Comportamento Termoelettrico di Film Sottile di Cd3As2
La ricerca rivela caratteristiche termoelettriche uniche nei film sottili di Cd3As2.
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Indice
Negli ultimi anni, i ricercatori hanno mostrato un crescente interesse per materiali speciali conosciuti come isolanti topologici e semimetalli. Questi materiali hanno proprietà uniche che li rendono potenziali candidati per applicazioni nella conversione dell'energia, come il recupero dell'energia e i sistemi di raffreddamento. Tuttavia, c'è ancora molto da imparare su come si comportano, soprattutto per quanto riguarda il Trasporto termoelettrico-il movimento di carica elettrica e calore.
Questo articolo si concentra su un tipo specifico di semimetallo topologico chiamato Cd3As2, in particolare nelle forme di film sottili. Il Cd3As2 ha caratteristiche affascinanti, inclusi stati di superficie topologici che possono cambiare il modo in cui conduce elettricità e calore.
Concetti Chiave
Isolanti Topologici e Semimetalli
Gli isolanti topologici sono materiali che fungono da isolanti nella loro forma massiva, ma hanno stati di superficie conduttivi. I semimetalli, come il Cd3As2, condividono alcune proprietà sia con i metalli che con i semiconduttori. Hanno strutture elettroniche uniche che aiutano nel movimento di carica.
Trasporto Termoelettrico
Il trasporto termoelettrico riguarda quanto un materiale può convertire efficientemente le differenze di temperatura in tensione elettrica (l'effetto Seebeck) e viceversa (l'effetto Peltier). L'efficacia di un materiale nell'eseguire questi compiti è misurata da una proprietà chiamata prestazione termoelettrica.
Confinamento Quantistico
Man mano che i materiali diventano più sottili, le loro proprietà possono cambiare significativamente. Questo fenomeno è conosciuto come confinamento quantistico. Nei film sottili, i comportamenti dei portatori di carica sono influenzati dalle dimensioni ridotte.
Focus della Ricerca
La ricerca esamina le proprietà termoelettriche di film sottili realizzati in Cd3As2, osservando specificamente come lo spessore influisce sulle prestazioni. I film sono stati preparati usando tecniche avanzate per garantire alta qualità e sono stati condotti vari esperimenti per osservare come si comportano a diverse temperature.
Metodologia
I film sottili di Cd3As2 sono stati cresciuti usando l'epitassia a fascio molecolare, una tecnica che permette un controllo preciso dello spessore e della qualità del materiale. I ricercatori hanno creato campioni di spessori diversi-950 nm, 95 nm e 25 nm-e hanno misurato la loro Resistività Elettrica e i coefficienti di Seebeck a varie temperature.
Esperimenti e Osservazioni
I ricercatori hanno scoperto che i film più sottili, misuranti solo 25 nm, mostrano prestazioni sorprendentemente elevate nelle proprietà termoelettriche quando raffreddati a basse temperature. Al contrario, i film più spessi si comportavano più come materiali convenzionali con comportamenti prevedibili.
Effetti della Temperatura
La resistività e il Coefficiente di Seebeck sono stati misurati man mano che i campioni venivano raffreddati. Il film più spesso ha mantenuto un aumento stabile nella resistività, tipico dei semimetalli massivi, mentre il film di spessore medio mostrava segni di formazione di un bandgap bulk, suggerendo un passaggio verso caratteristiche semiconduttive.
Il film sottile ha mostrato un comportamento unico con il coefficiente di Seebeck, rimanendo positivo in tutto l'intervallo di temperature e raggiungendo un picco a temperature molto basse. Questo ha indicato un forte influsso dagli stati di superficie rispetto a quelli bulk.
Oscillazioni Quantistiche
Per capire le uniche proprietà termoelettriche, sono state eseguite misurazioni delle oscillazioni quantistiche. Queste misurazioni aiutano a identificare diversi contributi elettronici all'interno del materiale. Usando un campo magnetico, i ricercatori hanno osservato oscillazioni sia nella resistività elettrica che nel coefficiente di Seebeck.
Frequenze Distinte
I risultati hanno mostrato frequenze di oscillazione distinte per ogni spessore del film, indicando contributi da diversi tipi di portatori di carica all'interno del materiale. I ricercatori hanno confermato che i film più spessi provenivano principalmente dal materiale bulk, mentre contributi significativi nei film più sottili venivano dagli stati di superficie.
