Testando Sensores Avançados para Detecção de Partículas
Pesquisa sobre Sensores de Pixels Ativos Monolíticos Analógicos para melhorar as capacidades de detecção de partículas.
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Índice
- O que são Sensores de Pixel Ativo Monolítico?
- O Propósito dos Testes
- As Variantes de Design
- Protótipos e Condições de Teste
- Desenvolvimentos Anteriores
- Requisitos para Sistemas Futuros
- A Meta por Desempenho Aprimorado
- Visão Geral da Estrutura de Teste de Pixel Analógico (APTS)
- Características do Design
- Processamento de Sinal e Leitura
- Testes em Laboratório
- Forma do Sinal e Extração
- Níveis de Ruído e Seu Impacto
- Efeitos da Radiação no Desempenho
- Comparação de Diferentes Designs
- Medindo a Coleta de Carga
- Descobertas sobre a Eficiência de Detecção
- Resolução Espacial e Sua Importância
- Aplicações Futuras e Significado
- Resumo das Descobertas
- Conclusão
- Fonte original
- Ligações de referência
Esse artigo fala sobre os testes de um tipo avançado de sensor chamado Sensor de Pixel Ativo Monolítico Analógico (MAPS). Esses sensores são feitos usando um processo de fabricação especial e estão sendo desenvolvidos para uso na detecção de partículas, principalmente em experimentos de física de altas energias. A física de altas energias estuda partículas e suas interações, e esses sensores visam melhorar as capacidades de detecção para experimentos futuros.
O que são Sensores de Pixel Ativo Monolítico?
Sensores de Pixel Ativo Monolítico são um tipo de sensor de imagem que consegue detectar partículas. Eles têm uma grade de pixels minúsculos, cada um capaz de processar sinais individualmente. Isso permite uma melhor precisão e desempenho na medição de partículas. Os sensores específicos discutidos aqui foram construídos usando um processo CMOS de 65 nm, que é um método de fabricação desses sensores com partes muito pequenas.
O Propósito dos Testes
O principal objetivo dos testes era descobrir como esses sensores se comportam em diferentes condições. Os testes buscavam entender como os sensores reagem a diferentes níveis de radiação, o que é crucial para seu uso futuro na detecção de partículas. Além de testar os sensores, a pesquisa também visava melhorar seu design para uma detecção de partículas mais eficaz.
As Variantes de Design
Várias variantes do sensor foram criadas para testes. Cada variante diferia em certos aspectos, como níveis de dopagem (que se refere à adição de impurezas para melhorar a condutividade), formas e tamanhos dos pixels. Os pixels foram projetados para ter pitches (espaçamento entre pixels) variando de 10 a 25 micrômetros. Cada variante foi exposta a diferentes níveis de radiação para ver como se saíram.
Protótipos e Condições de Teste
Os protótipos testados apresentavam uma grade de 44 pixels. O teste tinha o objetivo de estudar como esses pixels coletavam cargas, o que é importante para detectar partículas. Esses testes usaram fontes de raios-X e feixes de partículas para avaliação. Os resultados ajudam a ajustar os designs dos sensores para futuras aplicações na detecção de partículas.
Desenvolvimentos Anteriores
O uso da tecnologia de imagem CMOS para sensores de partículas tem sido bem-sucedido em esforços passados, como os sensores STAR PIXEL e ALICE ITS2. Motivados por esses sucessos, os pesquisadores começaram a explorar o uso do processo CMOS de 65 nm para detectores de partículas de próxima geração. Espera-se que esse processo ajude a desenvolver sistemas de rastreamento para experimentos futuros.
Requisitos para Sistemas Futuros
Aplicações futuras, como a atualização do Sistema de Rastreamento Interno do ALICE, exigem que os sensores alcancem altos níveis de desempenho. Isso inclui uma Resolução Espacial menor que 5 micrômetros e uma eficiência de detecção de partículas acima de 99% após exposição a níveis significativos de radiação. Essas especificações são cruciais para que os sensores funcionem adequadamente em experimentos de física de altas energias.
A Meta por Desempenho Aprimorado
A pesquisa focou em criar designs de sensores que pudessem atender ou superar esses requisitos. Cada variante de design foi testada minuciosamente contra essas especificações, garantindo que conseguissem tolerar radiação sem perda significativa de desempenho. Com o aumento dos níveis de radiação, manter a eficiência do sensor se torna mais desafiador, por isso o design e os testes cuidadosos são cruciais.
