Solutions magnétiques innovantes pour la gestion des débris en lithographie EUV
De nouvelles configurations magnétiques montrent du potentiel pour réduire les dommages causés par les ions étain dans les systèmes EUV.
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Table des matières
Les sources d'extrême ultraviolet (EUV) de nouvelle génération sont super importantes pour la photolithographie avancée, qui est essentielle pour fabriquer des appareils électroniques plus petits et plus puissants. Ces sources utilisent de la lumière créée à partir d'un plasma produit par laser (LPP) généré en frappant de minuscules gouttes d'étain avec un laser puissant. Pendant ce processus, en plus de produire de la lumière précieuse, ça génère aussi des morceaux de débris d'étain indésirables. Ces débris peuvent endommager les miroirs sensibles qui collectent la lumière EUV, ce qui est crucial pour une lithographie efficace.
Un gros souci pour prolonger la durée de vie de ces dispositifs EUV, c'est de gérer les dommages causés par les débris d'étain. L'un des types de débris les plus difficiles à gérer, ce sont les ions d'étain à haute énergie, qui peuvent atteindre jusqu'à 10 keV. Les méthodes existantes pour réduire ces dommages comprennent l'utilisation de gaz d'arrêt, de champs électriques et de champs magnétiques. Cependant, beaucoup d'approches ont des limites, surtout quand il s'agit d'empêcher les ions fortement chargés de se retrouver piégés au lieu d'être retirés du système.
Le besoin d'améliorer la mitigation des débris
La mitigation des débris est un défi crucial que les scientifiques et ingénieurs doivent relever pour développer des systèmes de lithographie EUV fiables basés sur des gouttes d'étain fondu. Quand le laser interagit avec les gouttes d'étain, ça produit à la fois des produits ioniques qui se déplacent lentement et rapidement, ainsi que des atomes neutres. Ces particules, collectivement appelées "débris", peuvent endommager les délicats miroirs multicouches en molybdène et en silicium qui sont utilisés pour collecter et focaliser la lumière EUV.
Malgré les efforts d'entreprises comme ASML pour réduire le taux de dégradation des miroirs collecteurs, il y a encore beaucoup de potentiel d'amélioration. Pour aborder ce problème, les chercheurs ont proposé des stratégies efficaces visant à gérer les éclaboussures d'étain fondu et les ions d'étain à basse énergie. Une méthode courante consiste à introduire un Gaz de fond, comme l'hydrogène, pour ralentir les ions à basse énergie et faciliter le retrait des dépôts d'étain des miroirs par des réactions chimiques.
Cependant, utiliser un gaz de fond a aussi des inconvénients. Les ions d'hydrogène énergétiques peuvent s'incruster dans les miroirs et causer des dommages comme des cloques ou des pelages. De plus, augmenter la pression du gaz pour réduire l'énergie cinétique des ions rapides peut nuire à l'efficacité de collecte, puisque la lumière EUV peut être absorbée par le gaz de fond.
Concept de mitigation des débris magnétiques
Une méthode alternative pour améliorer la mitigation des débris consiste à utiliser des champs magnétiques pour guider les particules chargées, comme les ions d'étain, loin des miroirs. En créant un Champ Magnétique qui dirige ces ions vers des zones désignées, appelées pièges froids, les chercheurs peuvent minimiser leurs impacts nocifs.
Un concept prometteur est une configuration de null magnétique, qui consiste en un agencement spécifique de champs magnétiques qui ne piègent pas les ions. Au lieu de cela, ça crée des trajectoires chaotiques ou erratiques pour les ions, leur permettant de s'échapper du système plutôt que d'être dirigés vers la surface sensible du miroir. C'est différent des configurations précédentes, comme le champ magnétique perpendiculaire, qui conduit souvent à la capture des ions.
Comparaison des configurations magnétiques
Les chercheurs ont commencé à étudier les performances de la configuration de null magnétique par rapport à des méthodes plus traditionnelles. L'objectif est de déterminer à quel point ces champs magnétiques peuvent efficacement empêcher les ions de frapper le miroir. Lors des tests, la configuration de null magnétique a montré un potentiel pour permettre aux ions de contourner le miroir tout en empêchant la plupart des débris de causer des dommages.
Dans la configuration de null magnétique, les ions créés à la source suivent des trajectoires imprévisibles autour de la zone de null magnétique. Au cours de leur parcours, ils peuvent acquérir de nouveaux angles et énergies, ce qui signifie qu'ils sont moins susceptibles de frapper le miroir. Cette capacité contraste avec la configuration du champ perpendiculaire, où les ions peuvent se retrouver piégés, ce qui peut entraîner des impacts indésirables sur le miroir au fil du temps.
Mise en place expérimentale et paramètres
Pour mieux comprendre comment ces configurations magnétiques fonctionnent, les chercheurs ont utilisé des géométries modélisées similaires à celles utilisées dans de véritables systèmes EUV. L'arrangement se compose de murs cylindriques avec un miroir elliptique et une plaque à chaque extrémité. Différentes configurations de bobines aident à générer les champs magnétiques utilisés dans les expériences.
