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Avanzamenti nell'estrazione dei parametri dei semiconduttori

Scoprire metodi efficienti per l'estrazione dei parametri dei modelli di semiconduttori.

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Nel mondo dell'elettronica, si parla molto di dispositivi a Semiconduttore. Questi sono i piccoli eroi che fanno funzionare il tuo smartphone, tengono acceso il tuo laptop e aiutano a portare la magia del Wi-Fi a casa tua. Ma prima che questi dispositivi possano mostrare le loro abilità, hanno bisogno di un buon Modello - un po' come gli atleti hanno bisogno di allenamento prima di scendere in campo.

Qual è il grande affare con i modelli a semiconduttore?

Pensa ai modelli a semiconduttore come a una ricetta. Proprio come una ricetta ha una lista di ingredienti che devono essere mescolati nel modo giusto, un modello a semiconduttore ha un insieme di parametri che descrivono come il dispositivo si comporterà in diverse condizioni. Gli ingegneri usano questi modelli per progettare circuiti e sistemi, aiutando a dare vita ai nostri gadget preferiti.

La sfida dell'estrazione dei parametri

Ora, qui diventa complicato. Estrarre questi parametri per i dispositivi moderni è un po' come cercare di cuocere il soufflé perfetto mentre si fa giocoleria. Ci vuole tempo, abilità e spesso porta a un paio di disastri culinari – o in questo caso, modelli inefficaci. Tradizionalmente, gli ingegneri prendevano un piccolo insieme di parametri e li modificavano per le diverse parti del funzionamento del dispositivo. Questo processo può richiedere giorni, se non settimane.

Immagina di cercare di montare mobili IKEA ma senza il manuale. Potresti essere fortunato, oppure potresti finire con una sedia che è anche un tavolino da caffè, e credimi, non è quello che vuoi!

Un modo migliore: Ottimizzazione senza derivati

Entra in gioco l’ottimizzazione senza derivati (DFO). Questo metodo è come avere un amico che è bravo a risolvere puzzle senza sbirciare nella scatola. La DFO permette agli ingegneri di capire quali sono i migliori parametri senza bisogno di tutti i gradienti o derivati, che possono essere difficili e richiedere tempo per essere raccolti. Pensala come riuscire a indovinare la risposta giusta a un test a scelta multipla senza dover conoscere tutta la matematica dietro.

Con la DFO, gli ingegneri possono raccogliere tutti questi parametri in una volta, invece di passare giorni al computer. Risparmia tempo e mantiene la sanità mentale di tutti!

Come facciamo funzionare tutto ciò?

Per assicurarci che il nostro processo DFO sia efficiente, abbiamo bisogno di una buona funzione di perdita – che in questo caso non si riferisce all'ultima puntata di un dramma tristo! Una funzione di perdita ci aiuta a misurare quanto bene il nostro modello si adatti ai dati reali del dispositivo. Vogliamo che sia abbastanza rigorosa da catturare gli errori, ma abbastanza flessibile da permettere un po' di margine, perché nessuno è perfetto - nemmeno i nostri gadget preferiti.

Per affrontare alcune questioni chiave, la nostra funzione di perdita è stata progettata per:

  1. Mantenere prestazioni costanti su diversi valori.
  2. Concentrarsi su regioni operative importanti ignorando il chiacchiericcio di fondo rumoroso (quelli misurazioni irrilevanti).
  3. Rimanere resistente agli outlier e agli errori di misurazione. Pensala come indossare un impermeabile nell'imprevedibile tempo degli errori di misurazione!

Insegnare ai modelli con dati reali

Una volta che abbiamo impostato il nostro modello, è tempo di test! Prendiamo il nostro modello e gli diamo dati provenienti da due esperimenti separati, come dare a uno studente due test diversi per verificare se conosce davvero l'argomento. Dividiamo i nostri dati, usando l'80% per l'allenamento e il 20% per il testing – proprio come fanno gli insegnanti per mantenere i loro studenti pronti per l'esame finale.

Se il modello non funziona bene, possiamo regolare la funzione di perdita o anche modificare i parametri. È come avere un allenatore che aiuta il giocatore a migliorare durante l'allenamento - ma senza tutte le urla e i discorsi motivazionali!

Esempi di successo

Parliamo di alcuni esempi della nostra magia di estrazione del modello in azione. Per prima cosa, un diodo Schottky in diamante. Questo piccolo è fatto di diamante e utilizza un contatto metallico speciale. Abbiamo cercato di adattare il nostro modello usando solo tre parametri, che possono sembrare come cercare di bilanciare su una monocicletta mentre giocoliamo con tre palle!

Seguendo il nostro approccio DFO, abbiamo ottenuto un buon adattamento con solo una frazione delle simulazioni necessarie con i metodi tradizionali. Era quasi troppo facile – come sparare a pesci in una botte, tranne che nessun pesce è stato danneggiato durante la creazione di questo modello!

