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Grafeno Tricamada Torcido: Propriedades e Aplicações Únicas

Descubra as características fascinantes do grafeno trilegado torcido e suas possíveis aplicações.

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Índice

O grafeno trilayer torcido (TTG) é um material incrível que recentemente chamou a atenção dos cientistas. Esse material é feito de três camadas de grafeno empilhadas umas sobre as outras em certos ângulos. Esses ângulos fazem com que padrões únicos, chamados de padrões de moiré, se formem, o que tem um impacto significativo em como o material se comporta.

Neste artigo, vamos discutir como a estrutura do TTG muda sob certas condições e como essas mudanças afetam as propriedades elétricas do material.

O que é TTG?

O TTG consiste em três camadas de grafeno, que é uma única camada de átomos de carbono organizados em um padrão de favo de mel. Quando essas camadas são rotacionadas em ângulos específicos em relação umas às outras, cria-se uma estrutura complexa com propriedades elétricas únicas. Os ângulos em que as camadas são torcidas determinam o quão próximas elas interagem uma com a outra.

Quando os ângulos de torção são pequenos, as camadas de grafeno formam padrões de moiré. Esses padrões são basicamente padrões sobrepostos que surgem da interferência das duas camadas. Eles podem levar a estados eletrônicos variados dentro do material, e estudar esses estados é essencial para entender o TTG.

Padrões de Moiré

Os padrões de moiré surgem quando duas estruturas periódicas se sobrepõem. No caso do TTG, as duas camadas criam um padrão repetido que pode ser muito maior do que as camadas individuais de grafeno. Esses padrões podem influenciar significativamente as Propriedades Eletrônicas do material.

Os ângulos torcidos entre as camadas podem levar a diferentes tipos de padrões de moiré. Em alguns casos, as sobreposições entre as camadas podem criar regiões com estados eletrônicos distintos, que podem ser classificados em zonas separadas. Essas zonas podem ter propriedades eletrônicas diferentes, levando a comportamentos interessantes quando o material é submetido a vários campos eletrônicos ou magnéticos.

Relaxação da Rede

Um aspecto crítico do TTG é a relaxação da rede, que se refere aos ajustes que ocorrem na arrumação atômica das camadas de grafeno devido às suas interações. Conforme as camadas se torcem e se empilham, elas experimentam forças que podem causar deslocamentos em suas estruturas atômicas.

A relaxação da rede leva a uma nova configuração onde as camadas podem acomodar melhor sua arrumação. Essa mudança pode ajudar a reduzir a tensão e estabilizar a estrutura do material. O processo de relaxação pode criar diferentes regiões dentro do material, com cada região tendo características únicas baseadas em como as camadas estão alinhadas.

TTGs Quirais e Alternados

Os TTGs podem ser classificados em duas categorias: quiral e alternado. A distinção se baseia nas torções relativas das camadas.

Nos TTGs quirais, os ângulos de torção entre as camadas são tais que o empilhamento das camadas resulta em um padrão específico onde os pontos de empilhamento AA (onde as camadas se sobrepõem diretamente) se repelem. Isso cria uma arrumação única que afeta como os elétrons se movem através do material.

Em contraste, os TTGs alternados têm uma arrumação de empilhamento diferente. Nesses arranjos, os pontos AA se atraem, levando a uma configuração totalmente sobreposta. Essa arrumação geralmente resulta em propriedades elétricas diferentes das vistas em TTGs quirais.

Propriedades dos TTGs Quirais

Os TTGs quirais apresentam algumas características únicas. Quando relaxados, essas estruturas mostram que a distância entre as camadas se ajusta para evitar regiões lotadas. Isso leva a um espectro eletrônico distintivo.

Nos TTGs quirais, as propriedades eletrônicas podem mostrar uma ampla janela de energia. Isso significa que existem faixas de energia onde há menos estados eletrônicos disponíveis, fazendo com que o sistema se comporte de maneiras específicas. Bandas altamente localizadas podem aparecer, que estão intimamente ligadas às fronteiras de domínio dentro do material.