Analisi Dettagliata
I ricercatori si sono quindi concentrati su misurazioni di trasporto più dettagliate, focalizzandosi sui film più sottili, dove i contributi degli stati di superficie erano notevoli. Hanno impiegato modelli per quantificare le risposte dei vari tipi di portatori, associando alta mobilità agli stati bulk di tipo n e mobilità inferiore agli stati di superficie di tipo p.
Magnetoresistenza e Misurazioni di Hall
Le misurazioni di magnetoresistenza e di Hall hanno fornito informazioni sulla concentrazione e sulla mobilità dei portatori. Nei campioni più sottili, il contributo degli stati di superficie è diventato significativo, allineandosi con le oscillazioni quantistiche osservate.
Coefficienti Termoelettrici
Un'ulteriore analisi dei coefficienti di Seebeck e Nernst ha rivelato comportamenti importanti che deviano dalle tendenze previste per i materiali bulk. In particolare, i film più sottili hanno mostrato un coefficiente di Nernst molto più alto, indicando una risposta anomala migliorata probabilmente legata agli stati di superficie topologici.
Conclusione
La ricerca dipinge un quadro complesso del trasporto termoelettrico nei film sottili di Cd3As2. Sottolinea come spessori diversi possano portare a differenti contributi da stati bulk e di superficie, rivelando percorsi promettenti per future applicazioni nei materiali termoelettrici.
Direzioni Future
Questo studio sottolinea il potenziale di esplorare più materiali con proprietà topologiche e come gli effetti di confinamento possano portare a una prestazione termoelettrica migliorata. Man mano che i ricercatori continueranno a indagare queste strade entusiasmanti, sperano di sbloccare nuovi metodi per le tecnologie di conversione dell'energia che possano utilizzare questi materiali avanzati.
Implicazioni e Applicazioni
Date le proprietà uniche dei Semimetalli Topologici e il loro potenziale per alte prestazioni termoelettriche, ci sono numerose implicazioni per varie applicazioni:
Raccolta di Energia: La conversione efficiente del calore di scarto in energia elettrica utilizzabile può migliorare i sistemi di energia rinnovabile.
Tecnologie di Raffreddamento: Meccanismi di raffreddamento migliorati usando materiali termoelettrici possono sostituire metodi di refrigerazione tradizionali con soluzioni più eco-compatibili.
Elettronica: Man mano che i dispositivi diventano più piccoli e più efficienti, materiali che sfruttano queste proprietà potrebbero portare a scoperte nell'elettronica, migliorando le prestazioni senza aumentare la domanda energetica.
Calcolo Quantistico: Gli stati elettronici unici presenti in questi materiali potrebbero trovare applicazioni nel calcolo quantistico, dove manipolare stati quantistici è essenziale per calcoli avanzati.
Riepilogo
Questa ricerca illustra il potenziale innovativo dei semimetalli di Dirac topologici nelle applicazioni energetiche. Man mano che gli studi continuano a chiarire le loro proprietà, l'obiettivo rimane quello di sfruttare questi materiali per creare sistemi più efficienti per la trasformazione dell'energia, contribuendo infine ai progressi nella tecnologia e nella sostenibilità.
Titolo: Extraordinary Thermoelectric Properties of Topological Surface States in Quantum-Confined Cd3As2 Thin Films
Estratto: Topological insulators and semimetals have been shown to possess intriguing thermoelectric properties promising for energy harvesting and cooling applications. However, thermoelectric transport associated with the Fermi arc topological surface states on topological Dirac semimetals remains less explored. In this work, we systematically examine thermoelectric transport in a series of topological Dirac semimetal Cd3As2 thin films grown by molecular beam epitaxy. Surprisingly, we find significantly enhanced Seebeck effect and anomalous Nernst effect at cryogenic temperatures when the Cd3As2 layer is thin. Combining angle-dependent quantum oscillation analysis, magnetothermoelectric measurement, transport modelling and first-principles simulation, we isolate the contributions from bulk and surface conducting channels and attribute the unusual thermoeletric properties to the topological surface states. Our analysis showcases the rich thermoelectric transport physics in quantum-confined topological Dirac semimetal thin films and suggests new routes to achieving high thermoelectric performance at cryogenic temperatures.
Autori: Wenkai Ouyang, Alexander C. Lygo, Yubi Chen, Huiyuan Zheng, Dung Vu, Brandi L. Wooten, Xichen Liang, Wang Yao, Joseph P. Heremans, Susanne Stemmer, Bolin Liao
Ultimo aggiornamento: 2023-08-31 00:00:00
Lingua: English
URL di origine: https://arxiv.org/abs/2308.16487
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.16487
Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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