Progressi nelle celle termofotovoltaiche nel medio infrarosso
Nuove celle TPV compatibili con il silicio promettono costi più bassi e una maggiore efficienza energetica.
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Indice
- Tecnologia Attuale e le Sue Limitazioni
- Un Nuovo Approccio: Semiconduttori di Gruppo IV
- Design e Struttura delle Nuove Celle TPV
- Valutazione delle Prestazioni
- Importanza della Temperatura nelle Prestazioni
- Il Ruolo della Qualità della Superficie
- Impatto dei Riflettori
- Analisi di Diversi Materiali
- Il Futuro della Tecnologia TPV
- Applicazioni e Vantaggi
- Conclusione
- Fonte originale
- Link di riferimento
Le celle termofotovoltaiche (TPV) a media infrarossa sono dispositivi progettati per convertire il Calore in elettricità, in particolare da fonti ad alta temperatura. Queste celle sono utili in molti settori, incluso il recupero di calore di scarto, dispositivi energetici portatili e missioni spaziali. Funzionano meglio assorbendo la luce infrarossa emessa da oggetti caldi, come processi industriali o anche il sole.
Tecnologia Attuale e le Sue Limitazioni
La maggior parte dei dispositivi TPV a media infrarossa utilizza semiconduttori composti. Questi materiali possono assorbire la luce infrarossa in modo efficace, ma sono spesso molto costosi da produrre. Questo alto costo ne limita l'uso in applicazioni più ampie. Un nuovo approccio cerca di utilizzare materiali compatibili con il silicio per superare queste sfide e rendere i dispositivi a media infrarossa più accessibili.
Un Nuovo Approccio: Semiconduttori di Gruppo IV
I ricercatori stanno ora esplorando l'uso dei semiconduttori di tutti i gruppi IV per le celle TPV a media infrarossa. Questi materiali possono essere coltivati su wafer di silicio, rendendoli più economici da produrre. Modificando il rapporto di stagno in questi semiconduttori, è possibile controllare la loro capacità di assorbire la luce infrarossa. Questa flessibilità consente a questi dispositivi di funzionare su un’ampia gamma di lunghezze d'onda infrarosse.
Design e Struttura delle Nuove Celle TPV
Il design proposto per la cella TPV utilizza una doppia eterostruttura germanio-stagno completamente rilassata costruita su un wafer di silicio. Variando la quantità di stagno in questo Semiconduttore, il dispositivo può coprire l'intero intervallo medio infrarosso, il che è cruciale per massimizzare la generazione di elettricità da varie fonti di calore.
Valutazione delle Prestazioni
Le prestazioni di queste nuove celle TPV vengono misurate dalla loro Efficienza di conversione energetica (PCE). In parole semplici, la PCE indica quanto bene un dispositivo converte il calore in arrivo in elettricità utilizzabile. Il nuovo design prevede che le efficienze possano raggiungere fino al 9% in condizioni ideali. Fattori come lo spessore degli strati semiconduttori e il modo in cui assorbono la luce giocano un ruolo critico nel determinare quanto bene questi dispositivi funzionano.
Importanza della Temperatura nelle Prestazioni
La temperatura della fonte di calore influisce notevolmente sull'efficienza delle celle TPV. Quando la temperatura aumenta, più luce infrarossa viene emessa, permettendo alle celle di assorbire più energia e generare più elettricità. Questo significa che temperature più elevate portano generalmente a prestazioni migliori.
Il Ruolo della Qualità della Superficie
Per qualsiasi cella TPV, la qualità della superficie e delle interfacce è fondamentale. Le imperfezioni possono intrappolare elettroni e ridurre l’efficienza. I ricercatori hanno scoperto che l'uso di materiali di alta qualità con meno difetti può migliorare notevolmente le prestazioni di questi dispositivi. Questo miglioramento sottolinea la necessità di processi di produzione accurati.
