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# Física# Física Quântica

Novo Design de Capacitor Promete Melhoria para Circuitos Quânticos

Um novo capacitor de silício-alumínio pode melhorar o desempenho de circuitos supercondutores.

Anthony McFadden, Aranya Goswami, Tongyu Zhao, Teun van Schijndel, Trevyn F. Q. Larson, Sudhir Sahu, Stephen Gill, Florent Lecocq, Raymond Simmonds, Chris Palmstrøm

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No mundo da tecnologia, a galera tá super interessada em criar Circuitos Supercondutores melhores pra computadores quânticos. Esses circuitos precisam de componentes pequenos que funcionem bem juntos. Um dos elementos importantes desses circuitos é o Capacitor, que armazena energia. Um desafio comum é que, conforme os capacitores vão ficando menores, eles tendem a perder mais energia, ficando menos eficientes. Esse artigo fala sobre um novo tipo de capacitor feito de alumínio e silício que promete melhorar os circuitos supercondutores.

O Que São Circuitos Supercondutores?

Circuitos supercondutores são tipos especiais de circuitos que usam materiais chamados supercondutores, que podem transportar eletricidade sem perder energia. Esses circuitos são usados pra criar Qubits, as unidades básicas de informação em um computador quântico. Qubits podem estar em vários estados ao mesmo tempo, permitindo que computadores quânticos façam cálculos complexos muito mais rápido que os computadores tradicionais.

Pra construir esses qubits, vários componentes como junções Josephson, indutores e capacitores são combinados. Cada componente tem seu papel, e eles precisam trabalhar juntos direitinho. Mas, se uma parte não funcionar bem, isso pode causar problemas no desempenho geral.

O Desafio dos Capacitores Pequenos

Quando os engenheiros tentam fazer circuitos supercondutores menores, eles geralmente enfrentam dificuldades. Capacitores menores costumam ter mais perda de energia, o que significa que não armazenam energia tão bem. Isso acontece por causa da contaminação do ambiente e outras imperfeições dos materiais. Esses problemas geralmente levam a uma perda de desempenho nos circuitos.

Pra resolver isso, os pesquisadores focaram em capacitores de placas paralelas, que são projetados pra minimizar a perda de energia. Esses capacitores usam materiais que conseguem reduzir os efeitos da contaminação e perda de energia, tornando-se opções melhores pra aplicações supercondutoras.

A Nova Abordagem: Fins de Silício

A solução inovadora apresentada é o uso de fins de silício pra criar esses capacitores de placas paralelas. Usando um processo que molda o silício em fins e cobre eles com alumínio, os pesquisadores desenvolveram um novo design de capacitor que mostra melhorias significativas de desempenho.

O silício é conhecido por ter baixa perda de energia, tornando-se um ótimo material pra esses capacitores. Os fins são cuidadosamente moldados usando uma técnica chamada litografia úmida anisotrópica, que molda os fins com dimensões precisas e superfícies planas. Esses fins então servem como o núcleo do capacitor.

Como Esses Capacitores Funcionam?

Esses novos capacitores são chamados de capacitores Si-fin. A estrutura deles ajuda a conter energia de forma eficaz, reduzindo a perda de energia. Os fins estão conectados a camadas de alumínio que ajudam a criar o elemento capacitivo necessário em ressonadores e qubits.

Na prática, quando a eletricidade passa por esses fins, a energia resultante é armazenada eficientemente. Esses capacitores foram incorporados com sucesso em ressonadores de elemento lumped e transmons, que são tipos de qubits.

Avaliação de Desempenho

O desempenho desses capacitores Si-fin foi testado usando sinais de micro-ondas. Os resultados foram impressionantes, mostrando baixa perda de energia mesmo em altas frequências. Por exemplo, alguns testes demonstraram que esses capacitores tinham fatores de qualidade interna maiores que 500.000, indicando que podiam lidar com mais energia sem perder.

Além disso, em testes envolvendo qubits, os capacitores Si-fin alcançaram tempos de coerência superiores a 25 microssegundos, sugerindo que podiam manter seu desempenho por períodos mais longos sem perda significativa de energia. Isso é um fator crucial para aplicações em computação quântica, onde manter a estabilidade do qubit é essencial.

Projetando os Circuitos

Na fase de design, as equipes construíram chips de ressonador e chips de transmon no mesmo wafer de silício. Essa integração permitiu testes e avaliação de desempenho mais precisos. Os ressonadores utilizam os fins de silício como capacitores, enquanto os transmons fazem uso de junções Josephson pra conectar os componentes.

O design dos ressonadores possui várias partes interconectadas que trabalham juntas pra garantir desempenho ótimo. Controlando a geometria e o tamanho dos fins, os pesquisadores podem ajustar a capacitância e o desempenho geral do circuito.