La géométrie de null magnétique est créée en utilisant deux grandes bobines placées à des distances et angles variés pour créer un effet d'annulation au centre du système. De plus, une petite bobine est placée stratégiquement pour améliorer l'effet de champ près du miroir.
En ajustant des paramètres tels que l'emplacement des bobines, la force du champ et les caractéristiques de la population d'ions, les chercheurs ont examiné comment les ions réagissaient à chaque configuration magnétique. Ils ont intégré une variété de trajectoires d'ions dans différents états chargés et niveaux d'énergie, aboutissant à une grande quantité de données.
Observations et résultats
Les résultats des expériences ont donné des infos sur l'efficacité de chaque configuration à empêcher les ions de toucher le miroir. Une tendance claire est apparue montrant que, bien que des champs magnétiques plus forts améliorent la mitigation, ils augmentent aussi les chances de piéger les ions. La configuration de null magnétique, en revanche, a montré une caractéristique unique en permettant une réduction efficace des ions sans les piéger.
L'analyse a révélé que cette configuration non-piège pourrait offrir plusieurs avantages pratiques, y compris la possibilité de fonctionner à des pressions de gaz de fond plus basses et avec différentes compositions de gaz. Ce ajustement pourrait aider à résoudre des problèmes typiques comme le cloquage, tout en améliorant l'efficacité globale de collecte.
En comparaison, bien que la configuration du champ perpendiculaire réduise l'impact des ions, elle nécessite des mesures supplémentaires pour gérer les ions piégés au fil du temps. Ces ions piégés ne pourraient s'échapper qu'après neutralisation, présentant un défi constant qui pourrait compliquer les performances du système.
Implications futures et directions
Les premières découvertes concernant la géométrie de null magnétique et son potentiel pour atténuer les dommages causés par les débris montrent des promesses pour l'avenir des systèmes de lithographie EUV. Au fur et à mesure que les chercheurs affinent leur compréhension de cette configuration, ils pourront explorer davantage des moyens d'optimiser sa performance en intégrant des principes scientifiques supplémentaires.
Les travaux futurs pourraient impliquer l'intégration de facteurs du monde réel, tels que des champs électriques, le frottement visqueux et des processus spécifiques d'échange d'ions avec des molécules de gaz de fond. La recherche sur les compositions de gaz optimales et les niveaux de pression pourraient donner des astuces qui améliorent l'efficacité globale de ces nouvelles stratégies de mitigation.
Les efforts continus pour relever les défis de la mitigation des débris dans les systèmes EUV joueront un rôle crucial dans l'avancement des technologies de lithographie. Alors que les industries demandent des appareils plus puissants et efficaces, les améliorations dans les approches de mitigation garantiront que les systèmes EUV puissent continuer à produire des résultats de haute qualité avec un risque minimal d'endommager des composants essentiels.
Conclusion
L'étude des configurations de null magnétique représente une avenue intrigante pour améliorer la mitigation des débris dans les systèmes de lithographie EUV. Avec la capacité de réduire efficacement l'impact des ions d'étain nocifs sans dépendre de mécanismes de piégeage, cette approche pourrait remodeler la façon dont ces systèmes sont conçus et opérés à l'avenir.
En se concentrant sur la réduction des pressions de gaz de fond et l'emploi de matériaux divers, le domaine de la lithographie EUV pourrait évoluer pour répondre aux exigences d'une technologie de plus en plus sophistiquée. Les insights tirés de cette recherche ouvriront la voie à des systèmes plus robustes et fiables, bénéficiant aux industries qui dépendent d'une photolithographie précise pour des avancées à la pointe de la technologie.
Titre: EUV Debris Mitigation using Magnetic Nulls
Résumé: Next generation EUV sources for photolithography use light produced by laser-produced plasmas (LPP) from ablated tin droplets. A major challenge for extending the lifetime of these devices is mitigating damage caused by deposition of tin debris on the sensitive collection mirror. Especially difficult to stop are high energy (up to 10 keV) highly charged tin ions created in the plasma. Existing solutions include the use of stopping gas, electric fields, and magnetic fields. One common configuration consists of a magnetic field perpendicular to the EUV emission direction, but such a system can result in ion populations that are trapped rather than removed. We investigate a previously unconsidered mitigation geometry consisting of a magnetic null by performing full-orbit integration of the ion trajectories in an EUV system with realistic dimensions, and optimize the coil locations for the null configuration. The magnetic null prevents a fraction of ions from hitting the mirror comparable to that of the perpendicular field, but does not trap any ions due to the chaotic nature of ion trajectories that pass close to the null. This technology can potentially improve LPP-based EUV photolithography system efficiency and lifetime, and may allow for a different, more efficient formulation of buffer gas.
Auteurs: Ben Y. Israeli, Christopher Berg Smiet, Marien Simeni Simeni, Ahmed Diallo
Dernière mise à jour: 2023-07-20 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2307.10996
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2307.10996
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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