低バッキル材料のユニークな構造を探る
シリセン、ゲルマネン、スタネンの魅力的な特性を見てみよう。
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目次
ローバックルド材料には、シリセン、ゲルマネン、スタネンが含まれてて、これはシリコン、ゲルマニウム、スズから作られた特別な形の材料だよ。これらの材料は、炭素から作られるグラフェンのような一般的な材料とは違うユニークな構造を持ってるから面白いんだ。このシリセンやゲルマネン、スタネンの原子の変わった配置は、電子機器や他の分野で役立つ特別な特性を持ってる可能性があるんだよ。
ローバックルド材料の構造
シリセン、ゲルマネン、スタネンは、蜂の巣形の原子の配置をしてるんだ。この構造では、二つの異なるグループ(AサブラティスとBサブラティス)の原子がパターンを作るんだ。あるグループの原子は、もう一方のグループの原子よりも少し高かったり低かったりするから、「ローバックルド」って名前がついてる。この配置は、材料が熱や他の環境の変化にさらされたときの挙動に影響を与えるんだ。
シリコン、ゲルマニウム、スズの原子番号は炭素よりも大きい。このことから、シリセンやゲルマネン、スタネンは独特な電気的特性を持つ二次元材料として役立つ可能性があるんだ。
シリセンにおける相転移
シリセンの重要な観察の一つは、加熱されたときに構造が変わる能力だよ。温度が約600ケルビンに上がると、シリセンはローバックルド構造からより平らな構造に移行することができる。この変化は、材料のエネルギーの景観が異なる構成を探索できるから起こるんだ。
でも、900ケルビンくらいになると、シリセンはもう一つの変化を経てアモルファスになる、つまりはっきりとした構造を失うんだ。これらの変化は、材料の電子的特性に大きな影響を与えるから、高温での日常的な電子機器への利用にはあまり適さなくなるんだよ。
ゲルマネンの挙動
ゲルマネンはシリセンとは違った挙動をするんだ。平面的な構造に変わる代わりに、ゲルマネンは高温でもローバックルドのままなんだ。ただし、675ケルビンくらいに加熱されると、シリセンと同じようにアモルファスになるんだ。けど、エネルギーギャップは安定していて、電子機器にとっては有利なんだ、温度変化による電子状態の広がりがあっても。
スタネンの特性
スタネンも独特なパターンを示すんだ。温度が上がると、スタネンは約325ケルビンでより秩序のある結晶構造に移行するんだ。シリセンやゲルマネンとは違って、スタネンはハイバックルド形態でより安定してて、ローバックルドから平面的な転移は示さないんだ。これは、そのような変換を防ぐ大きなエネルギー障壁があるからだよ。この構造の安定性のおかげで、スタネンはいろんな電子機器の用途に役立つ可能性があるんだ。
エネルギーの景観を理解する
これらの材料のエネルギーの景観を理解することは、様々な条件下での挙動を知る上で重要なんだ。各材料には、ある構造から別の構造に移行するのがどれくらい簡単かを決める特定のエネルギー障壁があるんだ。シリセンは平面的な形態に移行するためのエネルギー障壁が比較的低くて、ゲルマネンやスタネンはもっと高い障壁を持ってるから、そんな移行は起こりにくいんだ。
エネルギーの景観を視覚化することで、材料の局所的な最小エネルギー構成が分かるんだ。シリセンには二つの縮退した構成が存在するけど、ゲルマネンやスタネンはハイバックルド構造を好むことが分かるんだ。これらの洞察は、実際の条件でこれらの材料がどう機能するかを予測するのに重要なんだよ。
シリセンの有限温度での挙動
シリセンが加熱されると、温度の変動を監視することで、どんな構造変化をしてるかをよりよく理解できるんだ。温度が上がるにつれて、原子の配置がよりダイナミックになるんだ。約600ケルビンで、材料はより平面的な構造に平均化し始めることが観察できて、これは相転移を示してるんだよ。
さらに、材料のエネルギーも変わるんだ。温度が高くなると、エネルギーは増加する傾向にあるんだけど、900ケルビンでのエネルギーの劇的な低下は、シリセンが無秩序な状態に変わったことを示してるんだ。
ペア相関関数を理解することで、温度に伴う原子の配置の変化について貴重な洞察が得られる。低温では、相関関数のピークははっきりとした六角格子構造を示してる。一方、温度が900ケルビンに近づくと、はっきりしたピークが失われて、アモルファスな挙動にシフトすることを示してるんだ。
オーダーパラメータの分析
オーダーパラメータは、シリセンの内部の転移を理解する上で重要な側面なんだ。最初はすべての原子が高い位置に配置されてるけど、温度が上がるにつれて、一部の原子が低い位置に落ちて、全体の構造に変化があることを示すんだ。この挙動は、温度の関数として原子の平均高さを観察することで明らかになるんだよ。
平均高さがゼロの周りで大きく変動すると、材料が両方の構成を同じくらい探っていて、平面的な構造に移行していることを示唆している。これは、高温で構造的な変化が起こっていることを確認するんだ。
高温におけるゲルマネンの挙動
ゲルマネンの温度変化への反応は、異なるシナリオを示してるんだ。エネルギー障壁がゲルマネンを平面的な状態に移行させないけど、高温ではアモルファスになりやすい傾向があるんだ。この挙動は、そのローバックルド構造の不安定さを示してるんだよ。
ゲルマネンの振動特性も温度によって変わり、振動帯が目立って柔らかくなるんだ。シリセンとは違って、ゲルマネンは無秩序な相に移行するまでエネルギーギャップを維持するから、熱的ストレス下でも強いことを示してるんだ。
スタネンのユニークな転移
スタネンはシリセンやゲルマネンとは全く違った挙動をするんだ。スタネンが平面的な構成に移行するためのエネルギー障壁はかなり高くて、この変化を防いでるんだ。代わりに、スタネンは約325ケルビンでバルクライクな相に移行できて、より構造的な配置を好むことを示してるんだ。
スタネンの転移は、他の二つの材料で観察されるような秩序の喪失を示さないんだ。代わりに、ペア相関関数はこの新しいバルク相への明確な転移を示し、よりはっきりとしたピークが確認されて、秩序のある構造が形成されたことを示してるんだよ。
振動特性の要約
これらの材料の振動モードも、その安定性や相転移についての洞察を提供するんだ。温度が上がるにつれて、シリセンの振動モードは柔らかくなって、より大きな変動が起きるんだ。一方、ゲルマネンは融点に達するまで似たような振動特性を持ち続けるんだ。
スタネンは、温度の変化があっても振動特性が一貫していて、堅牢な構造を示してる。この振動モードの安定性は、幅広い温度範囲で電子特性を保持する能力と関連してるんだよ。
電子特性への影響
これらの材料の電子特性は、その構造変化に大きく影響されるんだ。シリセンでは、小さなSOC起因のバンドギャップが高温で大きな変動を経験するから、実用的な用途にはあまり信頼できなくなる。
対照的に、ゲルマネンは大きくて安定したバンドギャップを示していて、温度が上がっても持続するんだ。この特性が、電子用途にとって有望な候補にしてるんだよ。
スタネンも堅牢な電子バンドギャップを示していて、構造変化があっても好ましい電子特性を維持する独特の能力を持ってるんだ。
結論
シリセン、ゲルマネン、スタネンは、温度変化によって重要な構造変化をする二次元材料の興味深い事例を提供してるんだ。それぞれの材料はユニークな挙動を示すけど、すべてが熱変動に敏感っていう共通の特徴を持ってるんだ。
シリセンのアモルファス状態への移行は、実用環境での利用を制限するけど、ゲルマネンはより安定した構造を維持して信頼できるエネルギーギャップを持つんだ。スタネンは秩序ある配置を失うことなくバルク相に移行するから際立ってるんだ。
全体的に、これらの材料が異なる温度でどう振る舞うかを理解することは、電子機器やナノテクノロジーにおける潜在的な用途にとって重要なんだ。これらの発見は、特性や可能な用途のさらなる探求への道を開いてるんだよ。
タイトル: Thermally-driven phase transitions in freestanding low-buckled silicene, germanene, and stanene
