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Sviluppi nelle Tecniche di Assicurazione dell'Hardware

Un nuovo metodo migliora la misurazione dello spessore del silicio nell'elettronica.

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L'assicurazione dell'hardware è fondamentale per l'elettronica, specialmente per garantire che i dispositivi non vengano manomessi. Questo è importante sia per il governo che per l'industria elettronica. I metodi tradizionali per garantire la sicurezza dell'hardware includono tecniche come l'ingegneria inversa (RE) e la scansione troiana (TS). Tuttavia, questi metodi richiedono spesso lavoro manuale e possono richiedere molto tempo, portando a una spinta verso l'automazione in questi settori.

Sfide nell'assicurazione dell'hardware

Quando si controlla la sicurezza dell'elettronica, ispezionare i componenti fisici è fondamentale. L'ingegneria inversa consente agli esperti di analizzare completamente un chip, aiutando a comprendere come funziona e a verificarne l'autenticità. Tuttavia, questo metodo può essere molto lento e richiedere molto lavoro. La scansione troiana è più veloce ma non fornisce informazioni approfondite su come funziona il chip.

Entrambi i metodi possono affrontare problemi a causa degli strati di materiali nei chip. Quando gli strati vengono rimossi, possono essere difficili da gestire se non hanno tutti lo stesso Spessore. Questo può rendere difficile garantire che il processo sia uniforme e accurato.

Importanza della misurazione dello spessore

Per affrontare potenziali problemi durante la rimozione degli strati, è essenziale misurare quanto sono spessi i diversi strati. La misurazione in tempo reale consente di apportare aggiustamenti necessari per mantenere un processo coerente. Il nostro metodo proposto mira a misurare lo spessore degli strati di silicio rimasti su un chip dopo che alcuni dei suoi componenti sono stati rimossi.

Utilizziamo una combinazione di imaging a tensione di fascio elettronico, elaborazione delle immagini e simulazioni al computer per misurare accuratamente questo spessore e garantire che gli strati possano essere rimossi in modo uniforme.

Flusso di lavoro per la misurazione dello spessore

Il flusso di lavoro per misurare lo spessore del silicio prevede diversi passaggi. Il primo passo è preparare il campione del chip per l'imaging. Questo include la rimozione del guscio esterno e l'esposizione del die di silicio per l'osservazione. Metodi come la lucidatura e l'incisione possono essere utilizzati a questo scopo.

Una volta che il die è visibile, il passo successivo è assottigliarlo ulteriormente per rivelare gli strati interni. Questo richiede tecniche precise per garantire che la superficie sia il più piatta possibile. Si può utilizzare una macchina progettata specificamente per l'ultrassottigliamento per raggiungere lo spessore desiderato, ma bisogna fare attenzione a non danneggiare i transistor sul chip.

Tecniche di imaging

Dopo aver raggiunto lo spessore corretto, il die viene immagazzinato utilizzando un microscopio specializzato. La scansione veloce è fondamentale per catturare abbastanza dettagli senza impiegare troppo tempo. La tecnica di imaging può variare in base alla tensione utilizzata, che influisce su quanto profondamente gli elettroni penetrano nel campione, aiutando a rivelare diversi strati.

Le immagini possono essere catturate utilizzando elettroni retrostanti, che aiutano a differenziare più efficacemente tra vari materiali e strati. Analizzando queste immagini, è possibile identificare le differenze nello spessore degli strati, portando alla creazione di una mappa di spessore per il chip.

Mappe di contorno e elaborazione delle immagini

Una volta raccolte le immagini, il passo successivo è elaborarle per creare mappe di contorno. Queste mappe evidenziano le aree con spessori simili, rendendo più facile aggiustare il processo di rimozione secondo necessità.

Per creare queste mappe di contorno, le immagini vengono ritagliate per concentrarsi su aree di interesse specifiche. Viene applicato un filtro per ridurre il rumore, seguito da un metodo chiamato segmentazione superpixel. Questa tecnica aiuta a identificare le diverse regioni di spessore in base al contrasto visibile nelle immagini.

Dopo ciò, i contorni vengono lisciati e corretti per eventuali rumori aggiuntivi, risultando in una rappresentazione più accurata dello spessore dell'intero chip.

Simulazione per la stima dello spessore

Oltre all'imaging, utilizziamo simulazioni al computer per stimare lo spessore in base alle interazioni del fascio elettronico con il silicio. Utilizzando programmi software consolidati, possiamo modellare come si comportano gli elettroni mentre penetrano nel materiale.

Le simulazioni forniscono preziose indicazioni su quanto profondamente possono andare gli elettroni, il che è cruciale per stimare lo spessore rimanente del silicio. La relazione tra la tensione utilizzata e la profondità di penetrazione è esplorata attraverso numerosi casi di test per migliorare l'accuratezza delle nostre misurazioni.

Validazione nel mondo reale

Per controllare l'accuratezza dei nostri metodi, abbiamo confrontato lo spessore stimato ottenuto dall'imaging e dalla simulazione con misurazioni reali effettuate utilizzando uno strumento commerciale. Questo processo di validazione è essenziale per garantire che il nostro approccio fornisca risultati affidabili. Raccogliendo dati reali sullo spessore, possiamo controllare visivamente l'efficacia dei nostri metodi.

I risultati della nostra validazione hanno mostrato coerenza con le nostre stime precedenti, confermando che le nostre tecniche misurano efficacemente il silicio rimanente sul chip.

Conclusione e direzioni future

Attraverso questo processo, abbiamo evidenziato che lo spessore del silicio su chip ultra-assottigliati è irregolare. Il nostro approccio combina imaging avanzato e simulazioni per comprendere e misurare meglio questo spessore. Per migliorare la nostra accuratezza, il lavoro futuro potrebbe coinvolgere la raccolta di più immagini e l'averle in media per una misurazione più precisa.

Mentre andiamo avanti, puntiamo ad ampliare l'uso dei nostri risultati per aggiustamenti in tempo reale nel processo di rimozione degli strati. L'obiettivo finale è creare un sistema completamente automatizzato per ispezionare l'elettronica che si adatta in tempo reale in base allo spessore degli strati presenti.

Affinando i nostri metodi, possiamo migliorare la sicurezza e l'affidabilità dei dispositivi elettronici, contribuendo all'integrità e alla sicurezza della tecnologia moderna.

Fonte originale

Titolo: In-Situ Thickness Measurement of Die Silicon Using Voltage Imaging for Hardware Assurance

Estratto: Hardware assurance of electronics is a challenging task and is of great interest to the government and the electronics industry. Physical inspection-based methods such as reverse engineering (RE) and Trojan scanning (TS) play an important role in hardware assurance. Therefore, there is a growing demand for automation in RE and TS. Many state-of-the-art physical inspection methods incorporate an iterative imaging and delayering workflow. In practice, uniform delayering can be challenging if the thickness of the initial layer of material is non-uniform. Moreover, this non-uniformity can reoccur at any stage during delayering and must be corrected. Therefore, it is critical to evaluate the thickness of the layers to be removed in a real-time fashion. Our proposed method uses electron beam voltage imaging, image processing, and Monte Carlo simulation to measure the thickness of remaining silicon to guide a uniform delayering process

Autori: Olivia P. Dizon-Paradis, Nitin Varshney, M Tanjidur Rahman, Michael Strizich, Haoting Shen, Navid Asadizanjani

Ultimo aggiornamento: 2023-07-24 00:00:00

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2307.13118

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2307.13118

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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