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# Fisica# Fisica quantistica# Fisica della Mesoscala e della Nanoscala# Superconduttività# Strumentazione e rivelatori# Ottica

Progressi nei Rilevatori a Nanofilo Superconduttore

L'irradiazione con ioni di elio migliora le prestazioni dei rivelatori di singoli fotoni in nanofili superconduttori.

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Indice

I rivelatori di singoli fotoni a nanowire superconduttori (SNSPD) sono importanti per tecnologie che devono rilevare segnali di luce molto deboli. Questi rivelatori vengono spesso utilizzati in molti ambiti, tra cui la distribuzione di chiavi quantistiche, l'astronomia e la rivelazione di particelle. Nonostante siano utili, garantire prestazioni costanti tra molti di questi rivelatori in un singolo sistema è una sfida. Qui entra in gioco l'irraggiamento locale di ioni elio.

La Sfida della Coerenza

Quando si usano array di SNSPD, assicurarsi che ogni rivelatore funzioni allo stesso modo è difficile. Questa coerenza è fondamentale per l'efficacia del sistema nel suo complesso. Di solito, le prestazioni di questi rivelatori sono influenzate da fattori come i materiali usati e il modo in cui vengono realizzati. Le variazioni possono portare a differenze nella capacità di ciascun rivelatore di percepire la luce, il che può influenzare l'intero sistema.

L'Utilizzo dell'Irradiazione di Ioni Elio

Per affrontare questo problema, i ricercatori hanno esaminato l'uso dell'irraggiamento locale di ioni elio come modo per regolare e migliorare le prestazioni di questi rivelatori. Dirigendo ioni elio verso aree specifiche di un rivelatore, è possibile ottimizzare fattori importanti come l'Efficienza di rilevamento, la corrente di commutazione e la temperatura operativa.

Nei test, un rivelatore spesso 12 micrometri che prima non era molto sensibile ai singoli fotoni ha mostrato un miglioramento significativo dopo il trattamento. La sua efficienza di rilevamento è schizzata da quasi nulla a circa il 55,3%, un guadagno notevole. Inoltre, un altro set di rivelatori, spessi 10 micrometri, ha mostrato un raddoppio della corrente di commutazione grazie al processo di irraggiamento.

Effetti dell'Irradiazione

I ricercatori hanno anche esaminato come l'aumento della quantità di radiazione influenzasse le proprietà fisiche del materiale superconduttore utilizzato nei rivelatori. Hanno scoperto che aumentando gli ioni elio applicati, la resistenza elettrica aumentava, mentre la temperatura critica-la temperatura al di sotto della quale il materiale diventa superconduttore-diminuiva.

È stato sviluppato un modello che descrive come vengono creati difetti nel materiale a causa del bombardamento di ioni, e come queste alterazioni si relazionano alle prestazioni dei rivelatori. Questo modello si è rivelato ben allineato con le osservazioni fatte durante gli esperimenti.

Importanza dell'Efficienza di Rilevamento

L'efficienza di rilevamento degli SNSPD è cruciale per molte applicazioni. A differenza di altri tipi di rivelatori di luce, gli SNSPD si comportano meglio in termini di fattori come efficienza di rilevamento su una gamma di lunghezze d'onda, basso rumore di fondo e precisione temporale. Queste qualità li rendono molto desiderabili per applicazioni avanzate come comunicazioni sicure e calcolo quantistico.

Con l'avanzare della tecnologia, la richiesta di grandi array di rivelatori sta aumentando, ma garantire uniformità nelle prestazioni rimane un ostacolo. L'uso dell'irraggiamento di ioni può aiutare a superare questi problemi, affinando le caratteristiche di ciascun rivelatore singolarmente dopo che sono stati realizzati.

Fabbricazione e Misurazione

Per studiare gli effetti dell'irraggiamento di ioni elio, i ricercatori hanno fabbricato film sottili di materiali superconduttori e li hanno modellati in design specifici adatti per i test. Sono state effettuate misurazioni sia prima che dopo il processo di irraggiamento per valutare le variazioni nei parametri di prestazione.

Di solito, questi film sottili vengono realizzati utilizzando tecniche che garantiscono un controllo preciso dello spessore. Una volta preparati i film, sono stati disposti in strutture specifiche per facilitare i test e la misurazione delle loro proprietà in diverse condizioni.

Misurazioni Magneto-Transporte

È stato utilizzato un metodo chiamato misurazione magneto-trasporti per analizzare quanto bene i film superconduttori conducessero elettricità in presenza di un campo magnetico. I film sono stati raffreddati a temperature molto basse e poi riscaldati gradualmente mentre venivano esposti a diversi campi magnetici. Questo ha aiutato a estrarre dati cruciali sulla loro resistenza elettrica, temperatura critica e altre caratteristiche importanti.

