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Effetti di deformazione e substrato nei monostrati di MoSe

La ricerca svela come lo strain e il substrato influenzano la generazione del secondo armonico nei monostrati di MoSe.

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MoSe Monostrati:MoSe Monostrati:Deformazione eSottostratoe substrato sulle proprietà ottiche.Uno studio rivela l'impatto di tensione
Indice

I monostrati di MoSe sono un tipo di materiale conosciuto come dichalcogenuri di metalli di transizione (TMD). Hanno una struttura unica che li rende oggetto di ricerca nell'ottica non lineare. Una proprietà interessante di questi materiali è la loro capacità di generare la generazione dell'armonica secondaria (SHG), un processo in cui due fotoni si uniscono per creare un nuovo fotone con il doppio dell'energia. Questo fenomeno può rivelare informazioni importanti sulla simmetria della struttura cristallina del materiale e su altri comportamenti a livello atomico.

Il Ruolo dello Stress nelle Risposte Ottiche Non Lineari

Uno dei fattori che influenzano l'efficienza della SHG nei monostrati di MoSe è lo stress. Lo stress può essere applicato a questi materiali in diversi modi, come allungandoli o comprimendoli o scegliendo il Substrato su cui vengono cresciuti. Gli effetti dello stress sulla SHG non sono semplici, con alcuni studi che suggeriscono che possa sia migliorare che ridurre l'intensità della SHG.

Per capire come lo stress influisca sui monostrati di MoSe, i ricercatori hanno cresciuto campioni di alta qualità in condizioni controllate. Utilizzando diversi substrati, possono creare vari livelli di stress e poi misurare le risposte ottiche del materiale.

Interferenza del Substrato e il Suo Impatto sulla SHG

L'intensità della SHG può anche essere influenzata dal substrato su cui sono posizionati i monostrati di MoSe. Quando la luce interagisce con il materiale, può verificarsi un'interferenza tra la luce riflessa dal monostrato e quella riflessa dal substrato. Questa interferenza può migliorare o ridurre la risposta della SHG, a seconda di vari fattori tra cui lo spessore del substrato e la lunghezza d'onda della luce utilizzata.

Le ricerche dimostrano che quando i monostrati di MoSe sono cresciuti su un substrato di ossido di silicio, l'intensità della SHG può aumentare significativamente rispetto a quando sono cresciuti su un altro tipo di substrato, come il nitruro di silicio. Questa differenza può essere attribuita agli effetti di interferenza dei due substrati diversi.

Confronto delle Proprietà Ottiche Sotto Diversi Stress

Negli studi condotti su questi monostrati, i ricercatori hanno osservato un notevole aumento dell'intensità della SHG quando i monostrati di MoSe sono stati posti sotto stress tenso biaxiale. Rispetto ai campioni non stressati, l'intensità della SHG può aumentare di diversi fattori. Questo è importante per applicazioni pratiche poiché mostra come modificare lo stress possa ottimizzare le proprietà ottiche di questi materiali.

Inoltre, quando i monostrati di MoSe subiscono uno stress unidirezionale-allungandosi in una direzione-la simmetria della struttura cristallina cambia. Questo porta a modifiche nel modo in cui il materiale interagisce con la luce, influenzando la risposta complessiva della SHG in certe direzioni di polarizzazione.

Risultati Sperimentali sugli Effetti dello Stress Biaxiale

In questi studi, i monostrati di MoSe sono stati cresciuti ad alte temperature utilizzando una tecnica chiamata deposizione di vapore fisico. La procedura di crescita scelta porta alla creazione di uno stress tenso biaxiale a causa dell'incompatibilità dell'espansione termica tra il monostrato e il suo substrato. Controllando attentamente il processo di crescita, i ricercatori sono stati in grado di raggiungere livelli specifici di stress.

Quando le proprietà ottiche di questi campioni sono state misurate utilizzando tecniche come fotoluminescenza e spettroscopia Raman, sono emersi chiari segni di stress. Ad esempio, l'emissione di luce dal materiale ha mostrato uno spostamento nei livelli di energia, indicando la presenza di effetti da stress.

Significato delle Proprietà Ottiche Non Lineari

L'alta suscettibilità non lineare dei monostrati di MoSe li rende molto efficienti nella SHG. Questi materiali sono stati identificati come ottimi candidati per applicazioni in fotonica e optoelettronica. La loro capacità di generare SHG significa che possono essere utilizzati in dispositivi che coinvolgono mescolanza di frequenze, elaborazione dei segnali e tecnologie di rilevamento.

Con il continuo approfondimento di queste ricerche, si scopre che non solo lo stress gioca un ruolo nel migliorare la SHG, ma anche la scelta del substrato è fondamentale. La combinazione degli effetti del substrato e della regolazione dello stress offre una strada promettente per migliorare le prestazioni dei dispositivi ottici basati sui monostrati di MoSe.

Direzioni Future nella Ricerca

Con il progresso della ricerca sui monostrati di MoSe, emergono diverse strade per il lavoro futuro. Una delle aree di interesse è l'esplorazione di substrati diversi e dei loro effetti sulla SHG. Comprendere come i diversi materiali interagiscano con i monostrati può portare a migliori progetti per dispositivi ottici.

Un'altra area di indagine futura è l'ottimizzazione dello stress. I ricercatori sono interessati a come possano essere applicati diversi livelli di stress durante il processo di crescita e quale sarà l'effetto finale sulle proprietà ottiche del materiale.

Inoltre, l'impatto della temperatura e delle condizioni ambientali sulle risposte ottiche non lineari merita uno studio approfondito. Sapere come questi fattori influenzino il comportamento dei monostrati di MoSe può aiutare nello sviluppo di applicazioni robuste.

Conclusione

In sintesi, lo studio dei monostrati di MoSe fornisce preziose intuizioni sulla relazione tra stress, scelta del substrato e risposte ottiche non lineari come la generazione dell'armonica secondaria. Le scoperte evidenziano l'importanza sia dello stress che dell'interferenza del substrato nell'aumentare l'intensità della SHG. Con il proseguire della ricerca, questi materiali promettono di avere un ruolo significativo nell'avanzamento delle tecnologie in fotonica e optoelettronica, aprendo la strada a applicazioni innovative in futuro.

Fonte originale

Titolo: Substrate interference and strain in the second harmonic generation from MoSe$_2$ monolayers

Estratto: Nonlinear optical materials of atomic thickness--such as non-centrosymmetric 2H transition metal dichalcogenide monolayers--have a second order nonlinear susceptibility ($\chi^{(2)}$) whose intensity can be tuned by strain. However, whether $\chi^{(2)}$ is enhanced or reduced by tensile strain is a subject of conflicting reports. Here, we grow high-quality MoSe$_2$ monolayers under controlled biaxial strain created by two different substrates, and study their linear and non-linear optical responses with a combination of experimental and theoretical approaches. A 15-fold overall enhancement in second harmonic generation (SHG) intensity is observed on MoSe$_2$ monolayers grown on SiO$_2$ when compared to its value when on a Si$_3$N$_4$ substrate. A seven-fold enhancement was ascertained to substrate interference, and a factor of two to the enhancement of $\chi^{(2)}$ arising from biaxial strain: substrate interference and strain are independent handles to engineer the SHG strength of non-centrosymmetric 2D materials.

Autori: S. Puri, S. Patel, J. L. Cabellos, L. E. Rosas-Hernandez, S. Barraza-Lopez, B. Mendoza, H. Nakamura

Ultimo aggiornamento: 2024-07-01 00:00:00

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2407.01339

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2407.01339

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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