LaNiOの超伝導性に関する新たな洞察
研究者たちは、LaNiOの圧力下での超伝導挙動についての理解を深めている。
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高圧下で約80Kの臨界温度を持つ超伝導体、LaNiOの発見は科学界でワクワクを生んでる。この化合物はニッケル酸化物という材料のファミリーに入ってる。別のニッケル酸化物、LaNiOも高圧下で20-30Kの臨界温度を持って超伝導性を示す証拠があって、これらの現象を理解するには、これらの材料の重要な特性を正確に説明するモデルが必要なんだ。
最近の研究では、LaNiOは「電荷移動領域」で動作してるかもしれないって提案されてる。これは以前の理論とは違って、主にニッケルやその電子状態に集中してた。新しい見解では、電子が取り除かれるとできるホールが、ただニッケルの軌道に入るんじゃなくて、酸素の軌道にも入るみたい。これが既存の理論を複雑にして、新しい理解を求めてるんだ。
理論的背景
LaNiOで起こってることを理解するために、研究者たちはニッケルと酸素の原子の振る舞いを考慮した低エネルギーモデルを提案してる。LaNiOのニッケルの自然状態では、特定の電子配置がある。ホールが導入されると、ニッケル原子のスピンと相互作用して、他の似た材料、例えば銅酸化物と比較して予想外の振る舞いにつながる。
銅酸化物では、ドープされたホールが一重項状態を作るのに対し、LaNiOは違う。ドープされたホールはニッケル原子のスピンを「スピンハーフ」状態までスクリーニングするから、スピンが完全に反転する代わりに半分になる。これが研究者が「張-ライススピンハーフ」状態と呼ぶものだ。
これらの相互作用を見ながら、科学者たちはニッケルと酸素の両方の原子を含む効果的なモデルを発展させた。このモデルによると、中程度の圧力では、実際に関与している支配的な軌道は酸素の平面内の軌道の1つだ。ただし、この材料の2層間でのホッピングがどれだけ起こるかには制限があり、他の既知の超伝導体とは違う。
実験と発見
これらの振る舞いを調べるために、研究者たちは密度行列再正規化群(DMRG)シミュレーションという技術を使ってる。このシミュレーションでは「ペアリングドーム」が明らかになって、ホールをドープする最適なレベルがあることを示してる。LaNiOの最適ドープ条件は銅酸化物とは異なる。
圧力が上がると、臨界温度も上昇するけど、あるポイントを超えるとさらに圧力を上げると超伝導性が低下する。この変化は、圧力下で軌道の性質が変わるからで、これが電子のペアリングに影響を与える。
研究者たちはまた、LaNiOの三層バージョンに対しても発見を拡張していて、このモデルが三層ニッケル酸化物が同じ条件下でどう振る舞うかを説明できるかもしれないって提案してる。
銅酸化物との主な違い
LaNiOのような二層ニッケル酸化物と銅酸化物の大きな違いの1つは、ニッケルの電子配置にある。ドープされていないニッケル酸化物では、ニッケル原子は軌道に2つの電子があるため、スピン1のモーメントを保持してる。ホールが導入されると、酸素軌道と相互作用するけど、ニッケルのスピンを完全には中和しない。
この状況はスピンハーフ状態が現れるユニークなシナリオを生み出す。ドープされたホールとニッケル原子のスピンとの相互作用が、新しい物理現象を引き起こすけど、これはホールドープされた銅酸化物では見られない、別のペアリングのメカニズムが起こる。
電荷移動モデル
二層LaNiOの電荷移動ダイナミクスを深く掘り下げるために、研究者たちは2つのニッケル軌道と3つの酸素軌道を含むモデルに焦点を当てた。2つのニッケルといくつかの酸素原子を含む単一ユニットセルを分析することで、ホールがシステムにどのように入るのか、スピンがどのように結合しているのかを特徴づけることができた。
電荷移動ハミルトニアンは基本的に、ホールがこのシステム内でどのように相互作用するかを概説してる。この理論は強い結合限界に頼っていて、ホールが主に酸素の軌道を占めて、ニッケルの局在スピンと強く結合する。この相互作用が、張-ライススピンハーフ状態の形成を導く。
この枠組みの中で、システムのエネルギー状態は、軌道全体に渡るホールの配置に基づいて導出できる。これらのエネルギーレベルがどのように整列するかによって、システムは超伝導性を示すさまざまな振る舞いを見せる。
シミュレーション結果
DMRGシミュレーションはスピンギャップと、それが異なる条件でどのように変化するかについての洞察を提供してる。これらの結果は、ドープレベルがLaNiOの超伝導特性を決定する役割を強調してる。研究者たちは条件を変えながら、バルディーン-クーパー-シュリーファー(BCS)からボース-アインシュタイン凝縮(BEC)へのクロスオーバーを示唆するパターンを観察した。
簡単に言うと、ホールを増やすと、ペアリングの仕方が変わって、全体の超伝導状態に寄与するってことだ。研究者たちは、圧力が上がり条件が変わっても、特定の特性が安定していて、これらの材料内でのペアリングメカニズムの堅牢性を強調した。
ドーピングとペアリングギャップ
LaNiOのさまざまなドーピングレベル下での振る舞いは、ドーピング比の直接的な関数としてペアリングギャップにドームのような構造が存在することを示してる。最初はドーピングを増やすと超伝導性が強化されて、電子ペアがより形成されやすい環境が作られる。ただし、最適なドーピングレベルを超えると、ペアリングが弱くなる。
圧力の役割もこのダイナミクスにおいて重要だ。最初は、圧力が上がると結合エネルギーが上昇して、より強いペア形成を示唆する。しかし最終的にはエネルギーレベルがシフトして、焦点がある軌道タイプから別のものに移り、最終的にはこれらの材料における超伝導性の表現に影響を与える。
三層ニッケル酸化物
分析は二層に限らない。研究者たちは三層ニッケル酸化物にも調査を始めていて、ニッケルと酸素が3層存在する。層間の相互作用は新しいダイナミクスを生み出し、さらなる探求の価値がある。
三層モデルでは、効果的な電荷移動ハミルトニアンが、3層持つ複雑さを考慮して調整できる。主要な相互作用と状態を分離することで、研究者たちは三層に関する新しいモデルを導出できて、二層構造での発見を反映しつつ新しい軌道相互作用を考慮してる。
追加の層を含めることで、より豊かな物理学が提供され、将来的に興味深い応用や発見につながるかもしれない。
結論
要するに、LaNiOとその超伝導特性を圧力下で研究することは、これらの複雑な材料の理解において大きな進展を示してる。ニッケルと酸素原子の貢献を統合するモデルを提案することで、研究者たちはニッケル酸化物で起こってる深い物理学を明らかにし始めてる。これらの発見は、これらの材料の振る舞いが以前考えられていたよりもずっと複雑であることを示していて、高温超伝導性に関するさらなる調査への道を開いている。
