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Auswirkungen von Hot-Carrier-Verschlechterung auf die SPAD-Leistung

Untersuchung der Dunkelzählrate und Degeneration bei Einzelphotonen-Avalanche-Dioden.

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Inhaltsverzeichnis

Einzelphotonen-Avalanche-Dioden (SPADs) sind super wichtige Geräte, die in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, wie z.B. zur Objekterkennung in Autos und zur Gestenerkennung in persönlichen Geräten. Diese Teile erkennen Licht, indem sie elektrische Signale erzeugen, wenn sie Photonen absorbieren. Trotz ihrer Effektivität haben SPADs einige Herausforderungen, besonders in schwach beleuchteten Situationen, wo dunkle Zählungen ihre Leistung stören können.

Die Dunkelzählrate (DCR) bezieht sich auf die Anzahl der falschen Signale, die von SPADs im Dunkeln erzeugt werden. Dieses Problem entsteht durch unerwünschte elektrische Signale, die durch das interne Geräusch des Geräts verursacht werden, anstatt durch tatsächlich erkanntes Licht. Es ist wichtig, DCR zu analysieren und zu verstehen, da es die Genauigkeit und Effizienz von SPADs beeinflusst.

Hot-Carrier-Degradation in SPADs

Ein wesentlicher Faktor, der zu einer erhöhten DCR in SPADs führt, ist die Hot-Carrier-Degradation (HCD). HCD tritt auf, wenn hochenergetische Träger im Gerät im Laufe der Zeit Schäden an seiner Struktur verursachen. Diese energetischen Träger können chemische Bindungen brechen, besonders an der Grenzfläche zwischen Silizium und Siliziumdioxid (Si/SiO). Über die Zeit entstehen Defekte, was zu einer höheren Dunkelzählrate führt.

Um zu modellieren, wie HCD die DCR beeinflusst, beginnen wir mit dem Verständnis der Energieverteilung der Träger innerhalb des SPAD. Die Energie dieser Träger spielt eine entscheidende Rolle dafür, wie schädlich sie für das Gerät sein können.

Energieverteilung der Träger

Die Energie der Träger in einem Halbleiter wie Silizium ist nicht gleichmässig. Sie variiert je nach Faktoren wie der Konzentration der Träger, Temperatur und angelegter Spannung. Wenn ein SPAD arbeitet, erzeugt er eine Palette von Trägerenergien. Einige dieser Träger haben genug Energie, um mit den Si-H-Bindungen an der Si/SiO-Grenzfläche zu interagieren und möglicherweise Schäden zu verursachen.

Ein Modell kann erstellt werden, um darzustellen, wie sich die Energie der Träger unter verschiedenen Bedingungen ändert. Zum Beispiel, wenn Spannung und Temperatur variieren, wird sich auch die Energieverteilung der Träger verschieben. Diese Verschiebung beeinflusst, wie wahrscheinlich es ist, dass diese Träger eine Degradation verursachen.

Die Rolle der DCR-Drift

DCR ist nicht statisch; sie verändert sich über die Zeit, während der SPAD verschiedene Betriebsbedingungen durchläuft. Diese Veränderung wird als DCR-Drift bezeichnet. DCR-Drift vorherzusagen ist wichtig, um zu verstehen, wie sich die Leistung der SPADs bei kontinuierlichem Einsatz verschlechtert.

Ein vorgeschlagenes Modell verknüpft die anfängliche DCR mit dem Stress, der auf das Gerät angewendet wird. Das Modell berücksichtigt Faktoren wie die Energie der während des Betriebs erzeugten Träger und wie diese Faktoren die Bildung von Defekten im Laufe der Zeit fördern. Durch das Einbeziehen realistischer Betriebsbedingungen können wir ein klareres Verständnis der DCR-Drift erlangen.

Stressbedingungen und Messungen

Um DCR und HCD zu untersuchen, werden SPADs verschiedenen Stressbedingungen ausgesetzt. Diese Tests können beispielsweise die Exposition gegenüber hohen Spannungen, unterschiedlichen Temperaturen und speziellen Lichtbestrahlungsniveaus umfassen. Vor und nach den Stressperioden werden Messungen durchgeführt, um zu bewerten, wie sich die DCR verändert.