Impatto dei Riflettori
L'uso di riflettori, in particolare sul retro delle celle TPV, può aumentare la loro efficienza. I riflettori aiutano a rimbalzare la luce infrarossa non assorbita nella cella, dando un'altra possibilità di essere assorbita. Questa aggiunta potrebbe migliorare le prestazioni delle celle su una gamma di temperature.
Analisi di Diversi Materiali
Diversi materiali semiconduttori sono stati testati per la loro efficacia nelle celle TPV a media infrarossa. Tra questi, quelli basati su InAsSbP (arseniuro di indio antimonide fosfuro) mostrano promesse, ma comportano la propria serie di sfide legate ai costi e alla complessità. Al contrario, le celle semiconduttrici di gruppo IV sono più convenienti e più facili da produrre su larga scala.
Il Futuro della Tecnologia TPV
La ricerca e lo sviluppo in corso nella tecnologia TPV offrono grandi promesse per rendere l'energia rinnovabile più efficiente e accessibile. Migliorando materiali e design, i ricercatori puntano a creare dispositivi che possano sfruttare meglio il calore di scarto. Questo sviluppo potrebbe portare a sistemi energetici più sostenibili e costi energetici più bassi.
Applicazioni e Vantaggi
Le potenziali applicazioni per le celle TPV avanzate sono estese. Potrebbero essere utilizzate in contesti industriali per catturare il calore di scarto, nei veicoli per convertire il calore del motore in elettricità, e nelle case per migliorare l'efficienza energetica. I vantaggi includono costi energetici ridotti, minori emissioni di gas serra e un passo verso pratiche energetiche più sostenibili.
Conclusione
In sintesi, le celle TPV a media infrarossa realizzate con semiconduttori di tutti i gruppi IV rappresentano un avanzamento promettente nella tecnologia energetica. Con il loro potenziale per costi più bassi, prestazioni migliorate e sostenibilità, offrono una soluzione valida per soddisfare la crescente domanda di energia affrontando al contempo i problemi del calore di scarto. La continua ricerca e innovazione in questo campo sono cruciali per sbloccare il pieno potenziale di questi dispositivi e contribuire a un futuro energetico più pulito ed efficiente.
Titolo: Group IV Mid-Infrared Thermophotovoltaic Cells on Silicon
Estratto: Compound semiconductors have been the predominant building blocks for the current mid-infrared thermophotovoltaic devices relevant to sub-2000 K heat conversion and power beaming. However, the prohibitively high cost associated with these technologies limits their broad adoption. Herein, to alleviate this challenge we introduce an all-group IV mid-infrared cell consisting of GeSn alloy directly on a silicon wafer. This emerging class of semiconductors provides strain and composition as degrees of freedom to control the bandgap energy thus covering the entire mid-infrared range. The proposed thermophotovoltaic device is composed of a fully relaxed Ge$_{0.83}$Sn$_{0.17}$ double heterostructure corresponding to a bandgap energy of 0.29 eV. A theoretical framework is derived to evaluate cell performance under high injection. The black-body radiation absorption is investigated using the generalized transfer matrix method thereby considering the mixed coherent/incoherent layer stacking. Moreover, the intrinsic recombination mechanisms and their importance in a narrow bandgap semiconductor were also taken into account. In this regard, the parabolic band approximation and Fermi's golden rule were combined for an accurate estimation of the radiative recombination rate. Based on these analyses, power conversion efficiencies of up to 9% are predicted for Ge$_{0.83}$Sn$_{0.17}$ thermophotovoltaic cells under black-body radiation at temperatures in the 500-1500 K range. A slight improvement in the efficiency is observed under the frontside illumination but vanishes below 800 K, while the use of a backside reflector improves the efficiency across the investigated black-body temperature range. The effects of the heterostructure thickness, surface recombination velocity, and carrier lifetime are also elucidated and discussed.
Autori: Gérard Daligou, Richard Soref, Anis Attiaoui, Jaker Hossain, Mahmoud R. M. Atalla, Patrick Del Vecchio, Oussama Moutanabbir
Ultimo aggiornamento: 2023-02-21 00:00:00
Lingua: English
URL di origine: https://arxiv.org/abs/2302.10742
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2302.10742
Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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