Avanços no Cache de DRAM com TDRAM
TDRAM melhora o desempenho do cache de DRAM e a eficiência energética.
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Índice
- O Desafio com os Caches DRAM Atuais
- Apresentando o TDRAM
- Melhorias no Desempenho
- Avaliação do TDRAM
- O Papel dos Sistemas de Memória Heterogêneos
- Implementações Práticas
- Abordando as Limitações
- Arquitetura do TDRAM
- Mats de Tags e Probing Antecipado
- Eficiência Energética
- Avaliação do Sistema e Resultados
- Conclusão
- Fonte original
- Ligações de referência
À medida que a tecnologia avança, os computadores agora têm um grande poder de processamento e memória, tornando-os adequados para tarefas exigentes como aprendizado de máquina e inteligência artificial. Para atender à necessidade de velocidade e capacidade de memória, os fabricantes estão usando diferentes tipos de sistemas de memória. Esses sistemas combinam Memórias rápidas com memórias mais lentas, mas maiores, para lidar com mais dados de forma eficiente. No entanto, os sistemas de cache tradicionais baseados em SRAM (Memória Estática de Acesso Aleatório) estão se tornando menos eficazes, pois não podem crescer em tamanho. Para superar essa limitação, a DRAM (Memória Dinâmica de Acesso Aleatório) está sendo considerada para cache.
Caches DRAM Atuais
O Desafio com osEmbora os caches DRAM possam oferecer um Desempenho melhor, os designs existentes têm problemas significativos. Isso inclui altas penalidades por faltas de cache, movimento desnecessário de dados e conflitos entre faltas de cache e solicitações de dados. Quando um sistema tenta acessar dados que não estão no cache (uma falta), ele enfrenta um atraso ao recuperar os dados da memória principal. Isso pode desacelerar o desempenho geral.
Apresentando o TDRAM
Para resolver esses desafios, uma nova microarquitetura de DRAM chamada TDRAM (DRAM com Tags Melhoradas) foi proposta. O TDRAM melhora as tecnologias atuais adicionando pequenas mats rápidas no mesmo chip para armazenar tags e metadados, permitindo acesso mais rápido e melhor uso da memória.
Melhorias no Desempenho
O TDRAM permite um acesso mais rápido às tags, o que significa que o sistema pode determinar mais rapidamente se os dados estão no cache. Essa redução no tempo ajuda a diminuir o atraso quando os dados não são encontrados no cache, melhorando o desempenho geral. Além disso, tendo um buffer de descarga para lidar com faltas de gravação, o TDRAM ajuda a evitar atrasos nas transferências de dados.
Avaliação do TDRAM
Essa nova tecnologia foi avaliada usando um simulador de sistema completo em várias aplicações de computação de alto desempenho. Os resultados mostraram que o TDRAM proporcionou uma verificação de tags mais de 2,6 vezes mais rápida, um aumento de 1,2 vezes no desempenho e 21% menos consumo de energia em comparação com sistemas de cache tradicionais.
O Papel dos Sistemas de Memória Heterogêneos
Hoje, os computadores são projetados para ter bom desempenho em várias tarefas e cargas de trabalho. Para alcançar isso, sistemas de memória heterogêneos são utilizados, combinando memória de alta velocidade como HBM (Memória de Alta Largura de Banda) com memória maior, mas mais lenta. Essa combinação busca oferecer o melhor dos dois mundos: velocidade e capacidade.
Implementações Práticas
Fabricantes como a Intel estão aplicando caches DRAM baseados em HBM em seus designs. Essa integração ajuda a aumentar a capacidade de memória e a superar as limitações enfrentadas pelos caches tradicionais. No entanto, problemas permanecem com os designs atuais de cache DRAM, levando a possíveis desacelerações em aplicações com uso significativo de memória.