二層と三層の構成を調べることで得られた洞察は、圧力、ドーピング、軌道の配置といったさまざまな要因が超伝導状態において重要な役割を果たすことを強調してる。これらの進展は、ニッケル酸化物の理解を深めるだけでなく、材料科学や超伝導技術における潜在的な応用につながるかもしれない。
タイトル: Type II t-J model in charge transfer regime in bilayer La$_3$Ni$_2$O$_7$ and trilayer La$_4$Ni$_3$O$_{10}$
概要: Recent observations of an 80 K superconductor in La$_3$Ni$_2$O$_7$ under high pressure have attracted significant attention. Recent experiments indicate that La$_3$Ni$_2$O$_7$ may be in the charge transfer regime, challenging the previous models based purely on the Ni $d_{x^2-y^2}$ and $d_{z^2}$ orbitals. In this study, we propose a low energy model that incorporates doped holes in the oxygen $p$ orbitals. Given that the parent nickel state is in the $3d^{8}$ configuration with a spin-one moment, doped hole only screens it down to spin-half, in contrast to the Zhang-Rice singlet in cuprate. We dub the single hole state as Zhang-Rice spin-half and build an effective model which includes three spin-one states ($d^8$) and two Zhang-Rice spin-half states ($d^8 L$). At moderate pressure around $20$ GPa, the dominated oxygen orbital is an in-plane Wannier orbital with the same lattice symmetry as the $d_{x^2-y^2}$ orbital. The resulting model reduces to the bilayer type II t-J model previously proposed in the Mott-Hubbard regime. Notably, the hopping between the in-plane $p$ orbitals of the two layers is still suppressed. Density matrix renormalization group (DMRG) simulation reveals a pairing dome with the optimal hole doping level at $x=0.4\sim0.5$, distinct from the hole doped cuprate where optimal doping occurs around $x=0.19$. Further increasing pressure initially raises the critical temperature ($T_c$) until reaching an optimal pressure beyond which the $p_z$ orbital of oxygen becomes favorable and superconductivity is diminished. This shift from in-plane $p$ orbital to $p_z$ orbital may elucidate the experimentally observed superconducting dome with varying pressure. As an extension, we also suggest a trilayer version of the type II t-J model as the minimal model for pressured La$_4$Ni$_3$O$_{10}$, which is distinct from the models in the Mott-Hubbard regime.
著者: Hanbit Oh, Boran Zhou, Ya-Hui Zhang
最終更新: 2024-04-30 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2405.00092
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2405.00092
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
オープンアクセスの相互運用性を利用させていただいた arxiv に感謝します。
参照リンク
- https://dx.doi.org/
- https://arxiv.org/abs/2307.09865
- https://arxiv.org/abs/2307.14819
- https://arxiv.org/abs/2308.09044
- https://arxiv.org/abs/2308.07386
- https://arxiv.org/abs/2308.12750
- https://arxiv.org/abs/2308.11614
- https://arxiv.org/abs/2309.13040
- https://arxiv.org/abs/2309.15843
- https://arxiv.org/abs/2311.03349
- https://arxiv.org/abs/2404.03638
- https://arxiv.org/abs/2311.07353
- https://arxiv.org/abs/2311.07423
- https://arxiv.org/abs/2309.15095
- https://arxiv.org/abs/2401.08753
- https://arxiv.org/abs/2404.11369
- https://arxiv.org/abs/2402.07196