Avanzamenti nei materiali a cambiamento di fase per lo stoccaggio della memoria
La ricerca su Fe GeTe mostra potenziale per dispositivi di memoria non volatile ed efficienti.
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Indice
Passare tra due stati diversi in un materiale può essere davvero utile per immagazzinare informazioni. Questo concetto è fondamentale in tecnologie come lo stoccaggio di memoria. Alcuni materiali possono passare tra stati solidi in modo da mantenere le loro informazioni anche quando l'alimentazione è spenta. Un esempio specifico di questo si trova nei materiali a cambiamento di fase che possono essere attivati tra uno stato cristallino e uno amorfo, con proprietà elettriche molto diverse.
Questo studio si concentra su un materiale specifico, chiamato Fe GeTe, che ha proprietà uniche che gli permettono di passare tra due strutture cristalline strettamente correlate. Queste strutture hanno caratteristiche elettroniche diverse. Il processo di commutazione è controllato cambiando la temperatura, dimostrando la possibilità di creare dispositivi di memoria avanzati che sono sia efficienti che affidabili.
Comprendere il Materiale
Il Fe GeTe appartiene a un gruppo di materiali noti per le loro proprietà bidimensionali, il che significa che hanno spessori molto ridotti. Questi materiali possono essere regolati in vari modi, come attraverso campi elettrici o esposizione alla luce. Questa flessibilità è preziosa perché consente lo sviluppo di dispositivi con funzioni innovative.
Una delle caratteristiche chiave del Fe GeTe è la sua proprietà ferromagnetica, il che significa che può essere magnetizzato. Questo gli consente di svolgere un ruolo nel campo della spintronica, che utilizza lo spin degli elettroni per l'elaborazione delle informazioni. La commutazione che osserviamo in Fe GeTe è il risultato di una gestione attenta dell'ordinamento degli atomi di ferro (Fe) nella sua struttura.
Il Processo di Commutazione
La commutazione tra i due stati nel Fe GeTe si ottiene manipolando come sono disposti gli atomi di ferro. Riscaldando il materiale a una temperatura elevata e poi raffreddandolo rapidamente o lentamente, possiamo controllare l'ordinamento degli atomi di ferro. Quando si raffredda rapidamente, otteniamo un ordinamento, ma quando si raffredda lentamente, ne otteniamo un altro.
Questo processo crea due fasi distinte all'interno del materiale. La prima fase mantiene un ordinamento che consente una simmetria di inversione globale, il che significa che riflette perfettamente la sua struttura quando viene ribaltata. La seconda fase rompe questa simmetria e ha un diverso ordinamento degli atomi di ferro.
Tecniche Utilizzate
Sono state impiegate diverse tecniche per osservare e analizzare le proprietà di queste due fasi. Un metodo si chiama spettroscopia fotoemissiva risolta in angolo (ARPES), che ci aiuta a capire la Struttura Elettronica di un materiale sparandogli luce e analizzando come gli elettroni fuoriescono. Questo ci consente di vedere le differenze nel comportamento elettronico tra le due fasi.
Un'altra tecnica è la generazione di armoniche di seconda ordine (SHG), che aiuta a comprendere le proprietà di simmetria del materiale. Guardando la luce emessa in diverse condizioni, possiamo vedere come l'ordinamento degli atomi influisce sulle proprietà complessive del materiale.
Strutture Elettroniche
Le strutture elettroniche delle due fasi sono abbastanza diverse. Nella fase con simmetria di inversione preservata, osserviamo caratteristiche speciali chiamate linee nodali topologiche. Queste linee sono collegate a proprietà specifiche degli stati elettronici del materiale. Si generano perché la struttura cristallina mantiene certe simmetrie che proteggono il comportamento elettronico.
Tuttavia, quando la simmetria di inversione è rotta, le caratteristiche cambiano in modo significativo. La nuova fase mostra bande piatte nella sua struttura elettronica, indicando un diverso tipo di stato elettronico. Questo cambiamento può avere implicazioni critiche su come il materiale si comporta nelle applicazioni elettroniche.
Importanza della Ricerca
I risultati rivelano una ricca varietà di comportamenti nei materiali a causa dell'ordinamento ordinato degli atomi di ferro. Comprendere questi comportamenti apre la porta a nuovi tipi di dispositivi di memoria. Il fatto che la commutazione possa avvenire in modo non volatile-significa che mantiene informazioni senza alimentazione-rende questi materiali particolarmente attraenti per le applicazioni future.
