シリコンナイトライド集積フォトニクス:新しいフロンティア
シリコンナイトライド技術の進歩が、集積フォトニクス製造を変えてるよ。
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目次
統合フォトニクスの分野は急速に進化してて、特にシリコンナイトラードを使ったものが注目されてる。これって従来のシリコンやIII-V半導体と比べて、光損失がすごく低いんだよね。シリコンナイトラードのフォトニック集積回路(PIC)が、実験室から実際の製造プロセスに移行し始めてるのが見えてきた。この移行は、データセンターを含む現代の技術で、より速くて効率的なデータ接続を築くのに重要なんだ。
光損失が低いことの重要性
光損失が低いのは光デバイスにとってめっちゃ大事で、通信システムの性能に直結するからね。シリコンナイトラードは、シリコンや従来のIII-V材料よりも良い選択肢を提供してる。この利点がフォトニクスの大きなイノベーションにつながって、超低ノイズレベルのレーザーをチップ上で作れるようになったんだ。
スケールアップの課題
シリコンナイトラードのPICを作るのは大分進展してるけど、製造プロセスはまだ小さなウェハ(4インチ以下)でしかうまくいってない。通常6インチ以上のウェハを使う製造ラインで広く使うには、いくつかのハードルが残ってるんだ。これを乗り越えるためには、新しい製造プロセスが必要だね。
製造プロセスの成果
最近の進展で、シリコンナイトラードのPICを6インチウェハで成功裏に製造するプロセスが示されたんだ。光損失率は2.6 dB/mという印象的な数字で、特に小さくて密に詰まったコンポーネントが必要な技術にとって、実用的な応用に向けての大きな一歩になったよ。
新プロセスのメリット
この新しいプロセスは、シリコンナイトラードの材料内での光の厳密な閉じ込めを強調しながら、低損失を維持してる。この組み合わせで、テレコミュニケーションやデータ処理のさまざまなアプリケーションに重要なソリトン周波数コムが生成できるようになったんだ。
フォトニックデバイスの性能向上
統合フォトニクスのおかげで、チップ上で光信号を扱えるようになった。これはもう高速通信で広く採用されてて、大量生産と迅速なプロトタイピングを可能にしてる。高い歩留まり、効率、低コストの組み合わせで、シリコンナイトラードは統合フォトニック回路には魅力的な選択肢だね。
フォトニックプラットフォームの比較
統合フォトニクスで一般的な材料はシリコンとインジウムリン。どちらにも強みがあるけど、高い線形損失と非線形損失に関しては限界がある。けど、シリコンナイトラードは損失が少なくて、フォトニックアプリケーションでの性能を高める独自の特性を持ってるんだ。
シリコンナイトラードの独自特性
シリコンナイトラードは高いバンドギャップを持ってて、紫外線から近赤外線まで幅広い波長にわたって透明なんだ。この特性は、他の材料に存在する特定の損失メカニズムを避けるのに特に有益。さらに、シリコンナイトラードにはさまざまなフォトニックアプリケーションに役立つ特別な非線形性もあるから、フィールドでのリーディングチョイスになってる。
最適条件の達成
効果的な光伝達のためには、厳密な光の閉じ込めが重要。シリコンナイトラードのウェーブガイドは、十分な厚さと適切な材料特性でこれを達成できるんだ。厚さと屈折率のバランスが、小さなモードボリュームとタイトな曲げ半径を可能にしてる。
高度な製造技術の役割
現在の製造技術、特にCMOS(相補型金属酸化膜半導体)プラクティスは、シリコンナイトラードのPICを生産するための基準を確立してる。でも、低光損失と必要な厚さを確保しつつ欠陥を導入しないのは、チャレンジだったんだ。
研究結果
最近の研究では、適切な技術を使うことでシリコンナイトラードのPICが厚さと光損失の両方で大きな改善を達成できることが示された。さまざまなアプリケーションでうまく機能するデバイスを生産しながら、製造の信頼性を保証するのが目標なんだ。
製造プロセスのステップ
シリコンナイトラードのPICの新しい製造プロセスは、いくつかのステップを含んでる。まず、基板にシリコンナイトラードのフィルムを堆積させるんだ。その後、紫外線リソグラフィーを使って希望のパターンを作成。次に、さまざまなエッチング技術でウェーブガイドを彫り、不要な材料を取り除き光学品質を向上させるための熱処理を行う。
製造における品質管理
品質保証は、シリコンナイトラードのコンポーネントが性能基準を満たすのを確保する上で重要な役割を果たす。研究者たちは、各デバイスが仕様を満たすか確認するためにさまざまな指標を追跡し、ウェハ全体での一貫性に焦点を当ててる。
シリコンナイトラードPICのアプリケーション
シリコンナイトラード技術の進展は、さまざまな分野での実用的なアプリケーションにつながってる。これには、効率的な信号伝送が重要なテレコミュニケーションや、正確な光制御に大きく依存する量子技術が含まれる。
ソリトンマイクロコーム生成
シリコンナイトラードPICの一つのエキサイティングなアプリケーションは、ソリトンマイクロコームの生成だ。ソリトンマイクロコームは、安定した一連の光パルスで、周波数計測やテレコミュニケーションに使える。ここで、実用的な使用のために低電力しきい値を達成する能力が必要なんだ。
ソリトン生成のための実験設定
ソリトンを生成するには、特定の実験設定が必要だ。レーザー、モジュレーター、さまざまな光学機器を使って、生成されたソリトンマイクロコームの特性を作り出し、測定するんだ。
ソリトンの特性評価
ソリトンマイクロコームの特性は、スペクトル特性を観察し、ポンピングパワーや共鳴条件などの異なるパラメータに応じてどのように変化するかで評価される。詳細な測定が、ソリトンマイクロコームがどれだけ機能しているかを明らかにする。
