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# Física# Ciência dos materiais

Endereçando o Ruído de Carga em Qubits de Spin para Computação Quântica

Essa pesquisa foca em reduzir o ruído de carga em qubits de spin de silício e germânio.

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A computação quântica promete muito para o futuro da tecnologia, e uma das áreas mais legais é o uso de Qubits de spin. Esses qubits usam o spin de elétrons em materiais como silício (Si) e germânio (Ge). Eles têm um desempenho excelente em termos de tempos de coerência, que é o tempo que conseguem manter seu estado quântico sem perder informação. Mas ainda tem um grande desafio: o Ruído de Carga. Esse ruído pode atrapalhar a eficácia dos qubits, então é essencial identificar e resolver as fontes dessas flutuações.

Ruído de Carga em Qubits de Spin

Ruído de carga se refere a flutuações indesejadas na carga elétrica dentro de um material, que podem desestabilizar o desempenho dos qubits. No caso dos qubits de spin baseados em pontos quânticos, essas flutuações vêm principalmente de defeitos nos materiais usados, especialmente ligações soltas. Uma ligação solta acontece quando um átomo em um sólido não tem um número completo de ligações, tornando-o instável e propenso a interagir com cargas. Entender de onde vêm esses defeitos é crucial pra melhorar a estabilidade e a confiabilidade dos pontos quânticos.

Investigando Defeitos

Pra investigar as fontes de ruído de carga, os pesquisadores se concentraram nas ligações soltas em silício e germânio. Usando técnicas computacionais avançadas, é possível estudar como essas ligações se comportam em diferentes ambientes. Essa abordagem analisa o papel de fatores locais e globais na determinação do comportamento desses defeitos.

O Papel do Ambiente

O ambiente ao redor de um defeito influencia muito o seu comportamento. Por exemplo, silício e germânio podem formar Ligas, e a composição local dessas ligas pode impactar como os defeitos se comportam. Uma liga é uma mistura de dois ou mais elementos que muitas vezes resulta em propriedades melhores do que os elementos individuais. No nosso estudo, olhamos como as variações no ambiente local, como a presença de outros átomos, poderiam mudar os níveis de defeitos associados às ligações soltas.

Tensão e Oxidação

Outro fator que pode influenciar o ruído de carga é a tensão no material. Tensão ocorre quando um material é deformado, o que pode mudar como os átomos estão dispostos e afetar a estabilidade das ligações soltas. Isso é especialmente relevante em estruturas onde silício é intercalado entre camadas de germânio. A interface entre esses diferentes materiais pode criar defeitos adicionais.

A oxidação também é importante, já que pode levar à formação de camadas de óxido que introduzem seu próprio conjunto de defeitos. Essas camadas de óxido podem interagir com o silício ou germânio subjacente, resultando em mais ruído de carga. Analisar os efeitos combinados da tensão e oxidação sobre o ruído de carga pode dar pistas de como mitigar esses problemas.

Caracterizando Defeitos

Na nossa pesquisa, caracterizamos vários tipos de defeitos de ligações soltas em silício e germânio. Descobrimos que certas configurações desses defeitos eram mais problemáticas do que outras. Por exemplo, ligações soltas de germânio foram identificadas como particularmente preocupantes devido à sua tendência de prender cargas. Isso pode levar a flutuações nos estados quânticos dos qubits de spin.

Arquiteturas de Qubits

As arquiteturas de pontos quânticos baseadas em silício são preferidas por suas longas vezes de coerência e métodos de fabricação já estabelecidos. Os pontos quânticos são partículas semicondutoras minúsculas que podem confinar elétrons em três dimensões. Esse confinamento pode melhorar o desempenho dos qubits, tornando-os mais confiáveis. Normalmente, a fabricação desses dispositivos envolve o uso de portas padronizadas em camadas de silício e óxido de silício, que podem ser ainda mais otimizadas através de purificação isotópica.

Fidelidades de Porta

A fidelidade de porta se refere à precisão das operações realizadas nos qubits. Alta fidelidade de porta é crucial para o sucesso da computação quântica, pois impacta diretamente nas taxas de erro do sistema. Pesquisas mostraram que dispositivos quânticos à base de silício podem alcançar fidelidades de porta de um único qubit superiores a 99,9%. Isso significa que as operações realizadas nos qubits são muito precisas, o que é essencial para escalar para sistemas de computação quântica maiores.

Mecanismos de Ruído de Carga

Entender os mecanismos por trás do ruído de carga é essencial quando se busca melhorar o desempenho dos qubits. Armadilhas de carga, que são defeitos que podem capturar e reter cargas, são consideradas uma grande fonte desse ruído. As localizações dessas armadilhas, especialmente próximas às interfaces dos materiais, podem levar a níveis aumentados de flutuações de carga.