Inoltre, lo studio evidenzia l'importanza dell'ordinamento degli atomi di ferro nel modellare le proprietà elettroniche. Questa intuizione potrebbe portare allo sviluppo di nuovi materiali che sfruttano meccanismi simili per varie applicazioni in elettronica e tecnologie di archiviazione.
Direzioni Future
Ci sono molte opportunità per ulteriori esplorazioni in quest'area. Studiare le proprietà magnetiche delle due fasi potrebbe rivelare ulteriori intuizioni sul loro comportamento. La relazione tra le strutture elettroniche e le caratteristiche magnetiche è un'area di indagine entusiasmante.
Capire come si formano e sviluppano le regioni ordinate durante il processo di raffreddamento potrebbe anche fornire informazioni preziose. Le distinzioni tra le due fasi offrono una nuova prospettiva su come i materiali possano essere modellati per funzioni specifiche.
Conclusione
La ricerca presenta una direzione promettente per la scienza dei materiali introducendo un modo per controllare le strutture elettroniche utilizzando processi termici. Il caso specifico di Fe GeTe illustra le affascinanti possibilità all'interno dei materiali bidimensionali, in particolare in come possono passare tra stati diversi. Mentre la ricerca di migliori dispositivi di memoria ed elettronici continua, le intuizioni ottenute da questo studio potrebbero influenzare notevolmente la tecnologia futura. Con questa comprensione, possiamo guardare avanti allo sviluppo di soluzioni innovative nel mondo della scienza dei materiali e dell'elettronica.
Titolo: Reversible Non-Volatile Electronic Switching in a Near Room Temperature van der Waals Ferromagnet
Estratto: The ability to reversibly toggle between two distinct states in a non-volatile method is important for information storage applications. Such devices have been realized for phase-change materials, which utilizes local heating methods to toggle between a crystalline and an amorphous state with distinct electrical properties. To expand such kind of switching between two topologically distinct phases requires non-volatile switching between two crystalline phases with distinct symmetries. Here we report the observation of reversible and non-volatile switching between two stable and closely-related crystal structures with remarkably distinct electronic structures in the near room temperature van der Waals ferromagnet Fe$_{5-\delta}$GeTe$_2$. From a combination of characterization techniques we show that the switching is enabled by the ordering and disordering of an Fe site vacancy that results in distinct crystalline symmetries of the two phases that can be controlled by a thermal annealing and quenching method. Furthermore, from symmetry analysis as well as first principle calculations, we provide understanding of the key distinction in the observed electronic structures of the two phases: topological nodal lines compatible with the preserved global inversion symmetry in the site-disordered phase, and flat bands resulting from quantum destructive interference on a bipartite crystaline lattice formed by the presence of the site order as well as the lifting of the topological degeneracy due to the broken inversion symmetry in the site-ordered phase. Our work not only reveals a rich variety of quantum phases emergent in the metallic van der Waals ferromagnets due to the presence of site ordering, but also demonstrates the potential of these highly tunable two-dimensional magnets for memory and spintronics applications.
Autori: Han Wu, Lei Chen, Paul Malinowski, Jianwei Huang, Qinwen Deng, Kirsty Scott, Bo Gyu Jang, Jacob P. C. Ruff, Yu He, Xiang Chen, Chaowei Hu, Ziqin Yue, Ji Seop Oh, Xiaokun Teng, Yucheng Guo, Mason Klemm, Chuqiao Shi, Yue Shi, Chandan Setty, Tyler Werner, Makoto Hashimoto, Donghui Lu, T. Yilmaz, Elio Vescovo, Sung-Kwan Mo, Alexei Fedorov, Jonathan Denlinger, Yaofeng Xie, Bin Gao, Junichiro Kono, Pengcheng Dai, Yimo Han, Xiaodong Xu, Robert J. Birgeneau, Jian-Xin Zhu, Eduardo H. da Silva Neto, Liang Wu, Jiun-Haw Chu, Qimiao Si, Ming Yi
Ultimo aggiornamento: 2023-07-06 00:00:00
Lingua: English
URL di origine: https://arxiv.org/abs/2307.03154
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2307.03154
Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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