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X線CMOSセンサーのエネルギー分解能向上

私たちの研究は、ゲイン補正がX線センサーの性能をどう向上させるかを示しているよ。

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目次

科学CMOSセンサーは、従来の電荷結合素子(CCD)と比べて多くの利点があるため、天文学的なイベントの観測に人気が出てきてる。データの読み出しが速く、放射線にも強く、高温でも動作するんだ。この文章では、特定の科学CMOSセンサーについての発見を話すよ。それはX線画像をキャッチするために設計されてるんだ。

センサーの詳細

私たちはGSENSE 1516 BSIセンサーを調べた。このセンサーは多数の小さなピクセルを持っていて、各ピクセルの性能を測定できる。テスト用にセンサー上の3つの特定のエリアを選んで、25,000以上のX線イベントを集めてノイズ、ゲイン、エネルギー解像度を評価した。

テストをした結果、ほとんどのピクセルのエネルギー解像度は特定のエネルギーレベル6.4 keVで約140電子ボルト(eV)だった。この解像度は読み出しノイズが少ないほど改善された。また、各ピクセルのゲインも測定したけど、約0.56%の小さな変動があった。

ゲイン補正のアプローチ

測定の精度を上げるために、各ピクセルのゲインを個別に補正した。従来の方法は全てのピクセルに対して同じゲイン値を使うけど、私たちのアプローチはそれぞれのピクセルの特性に基づいてゲインを調整する。これによって、ゲインの変動がエネルギー解像度に与える悪影響を減らしたんだ。

ピクセルごとのゲイン補正を適用した後、エネルギー解像度が4.5 keVで約124.6 eV、6.4 keVで140.7 eVに改善された。この改善は重要で、科学CMOSセンサーの性能向上が示された。

エネルギー解像度の重要性

エネルギー解像度はX線検出器では重要な要素で、センサーが異なるX線エネルギーを区別できるかどうかを決める。この能力は、天体観測などで天体の組成や挙動を理解するのに不可欠だ。エネルギー解像度が向上したセンサーは、より明確で正確なデータを提供し、宇宙の知識を高める。

歴史的背景

最近の数年では、CCDが天文学におけるX線アプリケーションの主流だった。でも、科学CMOS技術の進歩が期待できる結果を示して、今後の宇宙ミッションの代替手段としての可能性が高まってる。これらのミッションでは、ソフトX線を捉え、良いエネルギー解像度を達成できる検出器が求められている。

理論的限界

あらゆるセンサーには性能の限界がある。シリコン系センサー、CMOSも含め、ファーノ限界という理論的限界があって、エネルギー解像度は6.4 keVで約124 eV、室温であるべきだ。従来のCCDはこの限界近くで動作しているけど、ほとんどのCMOSセンサーはそのレベルに達していない。

研究の旅路

私たちのラボは2015年以来、科学CMOSセンサーの性能を理解するために取り組んできた。会社と協力して、特定の機能を持ったGSENSE 1516 BSIセンサーを開発した。このセンサーはサイズが約6 cm x 6 cmで、大きなピクセルアレイと完全に枯渇した厚い層を持ってる。設計のおかげで、1秒間に20フレームのフレームレートを達成できる。

センサーの読み出しノイズは低いけど、それでもエネルギー解像度に影響を与える。特に、各ピクセルには独自のアンプがあるため、全体的な変換ゲインに違いが出る。このゲインを各ピクセルで補正できれば、エネルギー解像度を向上させられると思ったんだ。

実験の準備

実験を行うために、X線管を設置してセンサーに向けてX線を放出した。センサーはターゲット材料と反応した後のX線をキャッチする。約220時間の間、室温でデータを集めたから、追加の冷却は必要なくて実験が簡単になった。

特定のエリアに焦点を当てるために、X線源にさらされるピクセルだけを露出させる穴のあるプレートでカバーした。この慎重な配置によって、小さな領域と大きなエリアでのピクセルの性能を測定できた。

データ収集と分析

分析のために、異なる条件下での暗画像(X線露出なしの画像)を記録してノイズレベルを測定した。各ピクセルのノイズを計算し、全体のフレームノイズを表す平均を見つけた。同様に、ダークカレント(X線露出なしでも存在する電流の量)も評価した。

ピクセル性能

収集したデータを使って、個々のピクセル特性の包括的なデータベースを作った。これには、ゲイン、エネルギー解像度、ノイズレベルが含まれてる。特に、テストしたピクセルの平均ゲインは約6.60 eV/DNで、変動があった。このゲインの違いがエネルギー解像度の変動に寄与していて、それを補正することを目指した。

ゲイン補正の実施

完全なピクセルデータベースを使って、ピクセルごとのゲイン補正を適用した。このプロセスでは、各ピクセルの特定のゲインを使用して、キャッチしたデータをエネルギー測定に変換した。この補正をした後、エネルギー解像度が明確に改善された。

結論と今後の研究

結論として、ピクセルレベルのゲイン補正を行うことで、科学CMOSセンサーのエネルギー解像度を大幅に向上させることができると示した。理論的限界に近い解像度を実現することで、科学CMOSセンサーがX線天文観測に非常に効果的であることも示している。今後の研究では、単一ピクセルイベントだけでなく、すべてのタイプのイベントでの性能を探ることで、さらに改善と検証を進めるつもりだ。

CMOS技術の進歩は、X線天文学におけるデータ収集の新しい道を開く。私たちが開発した方法で、宇宙の正確な観測に貢献し、科学者たちが宇宙の謎を解く手助けができることを願っている。

オリジナルソース

タイトル: Improving the X-ray energy resolution of a scientific CMOS detector by pixel-level gain correction

概要: Scientific Complementary Metal Oxide Semiconductor (sCMOS) sensors are finding increasingly more applications in astronomical observations, thanks to their advantages over charge-coupled devices (CCDs) such as a higher readout frame rate, higher radiation tolerance, and higher working temperature. In this work, we investigate the performance at the individual pixel level of a large-format sCMOS sensor, GSENSE1516BSI, which has 4096 * 4096 pixels, each of 15 {\mu}m in size. To achieve this, three areas on the sCMOS sensor, each consisting of 99 * 99 pixels, are chosen for the experiment. The readout noise, conversion gain and energy resolutions of the individual pixels in these areas are measured from a large number (more than 25,000) of X-ray events accumulated for each of the pixels through long time exposures. The energy resolution of these pixels can reach 140 eV at 6.4 keV at room temperature and shows a significant positive correlation with the readout noise. The accurate gain can also be derived individually for each of the pixels from its X-ray spectrum obtained. Variations of the gain values are found at a level of 0.56% statistically among the 30 thousand pixels in the areas studied. With the gain of each pixel determined accurately, a precise gain correction is performed pixel by pixel in these areas, in contrast to the standardized ensemble gain used in the conventional method. In this way, we could almost completely eliminate the degradation of energy resolutions caused by gain variations among pixels. As a result, the energy resolution at room temperature can be significantly improved to 124.6 eV at 4.5 keV and 140.7 eV at 6.4 keV. This pixel-by-pixel gain correction method can be applied to all kinds of CMOS sensors, and is expected to find interesting applications in X-ray spectroscopic observations in the future.

著者: Qinyu Wu, Zhixing Ling, Xinyang Wang, Chen Zhang, Weimin Yuan, Shuang-Nan Zhang

最終更新: 2023-03-02 00:00:00

言語: English

ソースURL: https://arxiv.org/abs/2303.01027

ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2303.01027

ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。

オープンアクセスの相互運用性を利用させていただいた arxiv に感謝します。

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