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# Physik# Materialwissenschaft

Untersuchung des orbitalen Drehimpulses in der Elektronik

Forsche gerade, wie der Einfluss des orbitalen Drehimpulses auf fortgeschrittene elektronische Geräte ist.

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Inhaltsverzeichnis

In den letzten Jahren hat sich die Forschung zu den elektronischen Eigenschaften von Materialien auf ein Konzept konzentriert, das als Orbitaler Drehimpuls (OAM) bekannt ist. Dieses Interesse kommt daher, dass OAM entscheidend für die Schaffung fortschrittlicher elektronischer Geräte sein kann, besonders in einem Bereich namens Orbitronik. Orbitronik beschäftigt sich mit der Manipulation von OAM, das in Anwendungen wie Logik und Datenspeicherung verwendet werden kann.

Die Fähigkeit, OAM zu kontrollieren, hat zu Erkenntnissen wie dem orbitalen Hall-Effekt (OHE) geführt. Dieses Phänomen betrifft den Fluss von elektronischem OAM in eine Richtung, die senkrecht zu einem angelegten elektrischen Feld verläuft, ähnlich dem, was in der Spintronik mit dem Spin-Hall-Effekt passiert. Im Gegensatz zu früheren Annahmen haben aktuelle Studien gezeigt, dass OAM auch ohne Spin-Bahn-Wechselwirkung signifikant sein kann, was OHE in festen Materialien beobachtbar macht.

Bedeutung der topologischen Phasenübergänge

Ein wichtiger Aspekt in der Studie von OHE ist das Konzept der topologischen Phasenübergänge (TPTs). Diese Übergänge treten auf, wenn es einen Austausch von Eigenschaften zwischen verschiedenen elektronischen Bändern in einem Material gibt. Bandinversion ist ein Schlüsselfeature von TPTs, bei der Elektronenzustände im Leitungsband ins Valenzband übergehen und umgekehrt. Dieser Prozess führt zur Entstehung spezieller elektronischer Zustände an der Oberfläche des Materials.

Topologische Phasen sind interessant, weil sie zu einzigartigen elektronischen Zuständen und Verhaltensweisen führen können. Mit diesem Gedanken versuchen Forscher zu verstehen, wie TPTs genutzt werden können, um OHE zu kontrollieren. Konkret untersuchen sie, wie die Verteilung von OAM unter Elektronen durch die Bandinversion während TPTs beeinflusst wird.

Untersuchung von 2D-Ferromagneten

Neueste Studien konzentrieren sich auf zweidimensionale (2D) ferromagnetische Materialien und erforschen, wie OAM kontrolliert werden kann. Diese Materialien haben magnetische Eigenschaften in zwei Dimensionen und bieten eine vielseitige Plattform zur Untersuchung, wie TPTs konstruiert werden können, um OHE zu beeinflussen. Forscher haben Modelle entwickelt, die zeigen, wie Veränderungen in OAM aufgrund von Bandinversion das Verhalten von OHE erheblich beeinflussen können.

Zum Beispiel wurde ein Tight-Binding-Modell entwickelt, um zu veranschaulichen, wie TPTs zwischen verschiedenen Phasen in 2D-Ferromagneten auftreten können. Das Modell zeigt, dass durch die Anwendung bestimmter Bedingungen Bandinversion induziert werden kann, die dann OHE beeinflusst.

Materialkandidaten für OHE

Unter den Materialien, die für ihr Potenzial identifiziert wurden, die gewünschten Effekte zu zeigen, sind Janus RuBrCl und mehrere Schichten von MnBiTe. Diese Materialien haben gezeigt, dass sie die Konstruktion von OHE durch TPTs erleichtern können. Das Material Janus RuBrCl hat eine einzigartige Kristallstruktur und zeigt eine signifikante Spinpolarisation, die die Manipulation von OAM ermöglicht.

In Tests, die an diesen Materialien durchgeführt wurden, identifizierten Forscher spezifische elektronische Zustände und deren Beiträge, die ihre Beobachtungen von OHE unterstützten. Die Ergebnisse waren vielversprechend und deuteten darauf hin, dass mit den richtigen Bedingungen und Manipulationen diese Materialien in neuen elektronischen Geräten eingesetzt werden könnten.

