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# Physik# Materialwissenschaft

Einfluss von atomarer Unordnung auf AMR in FeCo-Legierungen

In dieser Studie wird untersucht, wie atomare Unordnung die anisotropen Magnetoresistenz in FeCo-Legierungen beeinflusst.

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Atomare Unordnung inAtomare Unordnung inFeCo-LegierungenMagnetoresistanz und Leitfähigkeit.Untersuchung der Effekte auf anisotrope
Inhaltsverzeichnis

Dieser Artikel behandelt, wie Atomare Unordnung die Anisotrope Magnetoresistenz (AMR) in FeCo-Legierungen beeinflusst. Anisotrope Magnetoresistenz ist ein Phänomen, bei dem der elektrische Widerstand eines Materials je nach Richtung seiner Magnetisierung variiert. Dieser Effekt hat Anwendungen in der Datenspeicherung und Sensoren, aber die Mechanismen dahinter waren schwer vollständig zu verstehen.

In aktuellen Studien haben Wissenschaftler eine spezielle Berechnungsmethode verwendet, um das Verhalten von FeCo-Legierungen unter Bedingungen atomarer Unordnung zu untersuchen. Atomare Unordnung tritt auf, wenn Atome in einer Verbindung falsche Positionen einnehmen, was zu einem Durcheinander zwischen Eisen (Fe) und Kobalt (Co) führt. Zu verstehen, wie diese Unordnung die Eigenschaften des Materials beeinflusst, ist entscheidend, um seine Leistung in der Praxis zu verbessern.

Die Forschung zeigte, dass, wenn Fe- und Co-Atome vertauscht werden, die Gesamtleitfähigkeit der Legierung abnimmt und die spektrale Funktion breiter wird. Das bedeutet, dass das Material weniger effizient bei der elektrischen Leitfähigkeit ist, was die Leistung beeinträchtigen kann. Allerdings sind die Widerstandsänderungen, die auftreten, wenn die Magnetisierungsrichtung verändert wird, relativ stabil, was darauf hinweist, dass die intrinsischen Eigenschaften der AMR weniger von atomarer Unordnung betroffen sind.

Ein interessantes Ergebnis war, dass sich bei einem Prozess namens Anlassen, bei dem die Legierung erhitzt wird, um die Unordnung zu reduzieren, die anisotrope Magnetoresistenz verbessert. Dies ergibt sich aus einer allgemeinen Reduktion des Gesamtwiderstands, da der Prozess hilft, etwaige atomare Positionsprobleme zu korrigieren. Die Studie zeigte auch, dass mit zunehmender atomarer Unordnung bestimmte Aspekte der AMR schwächer werden, da die Streuung von Elektronen verstärkt wird.

Um etwas Kontext zu geben: Das Konzept der anisotropen Magnetoresistenz wurde vor über einem Jahrhundert entdeckt. Seine Anwendungen sind im Laufe der Jahre gewachsen, insbesondere in fortschrittlichen Technologien wie der Datenspeicherung. Trotz seiner Bedeutung sind die zugrunde liegenden Mechanismen, die die AMR antreiben, ein Thema des Nachdenkens unter Wissenschaftlern geblieben.

Um die AMR zu klären, haben Forscher im Laufe der Zeit verschiedene Modelle vorgeschlagen. Ein solches Modell schlug vor, dass die Unterschiede im elektrischen Widerstand hauptsächlich auf die Streuung von Elektronen zurückzuführen sind, die von ihrem Spin beeinflusst wird. Forscher haben zuvor die AMR und den Restwiderstand einer spezifischen Legierung mit einer bekannten Formel berechnet. Obwohl es einige Diskrepanzen zwischen den berechneten Werten und den experimentellen Messungen gab, stimmten die allgemeinen Trends bei den AMR-Verhältnissen mit dem überein, was in tatsächlichen Experimenten beobachtet wurde.

In neueren Untersuchungen haben sich Wissenschaftler auf die Änderungen innerhalb der elektronischen Bänder von Materialien in Reaktion auf die Magnetisierungsrichtung konzentriert. Diese Änderungen werden auch als Einfluss auf den Widerstand angesehen. Ausserdem wurde der vierfache symmetrische Term der AMR mit Variationen in der Dichte der Zustände auf dem Fermi-Niveau in Verbindung gebracht, die sich ändern, wenn sich die Magnetisierung dreht.

