Avanços em Células Termofotovoltaicas de Mid-Infrared
Novas células TPV compatíveis com silício prometem custos menores e eficiência energética melhorada.
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Índice
- Tecnologia Atual e Suas Limitações
- Uma Nova Abordagem: Semicondutores do Grupo IV
- Design e Estrutura das Novas Células TPV
- Avaliação de Desempenho
- Importância da Temperatura no Desempenho
- O Papel da Qualidade da Superfície
- Impacto dos Refletores
- Análise de Diferentes Materiais
- O Futuro da Tecnologia TPV
- Aplicações e Benefícios
- Conclusão
- Fonte original
- Ligações de referência
Células termofotovoltaicas (TPV) de médio-infrared são dispositivos que transformam Calor em eletricidade, principalmente de fontes de alta temperatura. Elas são úteis em várias áreas, tipo recuperação de calor residual, dispositivos de energia portátil e missões espaciais. Elas funcionam melhor absorvendo luz infravermelha emitida por objetos quentes, como processos industriais ou até mesmo o sol.
Tecnologia Atual e Suas Limitações
A maioria dos dispositivos TPV de médio-infrared usa semicondutores compostos. Esses materiais conseguem absorver a luz infravermelha de boa forma, mas costumam ser bem caros de produzir. Esse alto custo limita o uso deles em aplicações mais amplas. Uma nova abordagem busca usar materiais compatíveis com silício pra superar esses desafios e tornar os dispositivos de médio-infrared mais acessíveis.
Uma Nova Abordagem: Semicondutores do Grupo IV
Os pesquisadores estão explorando o uso de semicondutores de todo o grupo IV pra células TPV de médio-infrared. Esses materiais podem ser cultivados em wafers de silício, tornando a produção mais barata. Ajustando a proporção de estanho nesses semicondutores, é possível controlar a capacidade deles de absorver luz infravermelha. Essa flexibilidade permite que esses dispositivos funcionem em uma ampla gama de comprimentos de onda infravermelhos.
Design e Estrutura das Novas Células TPV
O design proposto pra célula TPV utiliza uma heteroestrutura dupla de germânio-estanho totalmente relaxada, construída em um wafer de silício. Variações na quantidade de estanho nesse Semicondutor permitem que o dispositivo cubra todo o espectro de médio-infrared, o que é crucial pra maximizar a geração de eletricidade a partir de várias fontes de calor.
Avaliação de Desempenho
O desempenho dessas novas células TPV é medido pela eficiência de conversão de energia (PCE). Em termos simples, PCE indica quão bem um dispositivo converte calor em eletricidade utilizável. O novo design prevê que as Eficiências podem chegar a até 9% em condições ideais. Fatores como a espessura das camadas semicondutoras e a forma como elas absorvem luz têm papéis críticos em determinar o quão bem esses dispositivos funcionam.
Importância da Temperatura no Desempenho
A temperatura da fonte de calor afeta significativamente a eficiência das células TPV. Com o aumento da temperatura, mais luz infravermelha é emitida, permitindo que as células absorvam mais energia e gerem mais eletricidade. Isso significa que temperaturas mais altas geralmente levam a um desempenho melhor.
O Papel da Qualidade da Superfície
Pra qualquer célula TPV, a qualidade da superfície e das interfaces é vital. Imperfeições podem aprisionar elétrons e reduzir a eficiência. Pesquisadores descobriram que usar materiais de alta qualidade com menos defeitos pode melhorar significativamente o desempenho desses dispositivos. Essa melhoria destaca a necessidade de processos de fabricação cuidadosos.
Impacto dos Refletores
O uso de refletores, especialmente na parte de trás das células TPV, pode aumentar a eficiência delas. Refletores ajudam a devolver a luz infravermelha não absorvida pra dentro da célula, dando uma nova chance de ser absorvida. Esse recurso extra pode melhorar o desempenho das células em uma faixa de temperaturas.
Análise de Diferentes Materiais
Diferentes materiais semicondutores foram testados pra ver quão eficazes são nas células TPV de médio-infrared. Entre eles, os baseados em InAsSbP (arseniureto de índio antimonita fosforada) mostram potencial, mas têm seus próprios desafios em relação a custo e complexidade. Em contraste, as células de semicondutores do grupo IV são mais baratas e mais fáceis de produzir em larga escala.
O Futuro da Tecnologia TPV
As pesquisas e desenvolvimentos em tecnologia TPV prometem muito pra tornar a energia renovável mais eficiente e acessível. Ao melhorar materiais e designs, os pesquisadores buscam criar dispositivos que utilizem melhor o calor desperdiçado. Esse desenvolvimento pode levar a sistemas energéticos mais sustentáveis e custos de energia mais baixos.
Aplicações e Benefícios
As aplicações potenciais para células TPV avançadas são extensas. Elas podem ser usadas em ambientes industriais pra captar calor residual, em veículos pra converter calor do motor em eletricidade e em casas pra melhorar a eficiência energética. Os benefícios incluem redução dos custos de energia, menores emissões de gases de efeito estufa e um caminho em direção a práticas energéticas mais sustentáveis.
Conclusão
Resumindo, as células TPV de médio-infrared feitas de semicondutores de todo o grupo IV representam um avanço promissor na tecnologia de energia. Com seu potencial pra custos mais baixos, desempenho melhorado e sustentabilidade, elas oferecem uma solução viável pra atender às crescentes demandas energéticas enquanto lidam com questões de calor residual. A pesquisa contínua e inovação nessa área são cruciais pra desbloquear todo o potencial desses dispositivos e contribuir pra um futuro energético mais limpo e eficiente.
Título: Group IV Mid-Infrared Thermophotovoltaic Cells on Silicon
Resumo: Compound semiconductors have been the predominant building blocks for the current mid-infrared thermophotovoltaic devices relevant to sub-2000 K heat conversion and power beaming. However, the prohibitively high cost associated with these technologies limits their broad adoption. Herein, to alleviate this challenge we introduce an all-group IV mid-infrared cell consisting of GeSn alloy directly on a silicon wafer. This emerging class of semiconductors provides strain and composition as degrees of freedom to control the bandgap energy thus covering the entire mid-infrared range. The proposed thermophotovoltaic device is composed of a fully relaxed Ge$_{0.83}$Sn$_{0.17}$ double heterostructure corresponding to a bandgap energy of 0.29 eV. A theoretical framework is derived to evaluate cell performance under high injection. The black-body radiation absorption is investigated using the generalized transfer matrix method thereby considering the mixed coherent/incoherent layer stacking. Moreover, the intrinsic recombination mechanisms and their importance in a narrow bandgap semiconductor were also taken into account. In this regard, the parabolic band approximation and Fermi's golden rule were combined for an accurate estimation of the radiative recombination rate. Based on these analyses, power conversion efficiencies of up to 9% are predicted for Ge$_{0.83}$Sn$_{0.17}$ thermophotovoltaic cells under black-body radiation at temperatures in the 500-1500 K range. A slight improvement in the efficiency is observed under the frontside illumination but vanishes below 800 K, while the use of a backside reflector improves the efficiency across the investigated black-body temperature range. The effects of the heterostructure thickness, surface recombination velocity, and carrier lifetime are also elucidated and discussed.
Autores: Gérard Daligou, Richard Soref, Anis Attiaoui, Jaker Hossain, Mahmoud R. M. Atalla, Patrick Del Vecchio, Oussama Moutanabbir
Última atualização: 2023-02-21 00:00:00
Idioma: English
Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2302.10742
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2302.10742
Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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