Donghui Lu

Fe GeTeに関する研究は、効率的で揮発性のないメモリデバイスの可能性を示している。

研究によると、GdRuSiの重要な電子構造が将来の技術にとって重要なんだ。

研究が中心対称材料における磁気スカーミオンの形成を明らかにした。