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# 物理学# 計測と検出器

未来の物理学のためにCMS検出器をアップグレードする

CMS検出器は、新しいカロリメーターシステムでデータ収集を改善するように設定されてる。

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CMS検出器の新しい時代がCMS検出器の新しい時代が始まる向けた放射線の課題に取り組んでるよ。強化されたシリコンセンサーが未来の実験に
目次

大型ハドロン衝突型加速器(LHC)のコンパクトミュオソリノイド(CMS)検出器が、性能向上のためにアップグレードされるんだ。交換される主要なコンポーネントのひとつがエンドキャップカロリメーターで、今回は高い粒度のカロリメーターに置き換えられるよ。この新しいシステムは、将来予想される高ルミノシティ環境で粒子シャワーの位置、エネルギー、タイミングに関する詳細な情報を提供することを目指しているんだ。

高粒度カロリメーター

新しい高粒度カロリメーターは、厚さが120、200、300マイクロンのシリコンパッドセンサーを使用するよ。このセンサーは、具体的には1MeV中性子相当のフルエンスや最大1.5メガグレイの線量に耐えられる必要があるんだ。高エネルギー物理学(HEP)実験、特にLHCの実験では、放射線がシリコン検出器にダメージを与えることがわかっているんだ。

シリコンセンサーに対する放射線の影響

シリコンセンサーは放射線にさらされると、表面に正に帯電した層が蓄積され、センサーの機能を乱すことがあるんだ。このチャージの蓄積は、センサーが粒子を正確に検出する能力に干渉し、それによって実験中のデータ収集に影響を与える可能性があるよ。

静電容量-電圧特性評価

放射線がこれらのセンサーに与える影響をより理解するために、研究者たちはさまざまな種類のシリコンデバイスに対して静電容量-電圧測定を行っているよ。特に、事前照射された金属酸化物半導体(MOS)コンデンサに焦点を当て、測定によって放射線がどのようにその挙動を変えたかを明らかにできるんだ。静電容量-電圧特性は、酸化膜内の固定されたチャージと捕捉されたチャージの密度によって変わるよ。

電極間絶縁の重要性

センサーの性能の一つに電極間絶縁があるんだ。これは、異なる電極間で良好な分離を維持する能力を指していて、正確な読み取りには不可欠なんだ。放射線によって誘発されたチャージが蓄積されると、この絶縁が劣化して、データ収集中に問題が生じる可能性があるよ。

処理パラメータの最適化

これらの放射線誘発チャージがシリコンセンサーでどのように挙動するかを研究することで、研究者たちはデバイスの性能に影響を与える処理パラメータを調整できるんだ。これは特に高ルミノシティ環境で放射線レベルがかなり高くなることを考えると重要なんだ。これらのチャージを管理する方法を理解することで、センサーシステムの全体的な効率と精度が向上するよ。

高粒度カロリメーターへの移行

新しい高粒度カロリメーターの設計は、従来のシリコンオンインシュレータデバイスよりも高い放射線レベルを管理できるシリコンセンサーを活用するよ。こうした改善には、穴を使うのではなく電子を集める方法へのシフトが含まれていて、パフォーマンスが向上するんだ。これらの設計では、電極でのチャージ収集効率を高めるために電場が重なり合っているんだ。

負のチャージに関する課題

進歩にもかかわらず、一部のシリコンセンサーは正の界面チャージの蓄積に関する課題に直面しているんだ。この蓄積は、解像度や信号品質を損なう導電経路を作り出すことがあるよ。こうした影響を軽減するために、エンジニアはしばしば電極間に絶縁インプラントを実装するんだ。

テストプロセス

この研究では、性能を評価するために6インチと8インチのウエハを基にしたさまざまなテスト構造を利用したよ。テストは、高放射線環境を模した条件下でデバイスが安定して信頼性を保つことを確認する手順を含んでいるんだ。測定には、構造の変化がセンサーの性能にどのように影響するかを調べることが含まれているよ。

転位損傷の影響

放射線曝露による転位損傷は、シリコン検出器の性能を決定する上で重要なんだ。この損傷はシリコン格子内に欠陥を引き起こし、さらにチャージ輸送に影響を与え、応答時間を遅くすることがあるよ。この影響を理解することで、研究者たちは損傷を最小限に抑えるためにセンサー設計を調整できるんだ。

