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Progressi nei dispositivi ferroelettrici verticali usando materiali di Van der Waals

I ricercatori esplorano nuovi approcci per creare dispositivi ferroelettrici efficienti con materiali a strati.

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La Ferroelettricità è una proprietà importante di certi materiali che permette loro di avere una carica elettrica incorporata. Questa carica può essere facilmente cambiata con l'applicazione di un campo elettrico esterno, rendendo questi materiali molto utili in elettronica, sensori e dispositivi di memoria. Tuttavia, creare materiali ferroelettrici che funzionino bene in dimensioni ridotte è stata una sfida a causa dei loro requisiti strutturali.

Recentemente, gli scienziati hanno iniziato a studiare Materiali di Van Der Waals, che hanno una struttura a strati unica. Questi materiali potrebbero aiutare a superare alcune delle sfide nella creazione di dispositivi ferroelettrici efficaci, specialmente quando sono fatti molto sottili.

La Sfida dei Materiali Ferroelettrici Tradizionali

Negli anni, i ricercatori si sono concentrati su materiali ferroelettrici tridimensionali, come le strutture di perovskite. Questi materiali funzionano bene, ma quando vengono ridotti a dimensioni piccole, spesso perdono le loro proprietà utili. Ad esempio, il titanio zirconato di piombo (PZT), un materiale ferroelettrico popolare, inizia a fallire quando è reso più sottile di 70 nanometri. Questa limitazione ha rallentato lo sviluppo di dispositivi di memoria moderni, che devono essere più piccoli e più efficienti.

L'Ascesa dei Materiali Bidimensionali

Negli ultimi anni, i materiali bidimensionali hanno attirato l'attenzione per la loro dimensione più sottile e il minor fabbisogno energetico. Qualche anno fa, gli scienziati hanno scoperto proprietà ferroelettriche in materiali molto sottili, come CuInP2S6 spesso 4 nm e SnTe monostrato. Queste scoperte suggerivano che questi nuovi materiali potrebbero aiutare a risolvere il problema di creare dispositivi ferroelettrici più piccoli.

Tuttavia, la maggior parte dei materiali bidimensionali non è ferroelettrica. Spesso hanno una struttura simmetrica che non consente le proprietà elettriche necessarie. Alcuni ricercatori hanno suggerito che impilare determinati strati non ferroelettrici in modi specifici potrebbe creare proprietà ferroelettriche. Questa idea ha portato al concetto di ferroelettricità scorrevole, dove gli strati di atomi possono scorrere l'uno sopra l'altro sotto un campo elettrico, portando a cambiamenti di carica.

Nuovi Approcci alla Ferroelettricità Verticale

Per creare dispositivi ferroelettrici più efficaci, si sta proponendo un nuovo approccio che utilizza un modello a tre strati con una disposizione specifica dei materiali. In questo modello, uno strato centrale può muoversi liberamente tra due strati fissi, consentendo cambiamenti nella Polarizzazione senza le complicazioni dei metodi precedenti. Questo setup è vantaggioso perché può ridurre le barriere per cambiare polarizzazione, rendendo i dispositivi più facili da controllare.

Nei modelli proposti, come BN/BN/BN e BN/Graphene/BN, i ricercatori hanno scoperto che è possibile creare livelli significativi di polarizzazione. Selezionando attentamente i materiali e impilandoli, è possibile costruire dispositivi ferroelettrici efficaci usando strati di materiali di van der Waals. Questo apre a molte potenziali applicazioni nei dispositivi elettronici e nella memoria.

Valutare la Polarizzazione

Un aspetto importante di questi nuovi materiali è come si comportano in termini di polarizzazione. La forza della polarizzazione è fondamentale per il funzionamento dei dispositivi. Nella struttura BN/BN/BN, è stata trovata una polarizzazione più alta rispetto al setup BN/Graphene/BN. Queste differenze sono dovute alle varie proprietà atomiche dei materiali coinvolti.

La capacità di cambiare la polarizzazione dipende anche dall'energia necessaria per cambiare stato. Un'energia di commutazione più bassa rende più facile controllare i dispositivi, e questo può portare a tecnologie di memoria più veloci ed efficienti.

I Vantaggi dei Dispositivi Ferroelettrici Verticali

I nuovi dispositivi ferroelettrici verticali offrono diversi vantaggi chiari. Prima di tutto, poiché utilizzano materiali di van der Waals, possono essere realizzati molto sottili, il che è essenziale per l'elettronica moderna. In secondo luogo, mostrano promesse per un basso consumo energetico, il che si traduce in una maggiore durata della batteria nei dispositivi.

È importante notare che le barriere di commutazione in questi nuovi modelli sono basse, il che significa che i ricercatori possono controllare la polarizzazione dei dispositivi in modo più efficace. Questo può portare a prestazioni migliorate nelle applicazioni elettroniche, come velocità di funzionamento più elevate e maggiore sensibilità nei sensori.

Potenziale Futuro

Il potenziale dei dispositivi ferroelettrici verticali sta appena iniziando a essere realizzato. I progressi nelle tecniche di impilamento dei materiali potrebbero portare a nuovi prodotti che sfruttano le proprietà uniche di questi materiali. Man mano che i ricercatori continuano a esplorare diverse combinazioni di materiali, ci si aspetta che emergeranno molte più opzioni per lo stoccaggio di memoria efficace e altri dispositivi elettronici.

Conclusione

L'esplorazione della ferroelettricità verticale nei materiali di van der Waals segna uno sviluppo entusiasmante nel campo dell'elettronica. Con il potenziale di ferroelettricità commutabile in una gamma più ampia di materiali, le applicazioni future potrebbero portare a soluzioni di stoccaggio di memoria migliorate e dispositivi elettronici più efficienti. Questa ricerca non solo affronta le sfide poste dai materiali ferroelettrici tradizionali, ma getta anche le basi per nuove tecnologie che possono soddisfare le esigenze del calcolo moderno e di altri settori. Man mano che gli scienziati continuano a innovare, le possibilità per i dispositivi ferroelettrici sono vaste e promettenti.

Fonte originale

Titolo: Vertical Ferroelectricity in Van der Waals Materials: Models and Devices

Estratto: Ferroelectricity has a wide range of applications in functional electronics and is extremely important for the development of next-generation information storage technology, but it is difficult to achieve due to its special symmetry requirements. In this letter, based on van derWaals stacking, a generic model is proposed for realizing ferroelectric devices, where a freely movable center layer is packaged in two fixed and symmetrically stacked layers. In this model, the ferroelectric phase transition can be realized between the two equivalent and eccentric ground stacking-states with opposite polarizations. By means of first-principles calculations, taking the h-BN/h-BN/h-BN and h-BN/Graphene/h-BN as feasible models, we carefully evaluate the magnitude of ferroelectricity. The corresponding polarizations are estimated as 1.83 and 1.35 pC/m, respectively, which are comparable to the sliding ferroelectricity. Such a new tri-layer model of vertical ferroelectricity can be constructed by arbitrary van derWaals semiconducting materials, and usually holds low switching barrier. Optimized material combinations with remarkable polarization are highly expectable to be discovered from the huge candidate set for future information storage.

Autori: Yuwen Zhang, Chunfeng Cui, Chaoyu He, Tao Ouyang, Jin Li, Mingxing Chen, Chao Tang

Ultimo aggiornamento: 2023-07-20 00:00:00

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2307.11267

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2307.11267

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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