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Avanços em Perovskitas Duplas de Haleto para Optoeletrônica

Explorando o potencial dos perovskitas duplas de haleto em células solares e LEDs.

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Índice

Os perovskitas duplas de haletos (HDPs) são materiais que chamaram a atenção pelo seu potencial em aplicações optoeletrônicas, como células solares, fotodetectores e dispositivos emissores de luz. Esses materiais têm algumas vantagens em relação às perovskitas tradicionais, como estabilidade melhorada e menor toxicidade. Mas ainda tem desafios a serem superados, como bandgaps indiretos e transições ópticas fracas.

O que são perovskitas duplas de haletos?

HDPs pertencem a uma família de compostos definidos pela sua estrutura cristalina. Normalmente seguem uma fórmula de A BBX, onde A é um cátions do Grupo-I, B e B são cátions metálicos e X é um íon haleto. O cátions mais comum no site A é o cesium (Cs), com cloro (Cl) e bromo (Br) como locais de halogênio. Esses materiais são conhecidos pelas suas diversas estruturas eletrônicas que os tornam adequados para várias aplicações.

Importância da Estrutura Eletrônica

A estrutura eletrônica de um material determina como ele interage com a luz e quão bem ele conduz eletricidade. Nos HDPs, as propriedades eletrônicas são influenciadas pela disposição dos átomos e pelos tipos de ligações químicas formadas entre eles. Entender essas propriedades é crucial para projetar materiais com melhor desempenho em dispositivos optoeletrônicos.

Bandgap e seu Papel

O bandgap é a diferença de energia entre os elétrons de maior energia na banda de valência e os elétrons de menor energia na banda de condução. Um bandgap direto permite uma absorção e emissão de luz eficiente, o que é desejável para células solares e aplicações de LED. Mas muitos HDPs exibem bandgaps indiretos, o que pode prejudicar seu desempenho.

Fluxo de Trabalho Teórico para Estudar HDPs

Para enfrentar os desafios associados aos HDPs, os pesquisadores desenvolveram um fluxo de trabalho teórico. Esse fluxo usa métodos computacionais para estudar a estrutura eletrônica e as Propriedades Ópticas desses materiais. O processo envolve várias etapas, incluindo cálculos dos níveis de energia atômica, orbitais moleculares, estruturas de bandas e transições ópticas.

Componentes Chave do Fluxo de Trabalho

  1. Teoria do Funcional da Densidade (DFT): Esse método computacional é usado para calcular a estrutura eletrônica dos materiais. DFT ajuda a entender como a disposição dos átomos afeta os níveis de energia dos elétrons.

  2. Imagem de Orbital Molecular Projetado na Banda (B-MOP): B-MOP fornece insights sobre a ligação química e os estados eletrônicos dos HDPs. Ao conectar orbitais atômicos com as bandas de energia calculadas, os pesquisadores podem visualizar como as interações entre átomos influenciam a estrutura eletrônica.

  3. Hamiltoniano do Modelo de Tight-Binding: Esse modelo ajuda a descrever como os elétrons pulam entre átomos, permitindo uma melhor compreensão da condução elétrica e propriedades ópticas nos HDPs.

Ligações Químicas e Sua Influência

As propriedades dos HDPs são significativamente afetadas pelas ligações químicas formadas entre ânions e cátions. Essas ligações determinam as posições das bandas de valência e condução, que, por sua vez, influenciam o bandgap e a capacidade do material de absorver luz. Os tipos de cátions usados nos HDPs e suas interações com os haletos podem ser manipulados para melhorar o desempenho.

O Papel da Doping

Doping é uma técnica usada para melhorar as propriedades dos materiais adicionando impurezas. No caso dos HDPs, a introdução de diferentes cátions pode modificar a estrutura eletrônica, permitindo uma melhor absorção de luz e uma condutividade aprimorada. Ao escolher cuidadosamente quais cátions introduzir e suas concentrações, os pesquisadores podem ajustar efetivamente o bandgap e melhorar as propriedades ópticas.

Propriedades Ópticas e Interação com a Luz

A capacidade dos HDPs de interagir com a luz é determinada em grande parte pelas suas propriedades ópticas. Essas propriedades podem ser quantificadas usando os elementos da matriz de momento (MME), que descrevem transições entre as bandas de valência e condução. Entender essas transições é essencial para desenvolver aplicações que dependem da absorção e emissão de luz.

Entendendo a Curvatura do Bandgap

A curvatura do bandgap é um fenômeno observado em HDPs dopados, onde o bandgap muda de forma não linear com a composição. As razões para esse efeito podem incluir mudanças na estrutura cristalina, interações químicas e hibridização de orbitais atômicos. Estudando a curvatura do bandgap, os pesquisadores podem obter insights sobre como otimizar o bandgap para aplicações específicas.

Conclusão

As perovskitas duplas de haletos representam uma avenida promissora para o desenvolvimento de materiais optoeletrônicos eficientes. Ao empregar modelos teóricos e técnicas experimentais, os cientistas podem explorar os vários fatores que influenciam a estrutura eletrônica e as propriedades ópticas desses materiais. À medida que a pesquisa avança, o potencial dos HDPs em aplicações práticas, como células solares e LEDs, parece cada vez mais promissor.

Fonte original

Título: Electronic structure and optoelectronic properties of halide double perovskites: Fundamental insights and design of a theoretical workflow

Resumo: Like single perovskites, halide double perovskites (HDP) have truly emerged as efficient optoelectronic materials since they display superior stability and are free of toxicity. However, challenges still exist due to either wide and indirect bandgaps or parity-forbidden transitions in many of them. The lack of understanding in chemical bonding and the formation of parity-driven valence and conduction band edge states have hindered the design of optoelectronically efficient HDPs. In this study, we have developed a theoretical workflow using a multi-integrated approach involving ab-initio density functional theory (DFT) calculations, model Hamiltonian studies, and molecular orbital picture leading to momentum matrix element (MME) estimation. This workflow gives us detailed insight into chemical bonding and parity-driven optical transition between edge states. In the process, we have developed a band-projected molecular orbital picture (B-MOP) connecting free atomic orbital states obtained at the Hartree-Fock level and orbital-resolved DFT bands. From the B-MOP, we show that the nearest neighbor cation-anion interaction determines the position of atom-resolved band states, while the second neighbor cation-cation interactions determine the shape and width of band dispersion and, thereby, MME. The latter is critical to quantify the optical absorption coefficient. Considering both B-MOP and MME, we demonstrate a mechanism of tailoring bandgap and optical absorptions through chemical doping at the cation sites. Furthermore, the cause of bandgap bowing, a common occurrence in doped HDPs, is explained by ascribing it to chemical effect and structural distortion.

Autores: Mayank Gupta, Susmita Jana, B. R. K. Nanda

Última atualização: 2023-09-12 00:00:00

Idioma: English

Fonte URL: https://arxiv.org/abs/2309.06065

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2309.06065

Licença: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Alterações: Este resumo foi elaborado com a assistência da AI e pode conter imprecisões. Para obter informações exactas, consulte os documentos originais ligados aqui.

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