Processo de Fabricação

A criação desses fins requer um processo em várias etapas. Inicialmente, os wafers de silício são limpos e revestidos com camadas protetoras. Os fins são moldados usando litografia por feixe de elétrons e gravados pra formar as estruturas desejadas. Assim que os fins estão prontos, as camadas de alumínio são adicionadas pra criar os elementos capacitivos.

Atenção especial é dada às superfícies dos fins, já que qualquer contaminante pode levar a problemas de desempenho. Ao remover óxidos nativos e garantir superfícies limpas, a perda de energia pode ser ainda mais minimizada. O resultado é uma estrutura de capacitor bem definida que melhora o desempenho geral dos circuitos supercondutores.

Configuração de Medição

Depois do processo de fabricação, os chips são testados em temperaturas muito baixas, perto do zero absoluto. Esse ambiente é necessário pra observar o verdadeiro desempenho dos componentes supercondutores sem interferência do calor.

Essas medições envolvem o uso de ferramentas avançadas pra analisar a qualidade e perda de energia nos componentes. Os resultados são então compilados pra determinar quão eficazmente os capacitores e qubits performam sob várias condições.

Resultados e Discussão

Os experimentos confirmaram que os capacitores Si-fin superam muito os designs anteriores. As métricas de desempenho mensuradas mostraram que esses capacitores têm algumas das menores taxas de perda de energia já alcançadas em dispositivos similares.

Em particular, os fatores de qualidade internos dos ressonadores alcançaram números impressionantes, com várias medições superando 700.000. Esse nível de desempenho destaca o potencial desses capacitores em aplicações do mundo real.

Pros transmons, resultados semelhantes foram observados. Os fatores de qualidade dos qubits também estavam notablemente altos, indicando que os capacitores Si-fin proporcionam desempenho estável ao longo do tempo. Isso é crucial pra funcionalidade completa dos computadores quânticos, onde a coerência do qubit é vital pra cálculos.

Benefícios dos Capacitores Si-Fin

Uma das principais vantagens desses novos capacitores é seu tamanho compacto. Capacitores tradicionais podem ocupar muito espaço em um circuito, dificultando a integração em designs menores. Os capacitores Si-fin, por outro lado, têm um formato compacto que permite uma melhor disposição dos componentes.

Além disso, as propriedades de baixa perda desses capacitores os tornam adequados pra aplicações de alto desempenho. Eles podem suportar altas frequências e níveis de energia sem degradação, tornando-se ideais pra computação quântica, onde precisão e confiabilidade são essenciais.

Conclusão

O desenvolvimento dos capacitores Si-fin representa um passo significativo na busca por componentes melhores em circuitos supercondutores. Ao aproveitar as propriedades do silício e alumínio, os pesquisadores criaram um capacitor que minimiza a perda de energia enquanto mantém um tamanho compacto.

Esses avanços não só melhoram o desempenho dos dispositivos de computação quântica, mas também abrem caminho pra sistemas mais confiáveis e eficientes no futuro. À medida que a tecnologia continua a evoluir, o uso desses capacitores inovadores pode desempenhar um papel crítico no sucesso da computação quântica e de outros sistemas eletrônicos avançados.

Fonte original

Título: Fabrication and characterization of low-loss Al/Si/Al parallel plate capacitors for superconducting quantum information applications

Resumo: Increasing the density of superconducting circuits requires compact components, however, superconductor-based capacitors typically perform worse as dimensions are reduced due to loss at surfaces and interfaces. Here, parallel plate capacitors composed of aluminum-contacted, crystalline silicon fins are shown to be a promising technology for use in superconducting circuits by evaluating the performance of lumped element resonators and transmon qubits. High aspect ratio Si-fin capacitors having widths below $300nm$ with an approximate total height of 3$\mu$m are fabricated using anisotropic wet etching of Si(110) substrates followed by aluminum metallization. The single-crystal Si capacitors are incorporated in lumped element resonators and transmons by shunting them with lithographically patterned aluminum inductors and conventional $Al/AlO_x/Al$ Josephson junctions respectively. Microwave characterization of these devices suggests state-of-the-art performance for superconducting parallel plate capacitors with low power internal quality factor of lumped element resonators greater than 500k and qubit $T_1$ times greater than 25$\mu$s. These results suggest that Si-Fins are a promising technology for applications that require low loss, compact, superconductor-based capacitors with minimal stray capacitance.

Autores: Anthony McFadden, Aranya Goswami, Tongyu Zhao, Teun van Schijndel, Trevyn F. Q. Larson, Sudhir Sahu, Stephen Gill, Florent Lecocq, Raymond Simmonds, Chris Palmstrøm

Última atualização: 2024-08-23 00:00:00

Idioma: English

Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2408.01369

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2408.01369

Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Alterações: Este resumo foi elaborado com a assistência da AI e pode conter imprecisões. Para obter informações exactas, consulte os documentos originais ligados aqui.

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