Aktuelle Studien berücksichtigen mehr Faktoren, die die AMR beeinflussen können. Zum Beispiel kann das Vorhandensein von Phonon- und magnetischen Schwankungen bei endlichen Temperaturen die Leitfähigkeit beeinflussen. Unordnung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, einschliesslich thermischer Bewegung von Gitteratomen.

In Materialien wie FeCo-Legierungen ist atomare Unordnung ein häufiges Problem, insbesondere innerhalb bestimmter Strukturtypen wie dem B2-Gitter. Experimente zeigen, dass mit steigender Temperatur während eines Anlasseprozesses die gemessene AMR abnimmt. Frühere Erkenntnisse deuten darauf hin, dass diese Änderung in der AMR hauptsächlich auf eine Reduktion des Gesamtwiderstands aufgrund von Änderungen in der Mikrostruktur des Materials zurückzuführen ist.

Atomare Unordnung führt normalerweise zu erhöhtem Widerstand, da sie die Streuung von Elektronen verstärken und die Bandstruktur stören kann. In den Studien wurde festgestellt, dass die Hauptursache für die verringerte Leitfähigkeit aufgrund von Anti-Stellen-Unordnung die breitere spektrale Funktion war. Obwohl Unordnung die Leitfähigkeit beeinflusst, bleiben die grundlegenden Unterschiede im Widerstand, die von der Magnetisierungsrichtung abhängen, relativ unbeeinflusst.

Die Forschung ist in Abschnitte gegliedert, wobei der erste Abschnitt die Berechnungsmethoden und -parameter beschreibt. Die folgenden Abschnitte analysieren die elektronischen Transportfaktoren, indem sie die elektronische Struktur und die spektrale Funktion in Bezug auf das Material untersuchen. Letztlich fasst die Schlussfolgerung die geleistete Arbeit zusammen.

Berechnungsmethoden

Um die Auswirkungen atomarer Unordnung in der BCC-FeCo-Legierung zu untersuchen, wurden spezifische Konzentrationsniveaus von Eisen und Kobalt manipuliert. Der Grad der Unordnung wurde mithilfe der Konfigurationsentropie charakterisiert, die misst, wie vermischt die Atompositionen sind.

Die elektronische Struktur der Legierung wurde mit spezieller Software berechnet, die für spin-polarisierte relativistische Berechnungen entwickelt wurde. Die verwendete Methode berücksichtigt die relativistischen Effekte, die das Verhalten von Elektronen beeinflussen können, einschliesslich Faktoren wie Spin-Bahn-Kopplung. Die Berechnungen wurden innerhalb eines definierten Rahmens durchgeführt, um die Genauigkeit zu gewährleisten.

Der Widerstand in metallischen Systemen wurde mithilfe bekannter linearer Antwortmethoden analysiert. Diese Methoden beinhalten die Verwendung spezifischer Operatoren zur Berechnung der Leitfähigkeit, die das Verhältnis zwischen dem elektrischen Feld und der Stromdichte darstellen. Die elektronische Struktur der Legierung wird durch fortgeschrittene mathematische Prinzipien dargestellt.

Ergebnisse und Beobachtungen

Gitterverhalten und Dichte der Zustände

Die Forschung zeigte, dass mit zunehmender atomarer Unordnung in der Legierung die Gitterkonstante tendenziell abnimmt. Diese Beziehung ist wichtig, da sie beeinflussen kann, wie die Legierung mit magnetischen Feldern interagiert. Der durchschnittliche magnetische Moment der Legierung ändert sich nicht signifikant mit der Unordnung, was darauf hinweist, dass der Einfluss der atomaren Anordnung auf die Magnetisierung etwas begrenzt ist.

Die Dichten der Zustände (DOS) wurden ausgewertet und zeigten, dass ferromagnetisch geordnete Legierungen keine signifikanten Veränderungen in den Majority-Spin-Elektronen-Zuständen aufwiesen. Es gab jedoch deutliche Abnahmen der Minority-Spin-Spitzen, was zu einer gleichmässigeren Verteilung der Zustände führte. Diese Verschiebung deutet darauf hin, dass atomare Unordnung zu einer Abnahme der Spin-Lokalisierung führt, was wiederum die magnetischen Eigenschaften der Legierung weiter beeinflussen kann.

