Avances en Dispositivos Ferroelectricos Verticales Usando Materiales de Van der Waals
Los investigadores exploran nuevos enfoques para crear dispositivos ferroeléctricos eficientes con materiales en capas.
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Tabla de contenidos
La Ferroelectricidad es una propiedad importante de ciertos materiales que les permite tener una carga eléctrica incorporada. Esta carga se puede cambiar fácilmente con la aplicación de un campo eléctrico externo, haciendo que estos materiales sean muy útiles en electrónica, sensores y dispositivos de memoria. Sin embargo, hacer materiales ferroelectricos que funcionen bien a pequeña escala ha sido un reto debido a sus requisitos estructurales.
Recientemente, los científicos han estado mirando los Materiales de Van Der Waals, que tienen una estructura en capas única. Estos materiales podrían ayudar a superar algunos de los desafíos en la creación de dispositivos ferroelectricos efectivos, especialmente cuando son muy delgados.
El reto de los materiales ferroelectricos tradicionales
A lo largo de los años, los investigadores se han enfocado en materiales ferroelectricos tridimensionales, como las estructuras de perovskita. Estos materiales funcionan bien, pero cuando se reducen a tamaños pequeños, a menudo pierden sus propiedades útiles. Por ejemplo, el titanato de zirconio de plomo (PZT), un material ferroelectrico popular, empieza a fallar cuando se hace más delgado de 70 nanómetros. Esta limitación ha ralentizado el desarrollo de dispositivos de memoria modernos, que necesitan ser más pequeños y eficientes.
El auge de los materiales bidimensionales
En los últimos años, los materiales bidimensionales han ganado atención por su tamaño más delgado y menores necesidades energéticas. Hace algunos años, los científicos encontraron propiedades ferroelectricas en materiales muy delgados, como CuInP2S6 de 4 nm de grosor y SnTe en monocapa. Estos hallazgos sugerían que estos nuevos materiales podrían ayudar a resolver el problema de hacer dispositivos ferroelectricos más pequeños.
Sin embargo, la mayoría de los materiales bidimensionales no son ferroelectricos. A menudo tienen una estructura simétrica que no permite las propiedades eléctricas necesarias. Algunos investigadores han sugerido que apilar ciertas capas no ferroelectricas de maneras específicas podría crear propiedades ferroelectricas. Esta idea ha llevado al concepto de ferroelectricidad deslizante, donde las capas de átomos pueden deslizarse unas sobre otras bajo un campo eléctrico, llevando a cambios en la carga.
Nuevos enfoques para la ferroelectricidad vertical
Para crear dispositivos ferroelectricos más efectivos, se está proponiendo un nuevo enfoque que utiliza un modelo de tres capas con una disposición específica de materiales. En este modelo, una capa intermedia puede moverse libremente entre dos capas fijas, permitiendo cambios en la Polarización sin las complicaciones que vienen con los métodos anteriores. Este diseño es beneficioso porque puede reducir las barreras para cambiar la polarización, haciendo que los dispositivos sean más fáciles de controlar.
En los modelos propuestos, como BN/BN/BN y BN/Graphene/BN, los investigadores han encontrado que es posible crear niveles significativos de polarización. Al seleccionar cuidadosamente los materiales y apilarlos, se pueden construir dispositivos ferroelectricos efectivos usando capas de materiales de van der Waals. Esto abre la puerta a muchas aplicaciones potenciales en dispositivos electrónicos y almacenamiento de memoria.
Evaluando la polarización
Un aspecto importante de estos nuevos materiales es cómo se desempeñan en términos de polarización. La fuerza de la polarización es clave para el funcionamiento de los dispositivos. En la estructura BN/BN/BN, se encontró que la polarización era mayor que en la configuración BN/Graphene/BN. Estas diferencias se deben a las propiedades atómicas variables de los materiales involucrados.
La capacidad de cambiar la polarización también depende de la energía requerida para cambiar el estado. Una menor energía de conmutación facilita el control de los dispositivos, lo que puede llevar a una tecnología de memoria más rápida y eficiente.
Las ventajas de los dispositivos ferroelectricos verticales
Los nuevos dispositivos ferroelectricos verticales ofrecen varias ventajas claras. Primero, como utilizan materiales de van der Waals, pueden hacerse muy delgados, lo cual es esencial para la electrónica moderna. Segundo, muestran promesa para un bajo consumo de energía, lo que se traduce en una mayor duración de la batería en los dispositivos.
Importante, las barreras de conmutación en estos nuevos modelos son bajas, lo que significa que los investigadores pueden controlar la polarización de los dispositivos de manera más efectiva. Esto puede llevar a un mejor rendimiento en aplicaciones electrónicas, como velocidades de operación más rápidas y mayor sensibilidad en sensores.
Potencial futuro
El potencial de los dispositivos ferroelectricos verticales apenas comienza a ser reconocido. Los avances en las técnicas de apilamiento de materiales podrían llevar a nuevos productos que aprovechen las propiedades únicas de estos materiales. A medida que los investigadores continúan explorando diferentes combinaciones de materiales, se anticipa que surgirán muchas más opciones para un almacenamiento de memoria efectivo y otros dispositivos electrónicos.
Conclusión
La exploración de la ferroelectricidad vertical en materiales de van der Waals marca un desarrollo emocionante en el campo de la electrónica. Con el potencial de ferroelectricidad conmutada en una gama más amplia de materiales, las aplicaciones futuras podrían llevar a soluciones de almacenamiento de memoria mejoradas y dispositivos electrónicos más eficientes. Esta investigación no solo aborda los desafíos que presentan los materiales ferroelectricos tradicionales, sino que también sienta las bases para nuevas tecnologías que pueden satisfacer las demandas de la computación moderna y otros campos. A medida que los científicos continúan innovando, las posibilidades para los dispositivos ferroelectricos son vastas y prometedoras.
Título: Vertical Ferroelectricity in Van der Waals Materials: Models and Devices
Resumen: Ferroelectricity has a wide range of applications in functional electronics and is extremely important for the development of next-generation information storage technology, but it is difficult to achieve due to its special symmetry requirements. In this letter, based on van derWaals stacking, a generic model is proposed for realizing ferroelectric devices, where a freely movable center layer is packaged in two fixed and symmetrically stacked layers. In this model, the ferroelectric phase transition can be realized between the two equivalent and eccentric ground stacking-states with opposite polarizations. By means of first-principles calculations, taking the h-BN/h-BN/h-BN and h-BN/Graphene/h-BN as feasible models, we carefully evaluate the magnitude of ferroelectricity. The corresponding polarizations are estimated as 1.83 and 1.35 pC/m, respectively, which are comparable to the sliding ferroelectricity. Such a new tri-layer model of vertical ferroelectricity can be constructed by arbitrary van derWaals semiconducting materials, and usually holds low switching barrier. Optimized material combinations with remarkable polarization are highly expectable to be discovered from the huge candidate set for future information storage.
Autores: Yuwen Zhang, Chunfeng Cui, Chaoyu He, Tao Ouyang, Jin Li, Mingxing Chen, Chao Tang
Última actualización: 2023-07-20 00:00:00
Idioma: English
Fuente URL: https://arxiv.org/abs/2307.11267
Fuente PDF: https://arxiv.org/pdf/2307.11267
Licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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