研究の未来の方向性
大きな進展があったけど、シリコンナイトラード統合フォトニクスの研究はまだ続いてるよ。製造における均一性や歩留まり率を改善すること、そしてこれらの革新的な光デバイスのアプリケーション範囲を広げることへの強い関心があるんだ。
結論
シリコンナイトラードのフォトニック集積回路が研究から製造に移行するのは、高度なフォトニクス技術の発展において重要なステップだよ。製造プロセスの改善が続く中で、シリコンナイトラードの独自の特性と相まって、テレコミュニケーションや量子コンピューティングなどのアプリケーションの未来は明るいね。
この分野の探求を続ければ、新しい可能性やアプリケーションが明らかになって、シリコンナイトラードが統合フォトニクスの世界でリーディングマテリアルとしての地位を固めることが約束されてるんだ。
タイトル: Foundry manufacturing of tight-confinement, dispersion-engineered, ultralow-loss silicon nitride photonic integrated circuit
概要: The foundry development of integrated photonics has revolutionized today's optical interconnect and datacenters. Over the last decade, we have witnessed the rising of silicon nitride (Si$_3$N$_4$) integrated photonics, which is currently transferring from laboratory research to foundry manufacturing. The development and transition are triggered by the ultimate need of low optical loss offered by Si$_3$N$_4$, which is beyond the reach of silicon and III-V semiconductors. Combined with modest Kerr nonlinearity, tight optical confinement and dispersion engineering, Si$_3$N$_4$ has today become the leading platform for linear and Kerr nonlinear photonics, and has enabled chip-scale lasers featuring ultralow noise on par with table-top fiber lasers. However, so far all the reported fabrication processes of tight-confinement, dispersion-engineered Si$_3$N$_4$ photonic integrated circuit (PIC) with optical loss down to few dB/m have only been developed on 4-inch or smaller wafers. Yet, to transfer these processes to established CMOS foundries that typically operate 6-inch or even larger wafers, challenges remain. In this work, we demonstrate the first foundry-standard fabrication process of Si$_3$N$_4$ PIC with only 2.6 dB/m loss, thickness above 800 nm, and near 100% fabrication yield on 6-inch wafers. Such thick and ultralow-loss Si$_3$N$_4$ PIC enables low-threshold generation of soliton frequency combs. Merging with advanced heterogeneous integration, active ultralow-loss Si$_3$N$_4$ integrated photonics could pave an avenue to addressing future demands in our increasingly information-driven society.
著者: Zhichao Ye, Haiyan Jia, Zhangjun Huang, Chen Shen, Jinbao Long, Baoqi Shi, Yi-Han Luo, Lan Gao, Wei Sun, Hairun Guo, Jijun He, Junqiu Liu
最終更新: 2023-03-08 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2303.05004
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2303.05004
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
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