Visão Geral da Estrutura de Teste de Pixel Analógico (APTS)
O APTS é um pequeno chip protótipo medindo 1,5 mm por 1,5 mm. Esse chip contém uma grade de 44 pixels, com cada pixel projetado para emitir seus sinais individualmente. Esse design ajuda a reunir informações detalhadas sobre como o sensor se comporta ao longo do tempo. O chip pode operar com diferentes tensões reversas, que influenciam seu desempenho.
Características do Design
O APTS foi criado com várias configurações para entender como as mudanças afetam o desempenho. Por exemplo, alguns designs tinham uma configuração padrão, enquanto outros foram modificados com diferentes níveis de dopagem e arranjos de lacunas. Essas mudanças visavam melhorar a eficiência de coleta de carga, um aspecto essencial para uma detecção de partículas eficaz.
Processamento de Sinal e Leitura
Cada pixel no APTS vem com um circuito de processamento de sinal para lidar com a saída. Quando uma partícula interage com o sensor, ela gera uma carga que precisa ser coletada e medida. O sistema de leitura é projetado para capturar esses sinais com precisão, garantindo que os dados coletados sejam confiáveis e significativos.
Testes em Laboratório
Os sensores foram operados através de um sistema de teste personalizado que monitorava seu desempenho sob condições controladas. Esse sistema forneceu dados sobre como os sensores reagiam a diferentes cargas de entrada. Os resultados indicaram quão bem os sensores poderiam se sair em cenários da vida real, abrindo caminho para mais melhorias.
Forma do Sinal e Extração
Durante os testes, os sinais de saída dos pixels foram registrados. Os sinais mostraram variações com base na quantidade de carga injetada no sensor. Entender essas formas de sinal é crucial para determinar quão precisamente os sensores podem medir partículas e quão rapidamente podem responder.
Níveis de Ruído e Seu Impacto
Ruído é um fator importante que afeta o desempenho do sensor. Os testes mediram as flutuações de linha de base nos sinais para avaliar os níveis de ruído. Níveis de ruído mais altos podem prejudicar a capacidade do sensor de detectar partículas com precisão, então minimizar o ruído é essencial para manter o desempenho.
Efeitos da Radiação no Desempenho
Os sensores foram submetidos a vários níveis de radiação para entender como se comportam em condições adversas. À medida que a exposição à radiação aumenta, os sensores podem desenvolver correntes de fuga mais altas, o que pode afetar sua eficiência. O teste visava descobrir como os sensores poderiam ser otimizados para suportar essas condições enquanto ainda operam de forma eficaz.
Comparação de Diferentes Designs
Entre os diferentes designs, os pesquisadores compararam métricas de desempenho, como eficiência de coleta de carga e resolução de energia. Os testes revelaram que alguns designs ofereciam melhor desempenho, levando a uma compreensão mais profunda de como as modificações nos sensores podem aumentar a eficiência.
Medindo a Coleta de Carga
Para avaliar o desempenho dos sensores, uma série de testes foi realizada usando uma fonte radioativa. Os sinais dos sensores foram analisados para avaliar quão efetivamente eles poderiam coletar carga. Essa avaliação foi vital para determinar quão bem cada variante de design se saiu em relação a benchmarks estabelecidos.
Descobertas sobre a Eficiência de Detecção
Um dos parâmetros críticos analisados foi a eficiência de detecção de cada design. Essa métrica mede quão bem os sensores conseguem capturar partículas que chegam. Os resultados mostraram que os designs modificados alcançaram uma eficiência de detecção maior do que os designs padrão.
Resolução Espacial e Sua Importância
A resolução espacial é outro fator crítico que indica quão precisamente os sensores podem identificar a localização de uma interação de partículas. Os testes demonstraram que certos designs proporcionaram uma resolução espacial superior, o que é fundamental para o rastreamento preciso de partículas em experimentos.
Aplicações Futuras e Significado
Os resultados desses testes são significativos para futuros experimentos de física de altas energias. Os avanços no design e no desempenho dos sensores têm implicações sobre como os detectores de partículas serão moldados. Com resultados bem-sucedidos desses estudos, os pesquisadores estão otimistas em aplicar essa tecnologia em experimentos futuros.
