ホットキャリア劣化がSPADの性能に与える影響
単一光子アバランシェダイオードの暗カウント率と劣化を調査中。
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目次
シングルフォトンアバランチダイオード(SPAD)は、車の障害物検知や個人用電子機器のジェスチャ認識など、さまざまな用途で使われる重要なデバイスだよ。このデバイスは光を検出するためにフォトンを吸収して電気信号を生成するんだけど、その効果はすごいんだけど、特に低光量のシチュエーションではダークカウントの影響でパフォーマンスが干渉しちゃうことがあるんだ。
ダークカウントレート(DCR)は、SPADが暗闇にあるときに発生する誤信号の数を指すんだ。この問題は、実際に検出される光じゃなくて、デバイス内部のノイズによって引き起こされる不要な電気信号から来てるんだよ。DCRを分析して理解することは、SPADの精度や効率に影響を与えるからすごく大事だよね。
SPADにおけるホットキャリア劣化
DCRが増加する大きな要因の一つがホットキャリア劣化(HCD)なんだ。HCDは、デバイス内部の高エネルギーキャリアが時間とともに構造を損なうときに起こるんだ。これらのエネルギーの高いキャリアは、特にシリコンとシリコン酸化物(Si/SiO)の界面で化学結合を壊すことがある。時間が経つにつれて欠陥ができて、ダークカウントレートが高くなっちゃうんだ。
HCDがDCRにどう影響するかをモデル化するには、まずSPAD内のキャリアのエネルギー分布を理解することから始めるよ。これらのキャリアのエネルギーは、デバイスにどれだけダメージを与えるかを決める重要な役割を果たすんだ。
キャリアエネルギー分布
シリコンのような半導体内のキャリアのエネルギーは均一じゃないんだ。キャリアの濃度、温度、印加電圧によって変わるんだよ。SPADが動作すると、いろんなキャリアエネルギーが生成される。その中にはSi/SiO界面のSi-H結合に影響を与えたり、壊したりするのに十分なエネルギーを持ってるキャリアもいるんだ。
異なる条件でキャリアのエネルギーがどう変わるかを表現するモデルを作れるんだ。たとえば、電圧や温度が変わるとキャリアのエネルギー分布もシフトするんだ。このシフトが、キャリアが劣化を引き起こす可能性に影響を与えるんだ。
DCRドリフトの役割
DCRは静的じゃなくて、SPADがさまざまな動作条件を経るうちに時間とともに変化するんだ。この変化はDCRドリフトと呼ばれるよ。DCRドリフトを予測することは、SPADのパフォーマンスが持続的な使用の下でどう劣化するかを理解する上で重要なんだ。
提案されたモデルは、初期のDCRとデバイスにかかるストレスを結びつけてるんだ。このモデルは、動作中に生成されるキャリアのエネルギーなど、時間とともに欠陥が形成される要因を考慮してる。現実的な動作条件を取り入れることで、DCRドリフトの理解が深まるんだよ。
ストレス条件と測定
DCRとHCDを研究するために、SPADはさまざまなストレス条件にさらされるんだ。これらのテストには、高電圧、異なる温度、特定の光照射レベルへの曝露が含まれることがあるよ。ストレス期間の前後で測定を行って、DCRがどれだけ変わるかを評価するんだ。
たとえば、特定のテストでは、ある閾値を超える電圧でSPADにバイアスをかけて、異なる光レベルを適用することができるんだ。この測定中に生成される電流を分析することで、ダークカウントと光生成電流の両方を定量化できるんだ。この定量化が、ストレスがDCRに与える影響を理解するのに役立つんだ。
結果の分析
ストレステストが終わったら、データを収集してSPADの挙動を分析するんだ。その分析の重要な側面の一つは、ストレス前後のDCRを比較することなんだ。この比較によって、ストレス条件の結果としてSPADのパフォーマンスがどれだけ劣化したかを理解できるよ。
さらに、データからパターンが見えてくるかもしれない。たとえば、ストレス期間が長くなるにつれてDCRが増加することが観察されるかもしれない。この相関関係は、長期的なストレスとSPADの機能不全との直接的なつながりを示唆してるんだ。
HCDの背後にあるメカニズムの理解
ホットキャリア劣化は、いくつかのメカニズムに影響されるんだ。これらのメカニズムを理解することは、その影響を最小限に抑える戦略を開発するのに重要なんだよ。一つの重要な要因は、エネルギーの高いキャリアとSi-H結合との相互作用だ。
ホットキャリアがこれらの結合と衝突すると、結合の解離を引き起こして材料に欠陥をもたらすことがあるんだ。結合の解離の可能性は、キャリアのエネルギーが高くなるほど増加するんだ。つまり、キャリアがエネルギーを持つほど、与えるダメージも大きくなるってことだね。
DCRに影響を与えるさまざまな要因
DCRドリフトを予測する際には、いくつかの要因が考慮されるよ:
温度:温度が上がるとキャリアのエネルギーも増加して、結合解離の可能性が高くなるんだ。この関係が、温度上昇が劣化を引き起こすポジティブフィードバックループを生み出すんだよ。
電極電圧:同様に、高い電圧もキャリアのエネルギーを増加させて、Si-H結合とのホットキャリア相互作用の可能性を高めるんだ。
キャリア密度:デバイス内で生成されるキャリアの数も劣化率に影響を与えるんだ。キャリア密度が増えると、結合との破壊的衝突の可能性が高まるんだよ。
モデリングの重要性
効果的なモデリングは、異なる条件下でDCRがどう振る舞うかを予測するのに重要なんだ。キャリアのエネルギー分布、温度、電圧などのさまざまな変数を統合することで、研究者は現実のSPADパフォーマンスをシミュレーションできる複雑なモデルを作れるんだ。
これらのモデルは実験データと照らし合わせてテストされ、調整や改良が可能なんだ。たとえば、特定のモデルがある条件下でDCRドリフトを正確に予測できるなら、異なるけど類似の状況下でのSPADのパフォーマンスを理解する手助けになるんだよ。
SPADテストのための実験フレームワーク
理解を深めるためには、構造化された実験フレームワークが必要なんだ。これには、SPADテストのための標準条件の定義が含まれるよ:
特性温度:結果の変動を排除するために、一貫した温度で測定を行うべきなんだ。
ストレス電圧レベル:異なる電圧レベルを適用して、DCRや劣化率にどう影響するかを調べることができる。
照度条件:さまざまな光レベルの下でSPADをテストすることで、実際の使用シナリオをシミュレートできるんだ。
体系的なテストを通じて、SPADの挙動がより明確に見えてくることで、理論や応用に役立つ貴重なデータが得られるんだよ。