Poi, abbiamo affrontato il più complesso HEMT GaN-su-SiC, un dispositivo importante per applicazioni ad alta velocità. Qui avevamo 35 parametri da estrarre. È come risolvere un Cubo di Rubik - mentre si è bendati! Ma grazie al nostro uso ingegnoso della DFO, siamo stati in grado di adattare tutti quei parametri in modo efficiente.

Imparare dagli errori

Ma cosa succede quando le cose vanno male? Nel mondo reale, i dati non sono sempre perfetti. A volte ci sono errori di misurazione o outlier che possono compromettere tutto il modello. È qui che la nostra funzione di perdita robusta diventa utile, permettendoci di rimanere impassibili di fronte a quegli errori fastidiosi – un po' come un supereroe che si scrolla di dosso i proiettili!

In uno scenario, abbiamo intenzionalmente aggiunto rumore alle nostre misurazioni per testare la resilienza del modello. Usando la nostra funzione di perdita robusta, siamo riusciti a estrarre i parametri giusti anche con il caos dei dati intorno a noi. È come cercare di orientarsi in un centro commerciale affollato durante una svendita, ma sai esattamente cosa stai cercando!

I nostri risultati parlano da soli

I risultati del nostro approccio DFO sono stati impressionanti. Con meno simulazioni necessarie rispetto ai metodi tradizionali, i nostri modelli si sono adattati eccezionalmente bene. Questo significa che gli ingegneri possono spendere meno tempo nell'estrazione dei parametri e più tempo a creare la prossima grande novità in tecnologia. Pensalo come avere più tempo per binge-watching il tuo programma preferito dopo il lavoro invece di essere sommerso dalla burocrazia!

Concludendo in bellezza

Il processo di estrazione dei parametri del modello dai dispositivi a semiconduttore si è evoluto. Con l'introduzione dell'ottimizzazione senza derivati, possiamo massimizzare l'efficienza e l'accuratezza. Utilizzando una funzione di perdita progettata con attenzione, abbiamo reso possibile lavorare con dispositivi complessi senza annegare nei dati.

Quindi la prossima volta che prendi il tuo smartphone o laptop, ricorda gli eroi sconosciuti dietro le quinte – i modelli che li hanno resi possibili. Grazie a metodi intelligenti come la DFO, i nostri gadget non sono solo oggetti luccicanti; sono supportati da ingegneria precisa che assicura che funzionino come previsto.

Andando avanti

Per tenere il passo con il mondo della tecnologia in continua crescita, continueremo a perfezionare questi metodi e condividere le nostre scoperte con la comunità ingegneristica. Il software open-source potrebbe essere il prossimo passo, permettendo ad altri di prendere queste idee e farle proprie.

Pensa solo alle possibilità! Con un po' di umorismo, un pizzico di creatività e gli strumenti giusti, non ci sono limiti a ciò che gli ingegneri possono raggiungere nel campo della modellazione dei semiconduttori. Chi avrebbe mai detto che la scienza potesse essere sia emozionante che divertente?

Fonte originale

Titolo: Compact Model Parameter Extraction via Derivative-Free Optimization

Estratto: In this paper, we address the problem of compact model parameter extraction to simultaneously extract tens of parameters via derivative-free optimization. Traditionally, parameter extraction is performed manually by dividing the complete set of parameters into smaller subsets, each targeting different operational regions of the device, a process that can take several days or weeks. Our approach streamlines this process by employing derivative-free optimization to identify a good parameter set that best fits the compact model without performing an exhaustive number of simulations. We further enhance the optimization process to address three critical issues in device modeling by carefully choosing a loss function that focuses on relative errors rather than absolute errors to ensure consistent performance across different orders of magnitude, prioritizes accuracy in key operational regions above a specific threshold, and reduces sensitivity to outliers. Furthermore, we utilize the concept of train-test split to assess the model fit and avoid overfitting. We demonstrate the effectiveness of our approach by successfully modeling a diamond Schottky diode with the SPICE diode model and a GaN-on-SiC HEMT with the ASM-HEMT model. For the latter, which involves extracting 35 parameters for the ASM-HEMT DC model, we identified the best set of parameters in under 6,000 trials. Additional examples using both devices are provided to demonstrate robustness to outliers, showing that an excellent fit is achieved even with over 25% of the data purposely corrupted. These examples demonstrate the practicality of our approach, highlighting the benefits of derivative-free optimization in device modeling.

Autori: Rafael Perez Martinez, Masaya Iwamoto, Kelly Woo, Zhengliang Bian, Roberto Tinti, Stephen Boyd, Srabanti Chowdhury

Ultimo aggiornamento: 2024-11-11 00:00:00

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2406.16355

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2406.16355

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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