Impatto dell'Orientamento alla Crescita sui Film di Sr CoNbO
I metodi di crescita dei film di Sr CoNbO influenzano significativamente le loro caratteristiche elettroniche.
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Indice
- Background su Sr CoNbO e le sue Applicazioni
- Crescita dei Film Sottili
- Effetti dell'Orientamento di Crescita
- Proprietà Elettroniche e Conduttività
- Dipendenza dalla Temperatura
- Meccanismi che Governa la Corrente di Perdite
- Importanza degli Stati di Valenza
- Topografia della Superficie e Ruvidezza
- Spettroscopia Raman e Simmetria
- Conclusione
- Fonte originale
Questo articolo parla di come il modo in cui vengono cresciuti i film sottili di un materiale chiamato Sr CoNbO influisce sulle loro proprietà fisiche. Capire questi effetti è importante perché questi materiali hanno caratteristiche speciali che possono essere utili nella tecnologia.
Background su Sr CoNbO e le sue Applicazioni
Sr CoNbO è un tipo di materiale perovskite, il che significa che ha una struttura cristallina specifica. Questi materiali possono avere proprietà magnetiche ed elettriche interessanti che li rendono adatti per vari dispositivi, come stoccaggio di energia, sensori e celle a combustibile. Gli scienziati sono interessati a queste proprietà per migliorare la tecnologia, ma controllarle può essere complicato.
Crescita dei Film Sottili
I film sottili di Sr CoNbO possono essere creati usando un metodo chiamato deposizione laser pulsato. Questo implica l'invio di impulsi laser a un materiale target, che forma poi uno strato sottile su una superficie. La superficie può essere fatta di materiali diversi, e questa scelta può influenzare il comportamento del film sottile.
Substrati Utilizzati
In questo studio, sono stati usati due tipi di superfici, o substrati: NGO (NdGaO) e MgO. Ogni Substrato ha una struttura diversa che influisce su come cresce il film di Sr CoNbO. Il substrato NGO permette un tipo specifico di deformazione nel film sottile, chiamato deformazione compressiva, mentre il substrato MgO permette la deformazione tensiva.
Effetti dell'Orientamento di Crescita
L'orientamento in cui vengono cresciuti i film sottili può influenzare significativamente le loro proprietà. Quando il film cresce sul substrato NGO, tende a trovarsi sotto deformazione compressiva, il che influisce su come si muovono e interagiscono gli atomi nel film. Al contrario, quando cresce sul substrato MgO, il film subisce una deformazione tensiva, portando a caratteristiche diverse.
Proprietà Strutturali
Le proprietà strutturali dei film sottili possono essere osservate usando tecniche come la diffrazione a raggi X, che aiuta a identificare come sono disposti gli atomi nel materiale. L'allineamento degli atomi può essere diverso a seconda che il film sia su NGO o MgO.
Proprietà Elettroniche e Conduttività
Uno dei principali focus di questa ricerca è come le proprietà elettroniche dei film di Sr CoNbO cambiano con le diverse orientazioni di crescita. La conduttività di questi film dipende molto dal loro contenuto di ossigeno e dalla disposizione degli atomi al loro interno.
Deficienze di Ossigeno
Quando il contenuto di ossigeno nei film non è quello giusto, questo può portare alcuni atomi a prendere cariche diverse. Per esempio, nei film cresciuti su NGO, ci sono più deficienze di ossigeno, il che influisce sulla conduttività elettrica del materiale. Questo significa che la capacità del materiale di condurre elettricità è inferiore quando è cresciuto su NGO rispetto a MgO.
Energia di Attivazione
L'energia necessaria affinché i portatori di carica si muovano attraverso il materiale, nota come energia di attivazione, è anch'essa influenzata dall'orientamento di crescita. Nei film cresciuti su NGO, l'energia di attivazione è più alta, indicando che è più difficile far fluire l'elettricità.
Dipendenza dalla Temperatura
Con il cambiare della temperatura, anche la conduttività dei film può cambiare. Le misurazioni mostrano che i film cresciuti su MgO sono più conduttivi a diverse temperature rispetto a quelli cresciuti su NGO. Questo indica che l'orientamento di crescita gioca un ruolo cruciale nel determinare come questi materiali si comportano in condizioni variabili.