Zum Beispiel können spezifische Tests darin bestehen, einen SPAD mit einer Spannung über einem bestimmten Schwellenwert zu betreiben, während verschiedene Lichtpegel angelegt werden. Durch die Analyse des elektrischen Stroms, der während dieser Messungen erzeugt wird, können wir sowohl die Dunkel- als auch die fotogenerierten Ströme quantifizieren. Diese Quantifizierung hilft uns zu verstehen, wie Stress die DCR beeinflusst.

Ergebnisse analysieren

Sobald die Stresstests abgeschlossen sind, werden Daten gesammelt, um das Verhalten der SPADs zu analysieren. Ein wichtiger Aspekt dieser Analyse ist der Vergleich der DCR vor und nach dem Stress. Dieser Vergleich ermöglicht es den Forschern zu verstehen, wie stark die Leistung des SPADs als Ergebnis der Stressbedingungen abgebaut wurde.

Ausserdem können aus den Daten Muster entstehen. Zum Beispiel kann beobachtet werden, dass mit zunehmender Stressdauer auch die DCR steigt. Diese Korrelation deutet auf einen direkten Zusammenhang zwischen prolongiertem Stress und der Degradation der Fähigkeit des SPAD hin, ordnungsgemäss zu funktionieren.

Die Mechanismen hinter HCD verstehen

Hot-Carrier-Degradation wird von mehreren Mechanismen beeinflusst. Diese Mechanismen zu verstehen ist wichtig, um Strategien zu entwickeln, die ihren Einfluss minimieren. Ein entscheidender Faktor ist die Interaktion zwischen energetischen Trägern und Si-H-Bindungen.

Wenn heisse Träger mit diesen Bindungen kollidieren, können sie eine Bindungsdissoziation verursachen, die zu Defekten im Material führt. Die Wahrscheinlichkeit einer Bindungsdissoziation steigt mit der Energie der Träger. Im Wesentlichen gilt: Je energetischer die Träger, desto mehr Schäden können sie anrichten.

Verschiedene Faktoren, die die DCR beeinflussen

Bei der Vorhersage der DCR-Drift spielen mehrere Faktoren eine Rolle:

  1. Temperatur: Wenn die Temperatur steigt, erhöht sich die Energie der Träger, was die Wahrscheinlichkeit von Bindungsdissoziation erhöht. Diese Beziehung schafft eine positive Rückkopplungsschleife, wo erhöhte Temperaturen zu grösserer Degradation führen.

  2. Elektroden Spannung: Ähnlich kann eine höhere Spannung die Trägerenergie erhöhen, was das Potenzial für Hot-Carrier-Interaktionen mit den Si-H-Bindungen steigert.

  3. Trägerdichte: Die Anzahl der im Gerät erzeugten Träger beeinflusst ebenfalls die Degradationsrate. Wenn die Trägerdichte wächst, steigen die Chancen auf zerstörerische Kollisionen mit Bindungen.

Die Bedeutung von Modellierungen

Eine effektive Modellierung ist entscheidend, um vorherzusagen, wie sich die DCR unter verschiedenen Bedingungen verhalten wird. Durch die Integration verschiedener Variablen – wie die Energieverteilung der Träger, Temperatur und Spannung – können Forscher komplexe Modelle entwickeln, die die reale SPAD-Leistung simulieren.

Diese Modelle können dann mit experimentellen Daten getestet werden, was Anpassungen und Verfeinerungen erlaubt. Wenn ein bestimmtes Modell z.B. DCR-Drift unter einer Bedingung genau vorhersagt, kann es Einblicke geben, wie der SPAD unter unterschiedlichen, aber vergleichbaren Umständen performen wird.

Experimenteller Rahmen für SPAD-Tests

Um unser Verständnis zu verbessern, ist ein strukturierter experimenteller Rahmen wichtig. Dabei geht es darum, eine Reihe von Standardbedingungen für die Tests von SPADs festzulegen, einschliesslich:

  • Charakterisierungstemperatur: Messungen sollten bei konstanten Temperaturen durchgeführt werden, um Variabilität in den Ergebnissen zu vermeiden.

  • Stressspannungsniveaus: Verschiedene Spannungspegel können angewendet werden, um zu sehen, wie sie sich auf DCR und Degradationsraten auswirken.