Abordando as Limitações
Os caches DRAM existentes enfrentam um problema crítico: acessar tags e metadados deve ocorrer antes que qualquer dado possa ser recuperado da memória. Isso significa que uma operação de leitura separada é necessária para verificar o status da tag, o que leva tempo extra. O TDRAM aborda isso permitindo que acessos a tags e dados ocorram simultaneamente, minimizando os tempos de espera e melhorando a eficiência geral.
Arquitetura do TDRAM
O TDRAM se baseia na arquitetura HBM3 existente, mas faz várias alterações importantes:
- Introduz um barramento Hit-Miss (HM) para ajudar a comunicar rapidamente os resultados das verificações de tags.
- Cria dois novos comandos que podem acessar tanto o armazenamento de tags quanto o de dados simultaneamente, acelerando ainda mais o processo.
- Emprega um buffer de descarga para ajudar a gerenciar conflitos com dados "sujos" durante operações de gravação.
Mats de Tags e Probing Antecipado
O TDRAM usa um conjunto de mats menores e de baixa latência para armazenar tags, permitindo comparações rápidas. Quando solicitações são feitas, o TDRAM pode até iniciar verificações de tags durante períodos em que o barramento de memória está ocioso, acelerando ainda mais o processo. Essa estratégia é chamada de probing antecipado de tags, que reduz os tempos de espera e ajuda a evitar conflitos nas operações de memória.
Eficiência Energética
Além de aumentar o desempenho, o TDRAM também foca na eficiência energética. Ao reduzir o movimento desnecessário de dados, o TDRAM ajuda a diminuir o consumo de energia nas operações de memória. Isso é particularmente valioso, tendo em vista a preocupação crescente com o consumo de energia em ambientes de computação em larga escala.
Avaliação do Sistema e Resultados
Quando testado em comparação com designs comerciais atuais, o TDRAM mostrou resultados promissores. Ele alcançou melhorias significativas em velocidade e economia de energia, tornando-se um forte candidato na corrida por soluções de cache mais eficientes baseadas em DRAM. Isso foi particularmente evidente em tarefas com grandes necessidades de memória e altas taxas de falta.
Conclusão
O TDRAM representa um passo importante à frente na tecnologia de cache DRAM. Ao integrar novos recursos que melhoram a gestão de tags e agilizam o acesso a dados, promete oferecer melhor desempenho e eficiência energética. À medida que mais aplicações exigem memória de alta capacidade, designs como o TDRAM podem se tornar cada vez mais essenciais para sistemas de computação de próxima geração.
Título: TDRAM: Tag-enhanced DRAM for Efficient Caching
Resumo: As SRAM-based caches are hitting a scaling wall, manufacturers are integrating DRAM-based caches into system designs to continue increasing cache sizes. While DRAM caches can improve the performance of memory systems, existing DRAM cache designs suffer from high miss penalties, wasted data movement, and interference between misses and demand requests. In this paper, we propose TDRAM, a novel DRAM microarchitecture tailored for caching. TDRAM enhances HBM3 by adding a set of small low-latency mats to store tags and metadata on the same die as the data mats. These mats enable fast parallel tag and data access, on-DRAM-die tag comparison, and conditional data response based on comparison result (reducing wasted data transfers) akin to SRAM caches mechanism. TDRAM further optimizes the hit and miss latencies by performing opportunistic early tag probing. Moreover, TDRAM introduces a flush buffer to store conflicting dirty data on write misses, eliminating turnaround delays on data bus. We evaluate TDRAM using a full-system simulator and a set of HPC workloads with large memory footprints showing TDRAM provides at least 2.6$\times$ faster tag check, 1.2$\times$ speedup, and 21% less energy consumption, compared to the state-of-the-art commercial and research designs.
Autores: Maryam Babaie, Ayaz Akram, Wendy Elsasser, Brent Haukness, Michael Miller, Taeksang Song, Thomas Vogelsang, Steven Woo, Jason Lowe-Power
Última atualização: 2024-04-22 00:00:00
Idioma: English
Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2404.14617
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2404.14617
Licença: https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
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