H. Nakamura

研究は、MoSe単層における歪みと基板が二次高調波生成にどのように影響するかを明らかにしました。

研究者たちは、高度なオプトエレクトロニクスアプリケーションのために、単層MoSe2のエキシトンをストレインで操作してるよ。