Meccanismi che Governa la Corrente di Perdite
La corrente di perdite si riferisce al flusso indesiderato di elettricità nei materiali, un fattore chiave per valutare la loro utilità in dispositivi come i sistemi di stoccaggio dell'energia. Questo studio indaga come l'orientamento di crescita influisce sulla corrente di perdite nei film di Sr CoNbO.
Densità di Corrente e Meccanismi di Rilassamento
Applicando una tensione ai film e osservando come la corrente cambia nel tempo, i ricercatori possono scoprire i meccanismi di rilassamento nel materiale. La corrente potrebbe non diminuire immediatamente e può fornire informazioni su come si comportano i portatori di carica in risposta agli stimoli esterni.
Importanza degli Stati di Valenza
I diversi stati di carica degli atomi nel materiale influenzano significativamente le sue proprietà. In Sr CoNbO, il cobalto può esistere in diversi stati di carica, e questi stati sono influenzati dal substrato e dalle condizioni di crescita.
Spettroscopia Fotoelettronica a Raggi X
Una tecnica chiamata spettroscopia fotoelettronica a raggi X (XPS) è usata per analizzare gli stati di valenza degli atomi nei materiali. Questo aiuta a capire come la struttura del film e la sua composizione si riferiscono alle sue proprietà elettroniche.
Topografia della Superficie e Ruvidezza
La superficie dei film sottili può avere anche livelli variabili di ruvidezza, il che può influenzare le loro prestazioni. Un microscopio a forza atomica (AFM) è spesso usato per studiare la struttura superficiale, rivelando dettagli su come vengono formati i film e come potrebbero comportarsi nelle applicazioni pratiche.
Spettroscopia Raman e Simmetria
La spettroscopia Raman è usata per studiare le vibrazioni degli atomi nel materiale. Differenze nei modi vibratori possono indicare un cambiamento di simmetria dai materiali bulk ai film sottili. Questo cambiamento di simmetria può relazionarsi direttamente con le proprietà fisiche del materiale e come rispondono alle condizioni esterne.
Conclusione
In sintesi, l'orientamento di crescita dei film sottili di Sr CoNbO su diversi substrati porta a proprietà elettroniche e strutturali variegate. L'influenza significativa del contenuto di ossigeno, della deformazione e degli stati di valenza sulla conduttività e altre caratteristiche evidenzia l'importanza di una scelta attenta del substrato nello sviluppo dei materiali. Questa comprensione è vitale per ottimizzare questi materiali per future applicazioni nella tecnologia.
Titolo: Effect of the growth orientation on the physical properties of Sr$_2$CoNbO$_6$ thin films
Estratto: We study the effect of the growth orientation on the structural, electronic, and hence transport properties of Sr$_2$CoNbO$_6$ thin films grown on the orthorhombic NGO(100) and cubic MgO(100) substrates. The x-ray diffraction patterns show the growth of the thin film along $a$-axis resulting in the asymmetric ($b\neq c$) in-plane compressive strain in case of NGO(100), whereas along $c$-axis with tensile strain in case of MgO(100) substrate. The temperature dependent resistivity measurements indicate the lower electronic conductivity for the film grown on the NGO(100) substrate, which is found to be correlated with the higher degree of the oxygen deficiencies and hence larger concentration of the insulating Co$^{2+}$ in this sample. Further, the x-ray photoemission spectroscopy measurements show that Sr and Nb are present in the 2+ and 4+ valence state, whereas Co exist in the 2+, 3+ as well as 4+ states, fraction of which was found to vary with the growth orientation. Moreover, the analysis of leakage current using the sum exponent model indicate the presence of two different relaxation mechanisms in these samples.
Autori: Ajay Kumar, Ramcharan Meena, M. Miryala, K. Ueno, Rajendra S. Dhaka
Ultimo aggiornamento: 2023-06-11 00:00:00
Lingua: English
URL di origine: https://arxiv.org/abs/2306.06732
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2306.06732
Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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