Essas bandas localizadas indicam que os elétrons estão confinados a certas regiões, permitindo comportamentos topológicos interessantes. Esse comportamento é crucial para potenciais aplicações em dispositivos eletrônicos e ciência dos materiais.

Propriedades dos TTGs Alternados

Ao considerar os TTGs alternados, o comportamento difere do que é visto em arranjos quinais. A relaxação nos TTGs alternados leva a uma coexistência de bandas planas e cones de Dirac, que estão associados aos estados eletrônicos únicos do grafeno.

As bandas planas indicam estados onde os elétrons podem se mover através do material sem muita energia. Isso pode levar a vários fenômenos interessantes, como supercondutividade e outros estados quânticos correlacionados. O cone de Dirac dá origem a um conjunto diferente de características eletrônicas, muitas vezes criando bandas de condução e valência que se comportam de maneira diferente sob tensões aplicadas.

A arrumação alternada tende a aumentar a separação dos estados de energia, o que pode levar a um desempenho melhorado em aplicações eletrônicas.

Entendendo as Propriedades Eletrônicas

Estudar as propriedades eletrônicas dos TTGs é crucial para entender como eles podem ser usados na tecnologia. Os diferentes arranjos dos padrões de moiré, combinados com a relaxação da rede, podem resultar em estados eletrônicos diversos.

Tanto nos TTGs quirais quanto nos alternados, as propriedades eletrônicas podem mudar significativamente com base nos ângulos de torção e na configuração das camadas. O surgimento de estados localizados e a capacidade de ajustar as bandas de energia permitem uma personalização no desempenho de dispositivos feitos a partir desses materiais.

Conclusão

O TTG representa uma área empolgante de pesquisa em ciência dos materiais e física. Ao explorar a interação entre ângulos de torção, relaxação da rede e propriedades eletrônicas, os cientistas estão descobrindo novas possibilidades para tecnologia baseada nesses materiais únicos.

À medida que a pesquisa avança, o potencial total dos TTGs continua a se desdobrar, oferecendo uma visão sobre suas estruturas complexas e como elas podem ser utilizadas em várias aplicações. Através de estudos teóricos avançados e investigações experimentais, estamos apenas começando a arranhar a superfície do que esses materiais podem alcançar no futuro.

Fonte original

Título: Multi-scale lattice relaxation in general twisted trilayer graphenes

Resumo: We present comprehensive theoretical studies on the lattice relaxation and the electronic structures in general non-symemtric twisted trilayer graphenes. By using an effective continuum model, we show that the relaxed lattice structure forms a patchwork of moir\'e-of-moir\'e domains, where a moir\'e pattern given by layer 1 and 2 and another pattern given by layer 2 and 3 become locally commensurate. The atomic configuration inside the domain exhibits a distinct contrast between chiral and alternating stacks, which are determined by the relative signs of the two twist angles. In the chiral case, the electronic band calculation reveals a wide energy window ($>$ 50 meV) with low density of states, featuring sparsely distributed highly one-dimensional electron bands. These one-dimensional states exhibit a sharp localization at the boundaries between super-moir\'e domains, and they are identified as a topological boundary state between distinct Chern insulators. The alternating trilayer exhibits a coexistence of the flat bands and a monolayer-like Dirac cone, and it is attributed to the formation of moir\'e-of-moir\'e domains equivalent to the mirror-symmetric twisted trilayer graphene.

Autores: Naoto Nakatsuji, Takuto Kawakami, Mikito Koshino

Última atualização: 2023-06-06 00:00:00

Idioma: English

Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2305.13155

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2305.13155

Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Alterações: Este resumo foi elaborado com a assistência da AI e pode conter imprecisões. Para obter informações exactas, consulte os documentos originais ligados aqui.

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