Bei der Betrachtung des Widerstands wurde festgestellt, dass die AMR-Werte mit zunehmender atomarer Unordnung signifikant abnahmen. Dies deutet darauf hin, dass das Material weniger effektiv darin wird, zwischen Widerständen zu differenzieren, wenn sich die Magnetisierungsrichtung ändert. Der longitudinale und durchschnittliche Widerstand zeigte ebenfalls erhebliche Unterschiede basierend auf der strukturellen Konfiguration der Legierung.

Verständnis von Widerstand und Winkelabhängigkeit

Forscher definierten spezifische Winkel, um die Beziehung zwischen Widerstand und Magnetisierungsrichtung zu erfassen. Mit zunehmender Unordnung nahmen die Werte, die die AMR darstellen, ab, was auf ein isotropes Verhalten in der Legierung hindeutet.

Die Ergebnisse zeigten, dass Änderungen in der Magnetisierung den Widerstand beeinflussen, während der gesamte Anstieg des Widerstands durch atomare Unordnung einen viel stärkeren Einfluss hat. Das deutet darauf hin, dass die Unordnung einen ausgeprägten Einfluss auf den elektrischen Transport hat.

Die Ergebnisse illustrierten weiter, dass die Verbesserungen der Leitfähigkeit durch die Rotation des magnetischen Moments von den Auswirkungen der atomaren Unordnung überschattet wurden, was zu erhöhtem Widerstand führte.

Die spektrale Funktion

Die Bloch-spektrale Funktion (BSF) wurde verwendet, um die Änderungen in der elektronischen Struktur der Legierung zu visualisieren. Diese Darstellung hob hervor, wie atomare Unordnung die Bänder verwischt und die Elektronenbewegung beeinflusst. Infolgedessen sank der effektive Mittelwertsfreipfad der Elektronen, was für das Verständnis der Gesamtleitfähigkeit entscheidend ist.

Die Präsenz von Unordnung wirkt sich auf die elektronischen Transportmechanismen aus. Wenn bestimmte Zustände aufgrund von Unordnung überlappen, wird es schwierig, Widerstandsergebnisse rein aufgrund systematischer Verhaltensweisen vorherzusagen. Die BSF zeigte, wie Bandüberquerungen und Änderungen in der elektronischen Struktur das widerstandfähige Verhalten der Legierung beeinflussen können.

Fazit

Insgesamt hat die Forschung erfolgreich demonstriert, wie atomare Unordnung in FeCo-Legierungen die anisotrope Magnetoresistenz beeinflusst. Die wichtigsten Erkenntnisse deuteten darauf hin, dass, während atomare Unordnung den Gesamtwiderstand erhöht, sie die intrinsischen Unterschiede im Widerstand aufgrund der Magnetisierungsrichtung nicht signifikant beeinflusst.

Daher wird geschlossen, dass die Verbesserung der Struktur durch Prozesse wie Anlassen die AMR-Effekte steigern kann. Die Variationen in der Bloch-spektralen Funktion waren entscheidend, um das Zusammenspiel zwischen atomarer Unordnung und elektronischem Transport zu verstehen und einen klareren Blick darauf zu bieten, wie die Eigenschaften von FeCo-Legierungen für praktische Anwendungen optimiert werden können.

Originalquelle

Titel: Effect of atomic anti-site disorder on the AMR in FeCo alloys

Zusammenfassung: In order to understand the anti-site disorder effect on the anisotropic magnetoresistance (AMR) effect in alloys, $\rm{Fe}_{50}Co_{50}$ alloys were studied in this work using the fully relativistic spin-polarized screened (KKR) method. The anti-site effect was modeled by interchanging Fe and Co atoms and treated by the coherent potential approximation (CPA). We find that the anti-site disorder broadens the spectral function and decreases the conductivity. Our work emphasizes that the absolute variations of resistivity under magnetic moment rotation are less affected by atomic disorders. The annealing procedure improves the AMR by reduction of the total resistivity. At the same time, we also find that the fourth-order term in the angular dependent resistivity becomes weaker when the disorder increases, resulting from increased scattering of the states around the band-crossing.

Autoren: Mingsong Zhang, Bin Peng, Wanli Zhang, Wenxu Zhang

Letzte Aktualisierung: 2023-03-28 00:00:00

Sprache: English

Quell-URL: https://arxiv.org/abs/2303.15726

Quell-PDF: https://arxiv.org/pdf/2303.15726

Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Änderungen: Diese Zusammenfassung wurde mit Unterstützung von AI erstellt und kann Ungenauigkeiten enthalten. Genaue Informationen entnehmen Sie bitte den hier verlinkten Originaldokumenten.

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