概要: Low-buckled silicene, germanene, and stanene are group$-IV$ graphene allotropes. They form a honeycomb lattice out of two interpenetrating ($A$ and $B$) triangular sublattices that are vertically separated by a small distance $\Delta_z$. The atomic numbers $Z$ of silicon, germanium, and tin are larger to carbon's ($Z_C=6$), making them the first experimentally viable two-dimensional topological insulators. Those materials have a twice-energy-degenerate atomistic structure characterized by the buckling direction of the $B$ sublattice with respect to the $A$ sublattice [whereby the $B-$atom either protrudes {\em above} ($\Delta_z>0$) or {\em below} ($\Delta_z
著者: John M. Davis, Gustavo S. Orozco-Galvan, Salvador Barraza-Lopez
最終更新: 2023-03-14 00:00:00
言語: English
ソースURL: https://arxiv.org/abs/2303.08237
ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2303.08237
ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。
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参照リンク
- https://doi.org/
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.61.2015
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.95.226801
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.155426
- https://doi.org/10.1103/RevModPhys.77.1375
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.236804
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.14916
- https://doi.org/10.1021/jp203657w
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.241408
- https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00208
- https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002
- https://doi.org/10.1021/am501022x
- https://doi.org/10.1021/jp303646e
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.136804
- https://doi.org/10.1063/1.3524215
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.155501
- https://doi.org/10.1021/acsnano.8b07006
- https://doi.org/10.1038/s41598-022-10943-0
- https://doi.org/10.1038/nmat4384
- https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac1255
- https://doi.org/10.1088/0034-4885/79/12/126501
- https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2014.12.003
- https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/44/443002
- https://doi.org/10.1002/smll.201805147
- https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8410
- https://doi.org/doi:10.1515/phys-2022-0021
- https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b04613
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.117.246802
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.024110
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.015703
- https://doi.org/10.1063/5.0030751
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.035421
- https://doi.org/10.1103/RevModPhys.93.011001
- https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c03373
- https://doi.org/10.1038/nphys3492
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.104108
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.214105
- https://doi.org/10.1017/CBO9780511805769
- https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/11/302
- https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2014.11.026
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865
- https://doi.org/10.1038/srep12923
- https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.124004
- https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.206803
- https://doi.org/10.1021/acsnano.7b02756
- https://doi.org/10.1038/nphys781
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.201405
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.155436
- https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.05.002
- https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.121403