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# 物理学# 材料科学# メソスケールおよびナノスケール物理学# 超伝導# 量子物理学

量子回路における二重系欠陥の研究

新しい技術が量子コンピュータの性能に影響を与える欠陥を明らかにした。

M. Hegedüs, R. Banerjee, A. Hutcheson, T. Barker, S. Mahashabde, A. V. Danilov, S. E. Kubatkin, V. Antonov, S. E. de Graaf

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目次

超伝導量子回路は、非常に低温で計算を行えるデバイスだよ。これらの回路は、二レベル系欠陥(TLS)と呼ばれる微細な構造欠陥の影響を受けることがあるんだ。この欠陥はノイズや不安定さを引き起こして、回路の信頼性を下げちゃう。これらの欠陥を理解することは、量子コンピュータの性能を向上させるためにめっちゃ重要なんだ。

TLSって何?

TLSは、ガラスみたいに明確な構造を持たない材料に見られるんだ。低温では独特な振る舞いをするよ。研究者たちはこれらの欠陥がどこから来て、どう機能するのかを理解しようと頑張ってるんだけど、長年研究してもその正体はあんまりわかってないんだ。

なんでTLSを研究するの?

量子コンピューティング技術が進化するにつれて、TLSを研究する必要性が増してる。これらの欠陥は量子回路の性能に大きく影響するし、たった一つの欠陥でも大きな問題を引き起こすことがあるんだ。量子コンピュータが効果的に動作するためには、量子ビット(qubit)と呼ばれる部品が安定していて、コヒーレンスを維持する必要がある。だから、回路を使っている間にTLSを見つけて研究する新しい方法が必要なんだ。

TLS研究の課題

回路内のTLSを見つけたり、特定するのは難しいんだ。従来の方法では、欠陥があるときのqubitの振る舞いを観察して情報を得ることはできるけど、どこに欠陥があるのか、何でできているのかははっきりしないんだ。スキャンニングトンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡みたいな従来の技術では、表面を細かく見ることはできても、TLSのエネルギーレベルを簡単には測れないんだ。

新しい技術:スキャンニングゲート顕微鏡

スキャンニングゲート顕微鏡(SGM)という新しいアプローチが、TLS研究の課題に対処するために開発されたんだ。この方法は、非常に低温で動作している超伝導回路をリアルタイムで観察できて、個々のTLSの位置を特定できるんだ。SGMは通常のスキャン技術で使われる鋭い先端を使うけど、電場も測ることができるんだ。

実験の設定

この研究では、超伝導量子回路でSGMを行うために特別な設定が使われたんだ。先端は回路の上に保持され、表面を画像化したり、局所的な電場をかけたりできるんだ。これによって研究者は直接TLSのエネルギーレベルを調整できて、特定可能になるんだ。

どうやって動作する?

SGM技術を使うことで、研究者たちは回路内のTLSがどこにあるかを示す画像を作ることができるんだ。また、これらの欠陥の電気双極子モーメントの方向も推測できる。この情報は以前は簡単に得られなかったんだ。

研究の結果

この新しい技術を適用することで、研究者たちは回路が動作している間に個々のTLS欠陥を特定できたんだ。欠陥の位置や電気双極子モーメントを示す詳細な画像を作成できて、TLSの振る舞いや位置に関する理解が深まったんだ。

TLSの観察

一つの興味深い観察は、SGMによって生成された画像でTLS欠陥がリングのように見えることが多いってことなんだ。これらのリングの大きさや形は、先端からの電場の適用によって変わることがあるんだ。電圧を上げるとリングが縮むことが多くて、TLSの存在を示す証拠になるんだ。

発見の重要性

SGMから得られたデータと材料の構造情報を組み合わせることで、研究者たちはTLSの原因に近づくことができるんだ。これによって、これらの欠陥の悪影響を軽減するための戦略が生まれるかもしれないし、将来の量子回路にとってもプラスになるんだ。

発見の応用

実際の回路でTLS欠陥を特定できる能力は、超伝導量子コンピュータの質を向上させるために重要なんだ。この新しい方法は、より安定したqubitを作るための努力を助けるし、コヒーレンスを高めることができるんだ。さらに、TLSの特性を知ることで、エンジニアがより良い材料やデバイスを設計する手助けができるんだ。

今後の方向性

この研究は、この分野でのさらなる進展の可能性を示してるんだ。将来の実験では、これらの技術を使用してTLSに関するより深い洞察を提供できるかもしれない。電場を異なる方向にかけたり、改良された画像化方法を使ったりすることで、TLSに関するより包括的なデータを得られる可能性があるんだ。

結論

要するに、超伝導量子回路におけるTLSの研究は、スキャンニングゲート顕微鏡の発展によって大きな進展を遂げたんだ。この技術によって、研究者は回路が動作している間に直接TLS欠陥を観察して特徴づけることができるようになったんだ。これらの欠陥を特定して、その性質を理解する能力は、量子コンピューティングの未来にとって重要で、より信頼性が高く効果的な量子デバイスの道を開くんだ。この研究からの発見は、超伝導回路を改善し、実用的なアプリケーションでの性能を向上させるための努力に貢献することになるんだ。

オリジナルソース

タイトル: In-situ scanning gate imaging of individual two-level material defects in live superconducting quantum circuits

概要: The low temperature physics of structurally amorphous materials is governed by two-level system defects (TLS), the exact origin and nature of which remain elusive despite decades of study. Recent advances towards realising stable high-coherence platforms for quantum computing has increased the importance of studying TLS in solid-state quantum circuits, as they are a persistent source of decoherence and instability. Here we perform scanning gate microscopy on a live superconducting quantum circuit at millikelvin temperatures to locate individual TLS. Our method directly reveals the microscopic nature of TLS and is also capable of deducing the three dimensional orientation of individual TLS electric dipole moments. Such insights, when combined with structural information of the underlying materials, can help unravel the detailed microscopic nature and chemical origin of TLS, directing strategies for their eventual mitigation.

著者: M. Hegedüs, R. Banerjee, A. Hutcheson, T. Barker, S. Mahashabde, A. V. Danilov, S. E. Kubatkin, V. Antonov, S. E. de Graaf

最終更新: 2024-08-29 00:00:00

言語: English

ソースURL: https://arxiv.org/abs/2408.16660

ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2408.16660

ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/

変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。

オープンアクセスの相互運用性を利用させていただいた arxiv に感謝します。

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