellerer oder langsamerer Speicher, die Bias-Muster nicht signifikant beeinflussten. Das deutet darauf hin, dass, obwohl das physische Design von SRAMs wichtig ist, einige Eigenschaften von diesen Änderungen unbeeinflusst bleiben.
Orientierungseffekte auf Bias-Muster
Eine der bedeutendsten Erkenntnisse war, dass die Orientierung des Speichers einen erheblichen Einfluss auf die Richtung des Bias-Musters hat. Wenn wir die SRAMs zum Beispiel in bestimmten Winkeln drehten, beobachteten wir, dass die Bias-Richtung von positiv auf negativ wechseln konnte. Das deutet darauf hin, dass das physische Layout und die Anordnung der Speichereinheiten eine entscheidende Rolle dabei spielen, wie sie sich verhalten.
Durch den Vergleich der Leistung von SRAMs bei unterschiedlichen Orientierungen haben wir festgestellt, dass die Positionierung der Bitcells die Ergebnisse beeinflusst. Zum Beispiel erzeugt die Anordnung von Transistoren in diesen Bitcells Variationen, die zu beobachtbaren Mustern in den Ausgabedaten führen.
Fazit
Die Forschung zeigt, wie Orientierung und Designentscheidungen das Verhalten von SRAM-basierten PUFs beeinflussen. Diese Studie hebt die Bedeutung hervor, zu verstehen, wie diese Elemente interagieren, um zuverlässige Hardware-Sicherheitsmerkmale zu schaffen. Die Ergebnisse bestätigen, dass während physische Unterschiede in SRAMs zu einzigartigen Identitäten führen können, eine sorgfältige Implementierung entscheidend für die optimale Leistung ist.
Indem wir aufdecken, wie die Orientierung die Ausgabemuster beeinflusst, ebnen wir den Weg für die Entwicklung besserer Fehlermanagementmethoden in zukünftigen PUF-Designs. Insgesamt liefert diese Forschung wertvolle Einblicke in das Feld der Hardware-Sicherheit und unterstreicht die Bedeutung eines durchdachten Designs bei der Schaffung effektiver PUF-Lösungen.
Titel: Impact of Orientation on the Bias of SRAM-Based PUFs
Zusammenfassung: This paper investigates the impact of memory orientation on the bias pattern of SRAM-based PUFs. We designed and fabricated a 65nm CMOS chip that contains eleven SRAM macros that exercise different memory- and chip-level parameters. At the memory level, several parameters passed to the SRAM compiler are considered, including the number of addresses, the number of words, the aspect ratio, and the chosen bitcell. Chip-level decisions are considered during the floorplan, including the location and rotation of each SRAM macro in the testchip. In this study, we conduct a comprehensive analysis of different memory orientations and their effect on the biasing direction. Physical measurements performed on 50 fabricated chips revealed that specific memory orientations, namely R270 and MY90, exhibit a distinct negative biasing direction compared to other orientations. Importantly, this biasing direction remains consistent regardless of memory type, column mux ratio, memory size, or the utilization of SRAMs with different bitcells. Overall, this study highlights the significance of careful physical implementation and memory orientation selection in designing SRAM-based PUFs. Our findings can guide designers in the selection of SRAM memories with properties that make for better PUFs that potentially require less error correction effort to compensate for instability.
Autoren: Zain Ul Abideen, Rui Wang, Tiago Diadami Perez, Geert-Jan Schrijen, Samuel Pagliarini
Letzte Aktualisierung: 2023-08-13 00:00:00
Sprache: English
Quell-URL: https://arxiv.org/abs/2308.06730
Quell-PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.06730
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Änderungen: Diese Zusammenfassung wurde mit Unterstützung von AI erstellt und kann Ungenauigkeiten enthalten. Genaue Informationen entnehmen Sie bitte den hier verlinkten Originaldokumenten.
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