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# Fisica# Scienza dei materiali# Fisica della Mesoscala e della Nanoscala# Superconduttività# Fisica quantistica

Studiare i difetti nei sistemi a due livelli nei circuiti quantistici

Una nuova tecnica fa luce sui difetti che influiscono sulle prestazioni del calcolo quantistico.

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I Circuiti Quantistici superconduttori sono dispositivi che possono fare calcoli a temperature davvero basse. Questi circuiti possono essere influenzati da piccolissimi difetti nella loro struttura, chiamati difetti a due livelli (TLS). Questi difetti possono causare problemi come rumore e instabilità, rendendo i circuiti meno affidabili. Capire questi difetti è fondamentale per migliorare le prestazioni dei computer quantistici.

Che cosa sono i TLS?

I TLS si trovano in materiali che non hanno una struttura chiara, come il vetro. Si comportano in modo unico a temperature basse. I ricercatori stanno cercando di capire da dove vengono questi difetti e come funzionano. Nonostante tanti anni di ricerche, la natura esatta di questi difetti rimane poco chiara.

Perché studiare i TLS?

Con l'avanzare della tecnologia informatica quantistica, è diventato sempre più urgente studiare i TLS. Questi difetti possono influenzare notevolmente le prestazioni dei circuiti quantistici. Anche un solo difetto può causare problemi significativi. Per far funzionare i computer quantistici in modo efficace, i componenti chiamati qubit devono essere stabili e mantenere la loro coerenza. Questo significa che servono nuovi metodi per trovare e studiare i TLS nei circuiti mentre sono in uso.

Sfide nello studio dei TLS

Trovare e identificare i TLS nei circuiti è complicato. I metodi tradizionali, come osservare come si comportano i qubit in presenza di difetti, possono fornire alcune informazioni, ma non danno un quadro chiaro di dove si trovano i difetti o di cosa siano fatti. Tecniche convenzionali come la microscopia a scansione a tunneling o la microscopia a forza atomica possono esaminare le superfici con grande dettaglio, ma non possono facilmente misurare i livelli energetici dei TLS.

Nuova Tecnica: Microscopia a scansione di gate

Una nuova approccio chiamato microscopia a scansione di gate (SGM) è stata sviluppata per affrontare le sfide dello studio dei TLS. Questo metodo può esaminare circuiti superconduttori attivi a temperature molto basse e può identificare le posizioni dei singoli TLS. L'SGM utilizza una punta affilata, simile a quelle usate nelle tecniche di scansione normali, ma può anche misurare i campi elettrici.

Configurazione Sperimentale

Nello studio, i ricercatori hanno usato una configurazione speciale per eseguire SGM su un circuito quantistico Superconduttore. La punta è tenuta sopra il circuito e può sia immagini la superficie che applicare campi elettrici locali. Questo permette ai ricercatori di regolare direttamente i livelli energetici dei TLS, rendendo possibile identificarli.

Come funziona

Utilizzando la tecnica SGM, i ricercatori possono creare immagini che mostrano dove si trovano i TLS nel circuito. Possono anche dedurre le orientazioni dei momenti elettrici dipolari di questi difetti. Queste informazioni non erano facilmente ottenibili in passato.

Risultati dello Studio

Applicando questa nuova tecnica, i ricercatori sono stati in grado di localizzare i difetti TLS individuali mentre il circuito era operativo. Hanno creato immagini dettagliate che mostrano le posizioni e i momenti dipolari elettrici di questi difetti. Questo consente di comprendere meglio come si comportano i TLS e dove si trovano.

Osservazioni sui TLS

Un'osservazione interessante è che i difetti TLS spesso appaiono come anelli nelle immagini prodotte dall'SGM. La dimensione e la forma di questi anelli possono cambiare a seconda dell'applicazione dei campi elettrici attraverso la punta. Un aumento della tensione applicata spesso fa sì che gli anelli si restringano, il che fornisce prove della presenza di TLS.

Importanza dei Risultati

Combinando i dati dell'SGM con le informazioni strutturali dei materiali, i ricercatori possono avvicinarsi a comprendere cosa causa i TLS. Questo potrebbe portare a strategie per ridurre gli effetti negativi di questi difetti, che sarebbero utili per i futuri circuiti quantistici.

Applicazione dei Risultati

La capacità di identificare i difetti TLS nei circuiti attivi è vitale per migliorare la qualità dei computer quantistici superconduttori. Questo nuovo metodo aiuterà negli sforzi continui per creare qubit più stabili e in grado di operare con maggiore coerenza. Inoltre, conoscere le caratteristiche dei TLS può guidare gli ingegneri nella progettazione di materiali e dispositivi migliori.

Direzioni Future

La ricerca evidenzia il potenziale per ulteriori avanzamenti in questo campo. Gli esperimenti futuri possono costruire su queste tecniche per fornire approfondimenti più approfonditi sui TLS. Applicando campi elettrici in diverse direzioni e utilizzando metodi di imaging migliorati, gli scienziati possono ottenere dati più completi sui TLS.

Conclusione

In sintesi, lo studio dei TLS nei circuiti quantistici superconduttori ha fatto significativi progressi con lo sviluppo della microscopia a scansione di gate. Questa tecnica consente ai ricercatori di osservare e caratterizzare direttamente i difetti TLS mentre i circuiti sono in funzione. La capacità di individuare questi difetti e capire la loro natura è cruciale per il futuro dell'informatica quantistica, poiché apre la strada a dispositivi quantistici più affidabili ed efficaci. I risultati di questa ricerca contribuiranno agli sforzi in corso per migliorare i circuiti superconduttori e potenziare le loro prestazioni nelle applicazioni pratiche.

Fonte originale

Titolo: In-situ scanning gate imaging of individual two-level material defects in live superconducting quantum circuits

Estratto: The low temperature physics of structurally amorphous materials is governed by two-level system defects (TLS), the exact origin and nature of which remain elusive despite decades of study. Recent advances towards realising stable high-coherence platforms for quantum computing has increased the importance of studying TLS in solid-state quantum circuits, as they are a persistent source of decoherence and instability. Here we perform scanning gate microscopy on a live superconducting quantum circuit at millikelvin temperatures to locate individual TLS. Our method directly reveals the microscopic nature of TLS and is also capable of deducing the three dimensional orientation of individual TLS electric dipole moments. Such insights, when combined with structural information of the underlying materials, can help unravel the detailed microscopic nature and chemical origin of TLS, directing strategies for their eventual mitigation.

Autori: M. Hegedüs, R. Banerjee, A. Hutcheson, T. Barker, S. Mahashabde, A. V. Danilov, S. E. Kubatkin, V. Antonov, S. E. de Graaf

Ultimo aggiornamento: Aug 29, 2024

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2408.16660

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2408.16660

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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