Resumo das Descobertas
A pesquisa forneceu uma visão geral do desempenho de diferentes designs de sensores. O design modificado com lacunas mostrou uma eficiência notável de coleta de carga e redução da compartilhamento de carga, resultando em uma maior relação sinal-ruído. Esse desempenho se traduz em melhores margens operacionais e é crítico para os detectores de alta energia que estão por vir.
Conclusão
Em conclusão, o desenvolvimento e teste dos Sensores de Pixel Ativo Monolítico Analógico usando o processo CMOS de 65 nm representam um avanço significativo na tecnologia de detecção de partículas. Os resultados da pesquisa indicam um potencial promissor para esses sensores atenderem aos rigorosos requisitos dos futuros experimentos de física de altas energias. O aprimoramento contínuo dos designs dos sensores aumentará ainda mais suas capacidades, abrindo caminho para estudos mais sofisticados das partículas fundamentais que compõem nosso universo.
Título: Characterisation of analogue Monolithic Active Pixel Sensor test structures implemented in a 65 nm CMOS imaging process
Resumo: Analogue test structures were fabricated using the Tower Partners Semiconductor Co. CMOS 65 nm ISC process. The purpose was to characterise and qualify this process and to optimise the sensor for the next generation of Monolithic Active Pixels Sensors for high-energy physics. The technology was explored in several variants which differed by: doping levels, pixel geometries and pixel pitches (10-25 $\mu$m). These variants have been tested following exposure to varying levels of irradiation up to 3 MGy and $10^{16}$ 1 MeV n$_\text{eq}$ cm$^{-2}$. Here the results from prototypes that feature direct analogue output of a 4$\times$4 pixel matrix are reported, allowing the systematic and detailed study of charge collection properties. Measurements were taken both using $^{55}$Fe X-ray sources and in beam tests using minimum ionizing particles. The results not only demonstrate the feasibility of using this technology for particle detection but also serve as a reference for future applications and optimisations.
Autores: Gianluca Aglieri Rinella, Giacomo Alocco, Matias Antonelli, Roberto Baccomi, Stefania Maria Beole, Mihail Bogdan Blidaru, Bent Benedikt Buttwill, Eric Buschmann, Paolo Camerini, Francesca Carnesecchi, Marielle Chartier, Yongjun Choi, Manuel Colocci, Giacomo Contin, Dominik Dannheim, Daniele De Gruttola, Manuel Del Rio Viera, Andrea Dubla, Antonello di Mauro, Maurice Calvin Donner, Gregor Hieronymus Eberwein, Jan Egger, Laura Fabbietti, Finn Feindt, Kunal Gautam, Roman Gernhaeuser, James Julian Glover, Laura Gonella, Karl Gran Grodaas, Ingrid-Maria Gregor, Hartmut Hillemanns, Lennart Huth, Armin Ilg, Artem Isakov, Daniel Matthew Jones, Antoine Junique, Jetnipit Kaewjai, Markus Keil, Jiyoung Kim, Alex Kluge, Chinorat Kobdaj, Artem Kotliarov, Kritsada Kittimanapun, Filip Křížek, Gabriela Kucharska, Svetlana Kushpil, Paola La Rocca, Natthawut Laojamnongwong, Lukas Lautner, Roy Crawford Lemmon, Corentin Lemoine, Long Li, Francesco Librizzi, Jian Liu, Anna Macchiolo, Magnus Mager, Davide Marras, Paolo Martinengo, Silvia Masciocchi, Serena Mattiazzo, Marius Wilm Menzel, Alice Mulliri, Mia Rose Mylne, Francesco Piro, Alexandre Rachevski, Marika Rasà, Karoliina Rebane, Felix Reidt, Riccardo Ricci, Sara Ruiz Daza, Gaspare Saccà, Isabella Sanna, Valerio Sarritzu, Judith Schlaadt, David Schledewitz, Gilda Scioli, Serhiy Senyukov, Adriana Simancas, Walter Snoeys, Simon Spannagel, Miljenko Šuljić, Alessandro Sturniolo, Nicolas Tiltmann, Antonio Trifirò, Gianluca Usai, Tomas Vanat, Jacob Bastiaan Van Beelen, Laszlo Varga, Michele Verdoglia, Gianpiero Vignola, Anna Villani, Haakan Wennloef, Jonathan Witte, Rebekka Bettina Wittwer
Última atualização: 2024-03-13 00:00:00
Idioma: English
Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2403.08952
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2403.08952
Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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