シリコンナイトライド光モジュレーターの進展
新しいマイクロリングモジュレーターのデザインが、より速い通信のために性能を向上させる。
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目次
最近、フォトニック集積回路(PIC)が光を使って情報を送ったり処理したりする能力から人気になってきたんだ。これはデータセンターや通信機器などの分野で重要だよ。この回路の重要な部分は光変調器で、効果的な通信のために光信号を制御するのを助けているんだ。これらの変調器を作るために使われる材料はいくつかあって、その中でも面白い選択肢が窒化ケイ素(SiN)なんだ。
なんで窒化ケイ素?
窒化ケイ素はシリコン-インシュレーター(SOI)などの他の材料と比べていくつかの利点があるんだ。たとえば、光の損失が少ないから、信号が弱くならずに長距離を移動できるんだ。それに、温度変化にも安定していて、広い範囲の光の波長でより良く動作することができる。でも、変調器みたいなアクティブデバイスにSiNを使うときにはまだ挑戦があるんだ。一番大きな問題は、SiNが光を効果的に変調するために必要な電気キャリアを制御する能力がシリコンと同じじゃないってことなんだ。
改善の必要性
SiNでアクティブデバイスを作る限界のために、この材料はフォトニック回路ではしばしば受動部品に限られちゃうんだ。だから、SiNとアクティブ材料を統合する方法を開発する必要があるんだ。そうすれば、SiNベースの変調器の性能を向上させて、光信号をよりよく操作できるようになる。
新しい変調器デザインの紹介
窒化ケイ素のマイクロリング変調器の新しいデザインが提案されたんだ。このデザインはインジウム-スズ-酸化物(ITO)でできた特別な層を使っているんだ。ITO層は自由キャリアを導入することで、変調器の光を制御する能力を高めるんだ。自由キャリアは材料内で電荷を運ぶ粒子で、光信号を変調するのに重要なんだ。
変調器の動作
新しい変調器デザインは、特定の光の波長で共鳴できる円形の波導であるマイクロリング構造から成り立っているんだ。変調器のアクティブな部分には、二酸化ケイ素の層で挟まれたITO層があるんだ。この構造に電圧をかけると、ITO層に自由キャリアがたまって、変調器が屈折率を変えることができるんだ。結果として、これがマイクロリングを通過する光の量に影響を与えて、効果的な変調ができるようになるんだ。
新しい変調器の性能特徴
新しいマイクロリング変調器はコンピュータシミュレーションに基づいて印象的な性能を示しているんだ。高い変調効率を達成していて、光信号を効果的に制御できるんだ。これらのシミュレーションの結果は、変調器が高速度で動作できて、良好な電力効率があることを示しているよ。具体的な指標は、変調効率が450 pm/V、帯域幅が46.2 GHzに達し、挿入損失が0.24 dBということだ。
既存の技術との比較
他の既存の窒化ケイ素を使った変調器と比べると、この新しいマイクロリングデザインは、いくつかの重要な要素で高いパフォーマンスを示しているんだ。たとえば、変調帯域幅は多くの以前のデザインよりもかなり良いんだ。それに、新しい変調器のエネルギー効率もかなり良くて、わずか1.4 pJ/bitしか消費しないから、電力消費が重要なアプリケーションに適しているんだ。
潜在的なアプリケーション
この新しいSiN変調器を既存のシリコンベースのプロセスに統合できる能力は特に注目に値するんだ。従来のシリコン製造方法と干渉せずに製造できるから、現代のチップ設計でこの技術を活用する可能性が広がるんだ。つまり、通信がより効率的で、これまで以上に高速なチップスケールデバイスが見られるかもしれないんだ。
従来の方法に対する利点
窒化ケイ素の特性は回路内でのフットプリントを小さくすることができるから、今日のテクノロジー主導の世界ではチップのスペースが限られている中で重要なんだ。さまざまな条件で効果的に機能できる材料を利用することで、環境の変化に影響されにくい、より頑丈なデバイスを作ることができるんだ。これによって通信システムの信頼性が向上するんだ。
フォトニック集積回路の未来
より速くて効率的な通信システムの需要が高まる中で、こうした変調器の開発は重要なんだ。新しい窒化ケイ素のマイクロリング変調器に関する研究は、高性能なフォトニック集積回路を実現する道に近づいていることを示しているよ。データセンターからコンシューマーエレクトロニクスまで、さまざまなアプリケーションに適したものなんだ。
まとめ
要するに、窒化ケイ素ベースの光変調器の進展はフォトニック技術において重要な一歩を表しているんだ。インジウム-スズ-酸化物のような革新的な材料を窒化ケイ素と統合することで、より良い性能を持ち、既存のシリコンベースの製造環境にフィットする変調器を作ることができるんだ。これが通信速度と効率を向上させる新世代のデバイスにつながるかもしれない。フォトニック集積回路の未来は明るくて、多くの分野で広く採用される可能性を秘めているんだ。
タイトル: A Silicon Nitride Microring Modulator for High-Performance Photonic Integrated Circuits
概要: The use of the Silicon-on-Insulator (SOI) platform has been prominent for realizing CMOS-compatible, high-performance photonic integrated circuits (PICs). But in recent years, the silicon-nitride-on-silicon-dioxide (SiN-on-SiO$_2$) platform has garnered increasing interest as an alternative, because of its several beneficial properties over the SOI platform, such as low optical losses, high thermo-optic stability, broader wavelength transparency range, and high tolerance to fabrication-process variations. However, SiN-on-SiO$_2$ based active devices, such as modulators, are scarce and lack in desired performance due to the absence of free-carrier-based activity in the SiN material and the complexity of integrating other active materials with SiN-on-SiO$_2$ platform. This shortcoming hinders the SiN-on-SiO$_2$ platform for realizing active PICs. To address this shortcoming, in this article, we demonstrate a SiN-on-SiO$_2$ microring resonator (MRR) based active modulator. Our designed MRR modulator employs an Indium-Tin-Oxide (ITO)-SiO$_2$-ITO thin-film stack as the active upper cladding and leverages the free-carrier assisted, high-amplitude refractive index change in the ITO films to affect a large electro-refractive optical modulation in the device. Based on the electrostatic, transient, and finite difference time domain (FDTD) simulations, conducted using photonics foundry-validated tools, we show that our modulator achieves 450 pm/V resonance modulation efficiency, $\sim$46.2 GHz 3-dB modulation bandwidth, 18 nm free-spectral range (FSR), 0.24 dB insertion loss, and 8.2 dB extinction ratio for optical on-off-keying (OOK) modulation at 30 Gb/s.
著者: Venkata Sai Praneeth Karempudi, Ishan G Thakkar, Jeffrey Todd Hastings
最終更新: 2023-06-12 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2306.07238
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2306.07238
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
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