  • Bestrahlungsbedingungen: SPADs unter verschiedenen Lichtpegeln zu testen, hilft, reale Nutzungsszenarien zu simulieren.

Durch systematische Tests entsteht ein klareres Bild des Verhaltens von SPADs, was wertvolle Daten für Theorie und Anwendung liefert.

Herausforderungen und Chancen

Wie bei jeder Forschung gibt es Herausforderungen. Eine grosse Herausforderung ist die statistische Variation zwischen Geräten. Jeder SPAD kann sich unter ähnlichen Bedingungen unterschiedlich verhalten, was es schwierig machen kann, allgemeine Schlussfolgerungen zu ziehen.

Diese Variation bietet aber auch Chancen. Durch die Analyse mehrerer Geräte können wir Muster und Trends identifizieren, die bei individuellen Tests möglicherweise nicht offensichtlich sind. Diese aggregierten Daten können unser Verständnis der DCR-Drift verbessern und zu besseren Design- und Herstellungspraktiken für SPADs führen.

Fazit

Die Modellierung und Analyse der Hot-Carrier-Degradation in SPADs hebt die komplizierte Beziehung zwischen den Geräteeigenschaften und der Leistung hervor. Mit dem wachsenden Bedarf an effizienten und zuverlässigen SPADs steigt auch die Notwendigkeit, ihre Leistung über die Zeit genau vorherzusagen.

Das Verständnis von DCR und ihrer Drift sowie der Mechanismen, die die Degradation antreiben, ermöglicht es Forschern und Ingenieuren, Strategien zu entwickeln, um die Langlebigkeit und Effizienz von SPAD-Geräten zu verbessern. Durch laufende Forschung und umfassende Experimente können Verbesserungen der SPAD-Technologie erzielt werden, die ihre fortgesetzte Anwendung in unterschiedlichen Bereichen unterstützen. Dieses Bestreben zielt letztlich darauf ab, eine bessere Leistung und Zuverlässigkeit in kritischen Sektoren zu gewährleisten, die von der Automobilsicherheit bis hin zu fortschrittlicher Elektronik reichen.

Originalquelle

Titel: Modeling of Hot-Carrier Degradation driven by silicon-hydrogen bond dissociation in SPADs

Zusammenfassung: A novel approach for modeling Dark Count Rate (DCR) drift in Single-Photon Avalanche Diodes (SPADs) is proposed based on Hot-Carrier Degradation (HCD) inducing silicon-hydrogen bond dissociation at the Si/SiO2 interface. The energy and the quantity of hot-carriers are modeled by the interplay of carrier energy distribution and current density. The carrier energy distribution, achieved by a Full-Band Monte-Carlo simulation considering the band structure and the scattering mechanisms, establishes a crucial link to the degradation of the top SPAD interface, primarily influenced by hot electrons due to their broader energy spread. The current density is determined by analyzing the generation rates of carriers under dark and photo conditions, along with the multiplication rate, through a combination of experimental data and modeling techniques. Subsequently,these hot carriers are correlated with the distribution of bond dissociation energy, which is modeled by the disorder-induced local variations among the Si-H bond energy at the Si/SiO2 interface. The impact-ionization probability between hot carriers and Si-H bonds is then calculated by differentiating their energies, thereby determining the degradation kinetics. This enables the capture of the rise in dark current density with stress duration by the increasing number of defects, which in turn affects the modeling of degradation rate. For the first time, a direct correlation between the dark current and DCR, along with their drift over stress time, has been established, relying on the carrier generation rate originating from these defects together with the position-dependent breakdown probability Pt.This physic-based model allows to predict DCR for unprecedented long-term stress measurement time up to 10e6s, covering a whole set of characterization and stress conditions for SPAD devices.

Autoren: Mathieu Sicre, Xavier Federspiel, Bastien Mamdy, David Roy, Francis Calmon

Letzte Aktualisierung: 2024-08-03 00:00:00

Sprache: English

Quell-URL: https://arxiv.org/abs/2407.07105

Quell-PDF: https://arxiv.org/pdf/2407.07105

Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Änderungen: Diese Zusammenfassung wurde mit Unterstützung von AI erstellt und kann Ungenauigkeiten enthalten. Genaue Informationen entnehmen Sie bitte den hier verlinkten Originaldokumenten.

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