課題と機会
研究には、さまざまな課題があるんだ。一つの大きな課題は、デバイス間の統計的変動だね。同じ条件下でも各SPADが異なる挙動を示すことがあって、広範な結論を引き出すのが難しいことがある。
でも、この変動は機会も提供してくれるんだ。複数のデバイスを分析することで、個別のテストからは見えないパターンやトレンドを特定できるかもしれない。この集約データがDCRドリフトの理解を深めて、SPADの設計や製造の改善に繋がるんだ。
結論
SPADにおけるホットキャリア劣化のモデリングと分析は、デバイスの条件とパフォーマンスの間の複雑な関係を浮き彫りにするんだ。効率的で信頼性の高いSPADの需要が高まる中で、それらの振る舞いを正確に予測する必要性も高まってるんだよ。
DCRやそのドリフト、劣化を引き起こすメカニズムを理解することで、研究者やエンジニアはSPADデバイスの寿命と効率を向上させる戦略を開発できるんだ。継続的な研究と包括的な実験を通じて、SPAD技術の改善が期待される分野での応用を支援することができるんだ。この取り組みは、自動車の安全から先端電子機器まで、重要な分野での性能と信頼性の向上を目指してるんだよ。
タイトル: Modeling of Hot-Carrier Degradation driven by silicon-hydrogen bond dissociation in SPADs
概要: A novel approach for modeling Dark Count Rate (DCR) drift in Single-Photon Avalanche Diodes (SPADs) is proposed based on Hot-Carrier Degradation (HCD) inducing silicon-hydrogen bond dissociation at the Si/SiO2 interface. The energy and the quantity of hot-carriers are modeled by the interplay of carrier energy distribution and current density. The carrier energy distribution, achieved by a Full-Band Monte-Carlo simulation considering the band structure and the scattering mechanisms, establishes a crucial link to the degradation of the top SPAD interface, primarily influenced by hot electrons due to their broader energy spread. The current density is determined by analyzing the generation rates of carriers under dark and photo conditions, along with the multiplication rate, through a combination of experimental data and modeling techniques. Subsequently,these hot carriers are correlated with the distribution of bond dissociation energy, which is modeled by the disorder-induced local variations among the Si-H bond energy at the Si/SiO2 interface. The impact-ionization probability between hot carriers and Si-H bonds is then calculated by differentiating their energies, thereby determining the degradation kinetics. This enables the capture of the rise in dark current density with stress duration by the increasing number of defects, which in turn affects the modeling of degradation rate. For the first time, a direct correlation between the dark current and DCR, along with their drift over stress time, has been established, relying on the carrier generation rate originating from these defects together with the position-dependent breakdown probability Pt.This physic-based model allows to predict DCR for unprecedented long-term stress measurement time up to 10e6s, covering a whole set of characterization and stress conditions for SPAD devices.
著者: Mathieu Sicre, Xavier Federspiel, Bastien Mamdy, David Roy, Francis Calmon
最終更新: 2024-08-03 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2407.07105
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2407.07105
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
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