Cálculos de Primeira Princípios

Pra entender melhor esses mecanismos, os pesquisadores usaram cálculos de primeira princípios. Esses cálculos ajudam a prever como os defeitos se comportam em várias condições, como diferentes composições de materiais e ambientes locais. Simulando essas condições, é possível identificar quais configurações levam a um maior ruído de carga.

Resultados e Implicações

Os achados mostram uma relação clara entre o tipo de defeitos de ligações soltas e o nível de ruído de carga que eles produzem. Para silício e germânio, a pesquisa identificou que as ligações soltas de germânio têm mais chances de causar interrupções no desempenho do qubit. Isso é especialmente preocupante em materiais onde a composição pode variar.

Importância da Homogeneidade da Liga

Os resultados destacam a importância de usar ligas homogêneas na fabricação de pontos quânticos. A homogeneidade da liga pode reduzir o número de defeitos e minimizar o ruído de carga. Sugere que estratégias como a passivação, que envolve revestir defeitos para estabilizá-los, poderiam ser eficazes em melhorar o desempenho dos pontos quânticos à base de silício.

Considerações sobre Arquitetura de Dispositivos

Ao projetar dispositivos de pontos quânticos, é crucial considerar como diferentes camadas interagem entre si. Em arquiteturas onde o silício está intercalado com germânio, as propriedades de cada camada devem ser bem compreendidas. A escolha dos materiais e suas disposições podem impactar significativamente o desempenho de todo o sistema.

Métodos Computacionais

A pesquisa utilizou teoria do funcional de densidade (DFT) com métodos computacionais avançados. Essa técnica permite que os pesquisadores modelem com precisão as propriedades dos materiais em nível atômico, fornecendo informações sobre como os defeitos se comportam em vários ambientes. Ao calcular as configurações eletrônicas dos materiais, é possível coletar informações valiosas para entender o ruído de carga.

Resumo dos Achados

A investigação das ligações soltas revelou insights significativos sobre as fontes de ruído de carga em pontos quânticos de silício e germânio. A pesquisa identificou que os defeitos nesses materiais podem influenciar muito a coerência e a fidelidade dos qubits. Além disso, ficou claro que tanto os ambientes químicos locais quanto as propriedades globais dos materiais são críticos para entender como o ruído de carga surge.

Direções Futuras de Pesquisa

Daqui pra frente, é essencial focar em métodos para mitigar o ruído de carga em dispositivos de pontos quânticos. Isso pode incluir melhorar técnicas de síntese de materiais para alcançar uma melhor homogeneidade de liga ou desenvolver novos métodos de passivação para estabilizar ligações soltas. Mais pesquisas são necessárias para explorar melhor a interação entre defeitos e seus ambientes pra melhorar o desempenho dos sistemas de computação quântica baseados em spin.

Conclusão

O ruído de carga continua sendo um grande obstáculo no avanço dos qubits de pontos quânticos à base de silício. Ao identificar as fontes de flutuações de carga, especialmente em relação às ligações soltas em silício e germânio, os pesquisadores podem trabalhar no desenvolvimento de estratégias para melhorar a confiabilidade das tecnologias de computação quântica. Os achados de estudos recentes fornecem uma base pra trabalhos futuros visando aumentar o desempenho dos qubits e, no fim das contas, expandir os limites da tecnologia quântica.

Fonte original

Título: Dangling bonds as possible contributors to charge noise in silicon and silicon-germanium quantum dot qubits

Resumo: Spin qubits based on Si and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ quantum dot architectures exhibit among the best coherence times of competing quantum computing technologies, yet they still suffer from charge noise that limit their qubit gate fidelities. Identifying the origins of these charge fluctuations is therefore a critical step toward improving Si quantum-dot-based qubits. Here we use hybrid functional calculations to investigate possible atomistic sources of charge noise, focusing on charge trapping at Si and Ge dangling bonds (DBs). We evaluate the role of global and local environment in the defect levels associated with DBs in Si, Ge, and \sige alloys, and consider their trapping and excitation energies within the framework of configuration coordinate diagrams. We additionally consider the influence of strain and oxidation in charge-trapping energetics by analyzing Si and Ge$_{\rm Si}$ DBs in SiO$_2$ and strained Si layers in typical \sige quantum dot heterostructures. Our results identify that Ge dangling bonds are more problematic charge-trapping centers both in typical \sige alloys and associated oxidation layers, and they may be exacerbated by compositional inhomogeneities. These results suggest the importance of alloy homogeneity and possible passivation schemes for DBs in Si-based quantum dot qubits and are of general relevance to mitigating possible trap levels in other Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-based metal-oxide-semiconductor stacks and related devices.

Autores: Joel B. Varley, Keith G. Ray, Vincenzo Lordi

Última atualização: 2023-06-09 00:00:00

Idioma: English

Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2306.06229

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2306.06229

Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Alterações: Este resumo foi elaborado com a assistência da AI e pode conter imprecisões. Para obter informações exactas, consulte os documentos originais ligados aqui.

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