窒化ガリウムの偏光非依存デバイスにおける役割
研究者たちが多様な光管理に向けた効率的なGaNデバイスを開発した。
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目次
ガリウムナイトライド(GAN)は、フォトニクス分野で注目を集めている材料だよ。光を自由に通す能力や、大きな表面上に高品質な薄膜を作る可能性があることで知られています。GaNのバンドギャップは約3.4 eVで、紫外線(UV)光を使ったアプリケーション、例えばUVフォトディテクタや発光ダイオード(LED)に適しているんだ。
偏光依存しないグレーティングカップラー
GaNを使った進展の一つは、光の偏光に依存しないデバイスの作成だよ。偏光は光波が振動する方向のこと。どんな偏光の光でも扱えるデバイスは、もっと多用途で使いやすいんだ。
この研究では、研究者たちがグレーティングカップラーというデバイスを作ったよ。これは光を効率的に導波路に導くタイプのデバイスなんだ。カップリング効率はカップラーごとに-5.2 dBを達成したんだ。さらに、これらのカップラーがどれだけの帯域幅を扱えるかを測定したところ、1 dB帯域幅が40 nm、3 dB帯域幅が80 nmだったよ。
導波路とリング共振器
グレーティングカップラーだけでなく、チームはシングルモード導波路にも注目したんだ。これは光を非常に正確に導く構造なんだ。研究者たちは、彼らの導波路の損失が-6 dB/cmで、これはGaNデバイスとしてはかなり低いことを発見したよ。
研究にはリング共振器も含まれていて、これは特定の光周波数を増強する円形のデバイスなんだ。これらの共振器は、光信号を微細に制御する必要があるアプリケーションにとって重要なんだ。
GaN成長技術
これらのデバイスを作るために、研究者たちはサファイアを基材としてGaN層を成長させたんだ。サファイアとGaNの間にアルミナイトライド(AlN)層を置いて、成長プロセスを助けたんだ。この層は、二つの材料のミスマッチを減らして、より良質なGaNフィルムを形成するのを助けるんだ。
金属有機化学蒸着法(MOCVD)というプロセスを使って、チームはAlNとGaNの層を慎重に成長させたんだ。最初のAlN層は500 nmに設定され、その後GaNを二段階で堆積して、粗さと欠陥を最小化することを目指したよ。
デバイスデザインプロセス
GaNフィルムの成長に成功した後、研究者たちは実際のフォトニクスデバイスの設計に移ったんだ。光を効率的に導波路内で閉じ込めて導くために、多くの努力をしたよ。導波路の幅や高さなど、さまざまなパラメータを分析して性能を最適化したんだ。
特殊なソフトウェアを使って、異なる寸法で導波路がどのように動作するかのシミュレーションを行ったよ。これにより、光の二つの主要な伝播モード、TE(横電気波)とTM(横磁気波)を強化するための調整が行われたんだ。
グレーティングカップラーの最適化
チームはグレーティングカップラーの最適化にも注力したんだ。光を導波路にカップリングするための異なる方法、エッジカップリングとグレーティングカップリングを比較したよ。グレーティングカップラーは、複雑なアライメントなしで光を導波路に導くための簡単で効率的な方法を提供するんだ。
グレーティングカップラーの効率を向上させるために、研究者たちはGaNの上にシリコンをオーバーレイ材料として使用したんだ。これにより屈折率のコントラストが増して、光のカップリングを増強するのに重要なんだ。グレーティングの高さや幅、周期性などのパラメータを調整することで、カップリング効率の大幅な改善を実現したんだ。
テストと製作
次のステップはデバイスの製作だったよ。プロセスは、GaNスタックに層を堆積することから始まり、次に電子ビームリソグラフィを使ってグレーティングや導波路のパターンを作ったんだ。異なる光の挙動を研究するために、導波路やリング共振器などさまざまなテストデバイスが作成されたよ。
製作後、チームは高度なイメージング技術を使ってデバイスを調べたんだ。製作プロセスの複雑さから寸法にいくつかの変動があったけど、基本的な特性はしっかりと残っていたよ。
デバイスの特性評価
デバイスが製作された後、研究者たちは性能を測定するためのテストを行ったんだ。グレーティングカップラーの効率や導波路の全体損失を見たよ。グレーティングのカップリング効率が-5.2 dBで、導波路の損失は約6.26 dB/cmであることを確認したんだ。
さらに、研究者たちはマイクロリング共振器の性能も評価したよ。リング共振器に蓄えられたエネルギーには特定の特徴があって、偏光に依存しないで動作する能力を確認したんだ。
まとめと今後の展望
まとめると、この研究はGaNが統合フォトニクスデバイスにどのように利用できるかを示す重要なステップだよ。光の偏光に影響されない効率的なグレーティングカップラーを作成できることは、テレコミュニケーションやセンシング技術など、さまざまなアプリケーションの扉を開くんだ。
研究結果は将来の作業の可能性も示していて、特に製造プロセスの改善とデバイス性能の向上に関して期待が持てるんだ。GaNフィルムの質を高めて、デザインをさらに最適化することで、研究者たちはGaNを高度なフォトニック回路に使う可能性を広げたいと考えているよ。
この技術は、統合回路における光管理のアプローチを変えることを約束していて、さらなる研究と開発にとってワクワクする分野なんだ。
タイトル: Polarization Independent Grating in GaN-on-Sapphire Photonic Integrated Circuit
概要: In this work, we report the realization of a polarization-insensitive grating coupler, single-mode waveguide, and ring resonator in the GaN-on-Sapphire platform. We provide a detailed demonstration of the material characterization, device simulation, and experimental results. We achieve a grating coupler efficiency of -5.2 dB/coupler with a 1dB and 3dB bandwidth of 40 nm and 80 nm, respectively. We measure a single-mode waveguide loss of -6 dB/cm. The losses measured here are the lowest in a GaN-on-Sapphire photonic circuit. This demonstration provides opportunities for the development of on-chip linear and non-linear optical processes using the GaN-on-Sapphire platform. To the best of our knowledge, this is the first demonstration of an integrated photonic device using a GaN HEMT stack with 2D electron gas.
著者: Suraj, Shashwat Rathkanthiwar, Srinivasan Raghavan, Shankar Kumar Selvaraja
最終更新: 2023-05-25 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2305.15900
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2305.15900
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
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