Mechanismen des orbitalen Hall-Effekts

Der OHE entsteht aus einer Kombination der elektronischen Struktur und den inhärenten Eigenschaften der Materialien. Wenn ein externes elektrisches Feld angelegt wird, kann OAM in eine Transversalrichtung fliessen, was zur Entstehung von OHE führt. Dieser Effekt wird von mehreren Faktoren beeinflusst, einschliesslich der spezifischen elektronischen Zustände und der Symmetrie der Materialstruktur.

In 2D-Ferromagneten liegt der Fokus oft auf der senkrechten Komponente von OAM. Wenn Bandinversion auftritt, können die Wechselwirkungen zwischen verschiedenen elektronischen Zuständen OAM hervorrufen, was zu OHE führt. Der Prozess erfordert eine sorgfältige Konstruktion der elektronischen Zustände des Materials, um den OAM-Fluss, der durch externe Reize entsteht, zu kontrollieren.

Herausforderungen und zukünftige Richtungen

Trotz der Fortschritte in diesem Bereich bleibt die effektive Kontrolle von OHE durch TPTs eine Herausforderung. Forscher müssen verschiedene Hürden überwinden, wie zum Beispiel sicherzustellen, dass die in Modellen beobachteten Effekte gut in reale Materialien und Anwendungen übertragbar sind.

Die kontinuierliche Untersuchung von 2D-Ferromagneten und ähnlichen Materialien wird voraussichtlich weitere Einblicke in die praktischen Anwendungen von OHE liefern. Es laufen Anstrengungen, die Methoden zur Induktion von TPTs zu verfeinern und die damit verbundenen elektronischen Effekte zu verbessern.

Fazit

Die Erforschung des orbitalen Drehimpulses und seiner Rolle bei der Entwicklung fortschrittlicher elektronischer Geräte ist ein spannendes Forschungsfeld. Während Wissenschaftler weiterhin das Potenzial von Materialien wie Janus RuBrCl und MnBiTe aufdecken, bietet die Zukunft vielversprechende Möglichkeiten für innovative Anwendungen im Bereich der Elektronik, die auf den Prinzipien der Orbitronik basieren.

Die Fähigkeit, OAM zu kontrollieren und durch topologische Phasenübergänge zu manipulieren, bietet einen Weg zur Schaffung von Geräten, die diese einzigartigen elektronischen Eigenschaften nutzen. Mit laufenden Studien und der Verfeinerung experimenteller Techniken könnten wir bald signifikante Fortschritte in diesem Bereich erleben.

Originalquelle

Titel: Topology-engineered orbital Hall effect in two-dimensional ferromagnets

Zusammenfassung: Recent advances in manipulation of orbital angular momentum (OAM) within the paradigm of orbitronics present a promising avenue for the design of future electronic devices. In this context, the recently observed orbital Hall effect (OHE) occupies a special place. Here, focusing on both the second-order topological and quantum anomalous Hall insulators in two-dimensional ferromagnets, we demonstrate that topological phase transitions present an efficient and straightforward way to engineer the OHE, where the OAM distribution can be controlled by the nature of the band inversion. Using first-principles calculations, we identify Janus RuBrCl and three septuple layers of MnBi$_2$Te$_4$ as experimentally feasible examples of the proposed mechanism of OHE engineering by topology. With our work we open up new possibilities for innovative applications in topological spintronics and orbitronics.

Autoren: Zhiqi Chen, Runhan Li, Yingxi Bai, Ning Mao, Mahmoud Zeer, Dongwook Go, Ying Dai, Baibiao Huang, Yuriy Mokrousov, Chengwang Niu

Letzte Aktualisierung: 2024-04-11 00:00:00

Sprache: English

Quell-URL: https://arxiv.org/abs/2404.07820

Quell-PDF: https://arxiv.org/pdf/2404.07820

Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Änderungen: Diese Zusammenfassung wurde mit Unterstützung von AI erstellt und kann Ungenauigkeiten enthalten. Genaue Informationen entnehmen Sie bitte den hier verlinkten Originaldokumenten.

Vielen Dank an arxiv für die Nutzung seiner Open-Access-Interoperabilität.

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