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Améliorer l'apprentissage automatique avec des automates à états finis et ReRAM

Une nouvelle approche utilise le ReRAM pour améliorer les automates à états finis dans les systèmes d'apprentissage automatique.

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Les systèmes modernes d'apprentissage machine ont du mal à déplacer les données efficacement et à gérer la complexité des tâches de traitement. Cet article parle d'une nouvelle approche pour aider ces systèmes à utiliser la mémoire et le traitement de manière plus efficace. On se concentre sur un modèle simple appelé Automates à états finis (FSA), qui peut aider dans les processus d'apprentissage et de prise de décision.

C'est quoi les Automates à États Finis ?

Les automates à états finis servent à représenter des problèmes qui ont un nombre limité de conditions ou d'états. Ils fonctionnent comme une machine simple qui change d'état selon les entrées. Par exemple, si la machine est dans un état et qu'elle reçoit une certaine entrée, elle passera à un autre état défini.

Les FSA sont particulièrement pratiques dans des situations où des réponses rapides sont nécessaires, comme dans les systèmes automatisés ou les voitures autonomes. Le concept de FSA s'associe bien au stockage de mémoire, ce qui aide à réduire le besoin de déplacer les données.

Le Rôle de ReRAM dans les FSA

Une technologie prometteuse pour mettre en œuvre les FSA est la RAM résistive (ReRAM). La ReRAM est un type de mémoire qui peut stocker plusieurs niveaux d'informations, permettant une utilisation plus efficace de la mémoire. Plutôt que de simplement alterner entre deux états (allumé ou éteint), la ReRAM peut maintenir plusieurs états, ce qui en fait un bon candidat pour les FSA.

Dans cette approche, la ReRAM est utilisée avec un transistor pour contrôler comment les informations sont stockées et modifiées. Cette configuration permet à la FSA d'utiliser la mémoire de manière plus efficace.

Architecture Proposée

L'architecture proposée consiste en une structure faite de cellules 1T1R, qui intègrent un dispositif de ReRAM et un transistor connectés ensemble. Dans cette disposition, la ReRAM peut être programmée pour représenter différents états de la FSA.

L'architecture permet de créer une FSA avec plusieurs états qui peuvent fonctionner simultanément, au lieu de devoir fonctionner un par un. La configuration proposée peut atteindre un haut niveau d'efficacité tant en termes d'énergie que de performance.

Contrôle de la FSA

Pour changer l'état de la FSA, des signaux doivent être envoyés à la ReRAM pour s'assurer que l'état correct est atteint. Un générateur d'impulsions crée des signaux avec des largeurs spécifiques pour gérer ces changements d'état.

Le circuit de contrôle détermine quel sera le prochain état en fonction de l'état actuel et de l'entrée. Ce contrôle est crucial, car il garantit que la FSA fonctionne correctement et efficacement.

Gestion des Transitions d'État

Une partie importante pour garantir le bon fonctionnement de la FSA est la gestion des transitions entre les états. Chaque état doit être identifié avec précision, car une identification incorrecte peut entraîner des erreurs de traitement.

Pour y remédier, l'architecture utilise des états intermédiaires. Donc, si la FSA doit passer de l'état A à l'état C, elle passe d'abord par un état intermédiaire B. Cela aide à simplifier les processus de contrôle et à s'assurer que la FSA fonctionne avec précision.

Efficacité énergétique et Performance

Un des principaux objectifs de cette recherche est d'évaluer l'efficacité de l'architecture proposée en matière d'utilisation de l'énergie. La consommation d'énergie pour chaque Transition d'état est mesurée, et on a constaté que même si l'utilisation d'états intermédiaires augmente l'usage d'énergie, cela améliore globalement la performance du système.

En contrôlant soigneusement les largeurs d'impulsions et en s'assurant que la ReRAM peut stocker plusieurs niveaux d'informations, le système peut minimiser le gaspillage d'énergie tout en maximisant la vitesse.

Défis avec les Variations

Dans les applications réelles, les appareils peuvent varier d'une unité à l'autre, ce qui peut affecter leur performance. L'étude examine comment les variations entre les appareils et à l'intérieur du même appareil au fil du temps peuvent impacter les transitions d'état.

Il a été noté que certains états sont plus sensibles aux variations que d'autres. Cependant, la conception de l'architecture aide à s'adapter à ces variations, garantissant que la FSA peut encore fonctionner avec précision même face à des potentiels écarts.

Étapes Futures

Cette recherche ouvre la voie à d'autres explorations sur la façon dont les FSA peuvent être intégrées à la technologie ReRAM. Les travaux futurs se concentreront sur la conversion de ces idées en applications pratiques, en particulier dans le domaine de l'automatisation de l'apprentissage.

Conclusion

En résumé, l'architecture proposée pour mettre en œuvre des FSA utilisant la ReRAM offre un nouveau moyen de relever les défis dans les systèmes d'apprentissage machine. En tirant parti des caractéristiques uniques de la ReRAM et en gérant soigneusement les transitions d'état, cette approche pourrait conduire à des applications d'apprentissage plus efficaces et efficaces. Avec les promesses d'efficacité énergétique et d'opération fiable, le développement continu de cette technologie pourrait ouvrir la voie à d'importantes avancées dans des domaines nécessitant des prises de décision rapides et un traitement efficace.

Source originale

Titre: Finite State Automata Design using 1T1R ReRAM Crossbar

Résumé: Data movement costs constitute a significant bottleneck in modern machine learning (ML) systems. When combined with the computational complexity of algorithms, such as neural networks, designing hardware accelerators with low energy footprint remains challenging. Finite state automata (FSA) constitute a type of computation model used as a low-complexity learning unit in ML systems. The implementation of FSA consists of a number of memory states. However, FSA can be in one of the states at a given time. It switches to another state based on the present state and input to the FSA. Due to its natural synergy with memory, it is a promising candidate for in-memory computing for reduced data movement costs. This work focuses on a novel FSA implementation using resistive RAM (ReRAM) for state storage in series with a CMOS transistor for biasing controls. We propose using multi-level ReRAM technology capable of transitioning between states depending on bias pulse amplitude and duration. We use an asynchronous control circuit for writing each ReRAM-transistor cell for the on-demand switching of the FSA. We investigate the impact of the device-to-device and cycle-to-cycle variations on the cell and show that FSA transitions can be seamlessly achieved without degradation of performance. Through extensive experimental evaluation, we demonstrate the implementation of FSA on 1T1R ReRAM crossbar.

Auteurs: Simranjeet Singh, Omar Ghazal, Chandan Kumar Jha, Vikas Rana, Rolf Drechsler, Rishad Shafik, Alex Yakovlev, Sachin Patkar, Farhad Merchant

Dernière mise à jour: 2023-06-30 00:00:00

Langue: English

Source URL: https://arxiv.org/abs/2304.13552

Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2304.13552

Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Changements: Ce résumé a été créé avec l'aide de l'IA et peut contenir des inexactitudes. Pour obtenir des informations précises, veuillez vous référer aux documents sources originaux dont les liens figurent ici.

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