I ricercatori svelano film sottili di LaSb unici che mostrano superconduttività a temperature più elevate.
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Scienza all'avanguardia spiegata semplicemente
I ricercatori svelano film sottili di LaSb unici che mostrano superconduttività a temperature più elevate.
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Uno studio per ottimizzare modelli di tight-binding per le proprietà elettroniche dei TMDC Janus.
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Uno sguardo a come l'ARPES rivela la struttura elettronica in vari materiali.
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Uno studio rivela come la direzione di magnetizzazione influisca sulle proprietà dello shandite a base di Co, CoSnS.
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Questo studio esamina l'impatto dell'ittrio sulle proprietà del TmVO4.
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Questo articolo analizza i comportamenti dei semimetalli di Dirac sotto onde di densità di carica.
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Scienziati scoprono proprietà uniche degli stati legati di Andreev a carica oscillante nei superconduttori.
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Metodi migliorati potenziano le previsioni del band gap per l'ossido di litio e cobalto nelle applicazioni delle batterie.
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Esplorando come i modelli 1D influenzano il comportamento elettronico del reticolo di Lieb.
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La ricerca rivela un punto fisso stabile nei metalli disordinati bidimensionali.
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I strati unici di TaRhTe cambiano il suo comportamento elettronico, promettendo progressi nella tecnologia.
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Questo articolo esplora le fasi nematiche viste negli stati di Hall quantistico frazionali sotto campi magnetici.
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Uno studio rivela comportamenti interessanti nell'insulatore eccitonico TaNiSe.
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Uno studio rivela comportamenti magnetici unici di SrMgIrO, SrZnIrO e SrCdIrO.
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La ricerca rivela le uniche proprietà elettroniche del grafene a doppio strato attorcigliato.
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Uno sguardo a come le interazioni degli elettroni influenzano le proprietà dei materiali e i momenti magnetici locali.
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Uno sguardo a come le bande piatte e i fermioni pesanti influenzano le proprietà dei materiali.
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Uno studio rivela cambiamenti inaspettati nella termoelettricità di SrLaRuO vicino alla transizione di Lifshitz.
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CaRuO mostra un comportamento da isolante di Mott e proprietà magnetiche interessanti.
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Questo articolo esamina come il cromo influisce sulle proprietà magnetiche del rutenato di calcio.
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Il grafene multilayer attorcigliato mostra proprietà elettroniche uniche, aprendo la strada a tecnologie future.
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Esplorando le caratteristiche affascinanti di ScVSn e le sue potenziali applicazioni.
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Questo articolo esamina le proprietà uniche degli antiferromagneti MnSn e MnGe.
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Questo studio esamina le proprietà uniche della superficie di Fermi del materiale CoSi.
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Indagando i comportamenti elettronici unici del bilayer attorcigliato di WTe sotto diverse condizioni.
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La ricerca rivela come le interazioni dei fononi plasmino le proprietà magnetiche in materiali unici.
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La ricerca rivela connessioni tra onde di densità di carica e linee nodali di Kramers nei materiali.
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Un nuovo metodo migliora l'efficienza nel risolvere l'equazione di Kohn-Sham.
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Uno sguardo alle interessanti proprietà delle onde di densità di pseudospin nei sistemi elettronici bidimensionali.
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La ricerca svela comportamenti complessi degli elettroni in MATBG usando tecniche computazionali avanzate.
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Esplorando il ruolo delle singolarità di alto ordine e delle bande piatte nelle proprietà dei materiali.
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Questo studio esamina le proprietà elettroniche uniche dei semimetalli di Dirac anisotropi utilizzando un modello olografico.
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Nuovi metodi migliorano la precisione nella misurazione degli angoli di torsione nei materiali avanzati.
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Il TbSbTe ha proprietà uniche e un comportamento magnetico, offrendo spunti sui semimetalli a linea nodale.
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Questo articolo esamina l'impatto delle onde di densità di carica sulle proprietà elettroniche di ScVSn.
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Uno sguardo approfondito a come la struttura influisce sul comportamento degli elettroni nello stronzio rutenato.
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Questo lavoro esplora come le molecole si caricano in modo frazionario quando interagiscono con il loro ambiente.
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Questo studio rivela nuove fasi negli isolanti topologici di ordine superiore attraverso la modulazione quasiperiodica.
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La ricerca rivela caratteristiche intriganti del materiale piroclore iridato PrIrO.
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La ricerca svela il comportamento di NiPS3 come un isolante di Mott-Hubbard.
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