Risultati dagli Esperimenti

Attraverso l'esame dettagliato dei dati di questi test, sono state ottenute diverse intuizioni chiave. Ad esempio, è stato trovato che la corrente di commutazione-una misura di quanto corrente elettrica il rivelatore può gestire prima di perdere le sue proprietà superconduttrici-tendeva a diminuire con l'aumentare della fluence di ioni. Questa scoperta è risultata coerente tra diversi spessori di film.

Allo stesso modo, l'efficienza di rilevamento era direttamente correlata a quanto i rivelatori erano esposti alla radiazione degli ioni elio, ed è stato osservato che i film più spessi generalmente avevano migliori qualità di assorbimento, portando a maggiori efficienze di rilevamento.

Metriche di Prestazione

I ricercatori hanno compilato i risultati in un quadro chiaro di come i rivelatori si comportassero in diverse condizioni. Hanno notato che mentre i film più spessi potevano catturare più luce e quindi fornire una migliore efficienza di rilevamento, affrontavano anche limitazioni in sensibilità. Pertanto, era essenziale trovare un equilibrio tra spessore e prestazioni per un uso pratico.

Ottimizzazione delle Prestazioni dei Rivelatori

I progressi fatti con l'irraggiamento di ioni elio offrono un modo per personalizzare e migliorare i rivelatori anche dopo che sono stati fabbricati. Questa capacità significa che specifici rivelatori possono essere regolati per funzionare meglio in compiti che richiedono maggiore sensibilità o tempi di risposta più rapidi, fornendo una soluzione su misura alle sfide presentate da diverse applicazioni.

Applicazioni Future e Ricerca

Con la crescente domanda per tecnologie di rilevamento sofisticate, cresce anche la necessità di rivelatori altamente efficienti e adattabili. Il lavoro svolto con l'irraggiamento di ioni elio promette un futuro in cui grandi array di SNSPD possono essere prodotti con prestazioni costanti, adattati per soddisfare le esigenze di varie applicazioni ad alta tecnologia.

Attraverso la ricerca continua, si spera che possano essere sviluppati metodi di regolazione ancora più fini, consentendo un maggiore controllo sulle proprietà di questi rivelatori superconduttori. Questo permetterà di avere sistemi più efficienti in grado di operare in ambienti difficili dove è cruciale rilevare segnali di luce deboli.

Conclusione

In sintesi, l'irraggiamento locale di ioni elio presenta un'opportunità significativa per migliorare le prestazioni dei rivelatori di singoli fotoni a nanowire superconduttori. Questo approccio non solo consente una migliore coerenza complessiva in grandi array di rivelatori, ma fornisce anche un metodo per regolare i singoli rivelatori dopo la fabbricazione per applicazioni specifiche. Continuando a esplorare e sviluppare queste tecnologie, il potenziale per il loro uso in contesti scientifici e pratici avanzati diventa sempre più chiaro. Il futuro della tecnologia di rilevamento della luce potrebbe beneficiare di queste innovazioni, aprendo la strada a soluzioni più efficaci in una vasta gamma di settori.

Fonte originale

Titolo: Site-Selective Enhancement of Superconducting Nanowire Single-Photon Detectors via Local Helium Ion Irradiation

Estratto: Achieving homogeneous performance metrics between nominally identical pixels is challenging for the operation of arrays of superconducting nanowire single-photon detectors (SNSPDs). Here, we utilize local helium ion irradiation to post-process and tune single-photon detection efficiency, switching current, and critical temperature of individual devices on the same chip. For 12nm thick highly absorptive SNSPDs, which are barely single-photon sensitive prior to irradiation, we observe an increase of the system detection efficiency from $< 0.05\,\%$ to $(55.3 \pm 1.1)\,\%$ following irradiation. Moreover, the internal detection efficiency saturates at a temperature of 4.5 K after irradiation with $1800\, \mathrm{ions}\, \mathrm{nm}^{-2}$. For irradiated 10 nm thick detectors we observe a doubling of the switching current (to $20\, \mu\mathrm{A}$) compared to 8 nm SNSPDs of similar detection efficiency, increasing the amplitude of detection voltage pulses. Investigations of the scaling of superconducting thin film properties with irradiation up to a fluence of $2600\, \mathrm{ions}\, \mathrm{nm}^{-2}$ revealed an increase of sheet resistance and a decrease of critical temperature towards high fluences. A physical model accounting for defect generation and sputtering during helium ion irradiation is presented and shows good qualitative agreement with experiments.

Autori: Stefan Strohauer, Fabian Wietschorke, Lucio Zugliani, Rasmus Flaschmann, Christian Schmid, Stefanie Grotowski, Manuel Müller, Björn Jonas, Matthias Althammer, Rudolf Gross, Kai Müller, Jonathan J. Finley

Ultimo aggiornamento: 2023-05-23 00:00:00

Lingua: English

URL di origine: https://arxiv.org/abs/2305.14175

Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2305.14175

Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Modifiche: Questa sintesi è stata creata con l'assistenza di AI e potrebbe presentare delle imprecisioni. Per informazioni accurate, consultare i documenti originali collegati qui.

Si ringrazia arxiv per l'utilizzo della sua interoperabilità ad accesso aperto.

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