Fe GeTeに関する研究は、効率的で揮発性のないメモリデバイスの可能性を示している。
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最先端の科学をわかりやすく解説
Fe GeTeに関する研究は、効率的で揮発性のないメモリデバイスの可能性を示している。
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研究によると、GdRuSiの重要な電子構造が将来の技術にとって重要なんだ。
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励起子絶縁体の独特な特性とその潜在的な応用について調査中。
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研究が中心対称材料における磁気スカーミオンの形成を明らかにした。
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研究が銅酸化物の超伝導性の違いについて明らかにしている。
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