特性評価研究からの発見

特性評価研究から、放射線によって導入される深いトラップがセンサーの機能に大きな影響を与えることが明らかになったよ。これらのトラップはキャリアを捕まえて、センサーがさまざまな条件下でどれだけよく機能するかに影響を与えるんだ。これらのトラップの密度は、性能を維持するためにコントロールする必要がある重要な要素なんだ。

チャージダイナミクスの理解

この研究では、特に加えた電圧に応じてトラップされたチャージがどのように変化するかに関する動的な側面も扱っているよ。トラップされたチャージと移動可能なチャージ間の相互作用は、センサー応答の変動を引き起こすことがあるんだ。これらの相互作用を理解することで、高放射線条件をよりうまく扱えるセンサーの設計に役立つんだ。

設計改善に関する最終的な所感

結論として、特に改善された電極間絶縁を可能にするセンサー設計の進歩は、今後のHEP実験の成功において重要な役割を果たすことになるよ。高ルミノシティ環境がますます難しい課題を呈する中で、継続的な研究開発が、センサーがこれらの厳しい条件下で耐え、効果的に機能できるようにするために不可欠なんだ。シリコン検出器の性能向上への取り組みは、粒子物理学研究の分野で重要な前進を示しているよ。

要約

CMS検出器のアップグレードは、高粒度カロリメーターと改善されたシリコンセンサーの導入を通じて、高放射線環境でのデータ収集能力を向上させることを目指しているんだ。継続的な研究は、放射線損傷の課題に対処しながら、検出器全体の性能を向上させ続けるよ。センサー設計を洗練させ、電極間絶縁を改善することで、次世代の粒子検出器は現代の物理実験の要求にしっかりと対応できるようになるんだ。

オリジナルソース

タイトル: A method to observe field-region oxide charge and inter-electrode isolation from $CV$-characteristics of $n$-on-$p$ devices

概要: $N$-on-$p$ silicon sensors will be utilized in the Compact Muon Solenoid (CMS) detector's tracker and High Granularity Calorimeter (HGCAL) in the High Luminosity upgrade of the Large Hadron Collider (HL-LHC). Among their several advantages in terms of radiation hardness over the traditional $p$-on-$n$ sensors in the extreme radiation environment of the HL-LHC are electron collection instead of holes and overlapping maxima of weighting and electric fields at the charge-collecting electrodes. The disadvantage of the multi-channel SiO$_2$-passivated $n$-on-$p$ sensors is the generation of an inversion layer under the Si/SiO$_2$-interface by a positive interface-oxide-charge ($N_\textrm{ox}$) that at high densities can compromise the position resolution by creating a conduction channel between the electrodes. This issue is typically addressed by including additional isolation implants ($p$-stop, $p$-spray) between $n^+$-electrodes. Focusing on the guard-ring regions of $n$-on-$p$ sensors where no isolation implants are applied between the electrodes, a capacitance-voltage ($CV$) characterization study of both 6-inch wafer test diodes and 8-inch HGCAL prototype and pre-series sensors showed a distinct threshold voltage ($V_\textrm{th,iso}$) in the $CV$-characteristics of a biased $n^+$-electrode when its enclosing guard-ring was left floating. When reproduced by simulations, the measured $V_\textrm{th,iso}$ was found to contain information on the field-region $N_\textrm{ox}$ and indicate the threshold where the two electrodes become electrically isolated by the influence of the reverse bias voltage. Together with previous studies on the inter-electrode isolation of irradiated $n$-on-$p$ sensors, the results indicate that position sensitive $n$-on-$p$ sensors without isolation implants may be feasible in future HEP experiments.

著者: T. Abdilov, N. Akchurin, C. Carty, Y. Kazhykarim, V. Kuryatkov, T. Peltola, A. Wade

最終更新: 2024-08-21 00:00:00

言語: English

ソースURL: https://arxiv.org/abs/2402.04365

ソースPDF: https://arxiv.org/pdf/2402.04365

ライセンス: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

変更点: この要約はAIの助けを借りて作成されており、不正確な場合があります。正確な情報については、ここにリンクされている元のソース文書を参照してください。

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