Proprietà termoelettriche del fosforo nero sotto pressione
Uno studio rivela variazioni dell'effetto Seebeck nel fosforo nero mentre si trasforma sotto pressione.
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Indice
- Background sul Fosforo Nero
- L'Effetto Seebeck e il Coefficiente Seebeck
- Approccio Sperimentale
- Risultati: Comportamento della Resistività Elettrica
- Comportamento del Coefficiente Seebeck
- Il Ruolo dello Scattering dei Portatori
- Contributo del Traino dei Fononi al Coefficiente Seebeck
- Conclusione e Implicazioni
- Fonte originale
Quando un solido subisce un cambiamento di temperatura, i portatori di carica al suo interno si muovono e creano un campo elettrico lungo il loro percorso. Questo effetto è conosciuto come Effetto Seebeck. La forza di questo effetto viene misurata dal coefficiente Seebeck, che confronta la differenza di temperatura con la tensione elettrica generata.
Nei metalli e nei semiconduttori, il comportamento del coefficiente Seebeck varia a seconda di come gli elettroni si comportano statisticamente. Per i metalli, il coefficiente Seebeck è determinato principalmente dai livelli energetici e dai meccanismi di scattering che influenzano gli elettroni. Nei semiconduttori, la situazione diventa più complessa, specialmente a basse temperature e durante le transizioni tra stati.
Questo articolo si concentra sulla comprensione del comportamento del coefficiente Seebeck nel fosforo nero, un materiale unico che può passare da semiconduttore a semimetallo sotto pressione. Investigheremo come questa transizione influisce sulle proprietà termoelettriche, in particolare sul coefficiente Seebeck.
Background sul Fosforo Nero
Il fosforo nero è un materiale affascinante perché ha proprietà sia di semiconduttori che di semimetalli. A temperatura ambiente, si comporta come un semiconduttore, con un gap energetico che definisce le sue proprietà elettroniche. Applicando alta pressione, questo gap può chiudersi, permettendo al materiale di passare a uno stato semimetallico. Questa capacità di cambiare stato offre un'opportunità unica per studiare le proprietà termoelettriche del fosforo nero in entrambi gli stati.
L'Effetto Seebeck e il Coefficiente Seebeck
L'effetto Seebeck si verifica quando si crea una differenza di temperatura in un materiale, portando i portatori di carica a muoversi verso l'area più fredda. Questo movimento genera un campo elettrico, portando a una tensione misurabile. Il coefficiente Seebeck quantifica questa risposta e può rivelare informazioni importanti sulle proprietà elettroniche del materiale.
Nei semiconduttori, il comportamento del coefficiente Seebeck può variare notevolmente a seconda della temperatura e dello stato del materiale. Ad esempio, nel regime Intrinseco, il coefficiente Seebeck tende ad aumentare man mano che la temperatura scende, mentre nel regime Estrinseco potrebbe mostrare un comportamento di attivazione, riflettendo l'influenza di impurità e difetti.
Approccio Sperimentale
Per studiare le proprietà termoelettriche del fosforo nero, i ricercatori hanno misurato il coefficiente Seebeck e la resistività sotto alta pressione e temperature variabili. Si sono concentrati sull'identificazione di diversi regimi di conduzione: intrinseco, saturazione, estrinseco e hopping a gamma variabile (VRH).
Le misurazioni sono state effettuate applicando pressione idrostatica a campioni in cristallo singolo di fosforo nero. Il setup prevedeva l'uso di termocoppie per misurare la tensione generata dal gradiente di temperatura sui campioni. Questo ha permesso una valutazione precisa del coefficiente Seebeck.
Risultati: Comportamento della Resistività Elettrica
È stato osservato che la resistività elettrica del fosforo nero cambia con la temperatura e la pressione, mostrando diversi regimi di conduzione. A temperature più elevate, il comportamento era coerente con ciò che ci si aspetta dai semiconduttori. Nel regime intrinseco, la resistività mostrava un carattere di attivazione. Questo significa che la resistività diminuiva esponenzialmente man mano che la temperatura aumentava, il che è una caratteristica tipica dei semiconduttori.
Man mano che la temperatura diminuiva, la resistività continuava a cambiare, entrando infine nel regime di saturazione, dove diventava quasi indipendente dalla temperatura. Ulteriore raffreddamento portava al regime estrinseco, e infine al regime VRH, caratterizzato da conduzione a saltelli tra stati localizzati.
Sotto pressione applicata, il gap nella struttura di bande del fosforo nero si restringeva, indicando una transizione verso uno stato semimetallico. Questo cambio di comportamento era evidente nei dati sulla resistività raccolti.
Comportamento del Coefficiente Seebeck
Il coefficiente Seebeck del fosforo nero mostrava caratteristiche distinte nei diversi regimi di conduzione. Nel regime intrinseco, il coefficiente Seebeck aumentava man mano che la temperatura diminuiva, raggiungendo un valore massimo specifico. Tuttavia, quando veniva applicata pressione, questo valore massimo diminuiva, indicando modifiche nella struttura elettronica sottostante.
Nel regime estrinseco, il comportamento era più complesso. La presenza di impurità e difetti influenzava significativamente il coefficiente Seebeck. Le tendenze attese dalle teorie esistenti non erano completamente allineate con i dati osservati, suggerendo che fattori aggiuntivi fossero in gioco.
Una volta che il materiale è passato allo stato semimetallico, il coefficiente Seebeck ha subito cambiamenti notevoli. Un cambio di segno è avvenuto a una pressione specifica, indicando che i meccanismi di scattering dominanti erano cambiati.
Il Ruolo dello Scattering dei Portatori
Lo scattering dei portatori gioca un ruolo cruciale nel determinare la grandezza e il segno del coefficiente Seebeck. Durante la transizione da semiconduttore a semimetallo, la natura dei processi di scattering cambia significativamente. Inizialmente, lo scattering delle impurità ionizzate domina nello stato semiconduttore. Tuttavia, man mano che la densità di elettroni di conduzione aumenta sotto pressione, lo scattering elettrone-elettrone diventa più prominente.
Questa transizione influisce su come i portatori di carica rispondono ai gradienti di temperatura e altera il coefficiente Seebeck. L'interazione tra i diversi meccanismi di scattering è essenziale per comprendere il comportamento termoelettrico del fosforo nero.
Contributo del Traino dei Fononi al Coefficiente Seebeck
Il coefficiente Seebeck è influenzato non solo dai portatori di carica, ma anche dai fononi-l'energia vibrante in un solido. In alcune condizioni, l'effetto del traino dei fononi può migliorare il coefficiente Seebeck. Questo effetto si verifica quando i fononi trasferiscono momento ai portatori di carica, rendendo la risposta Seebeck più significativa.
Nel caso del fosforo nero, l'effetto del traino dei fononi è particolarmente notevole a basse temperature. Lo studio ha rivelato picchi pronunciati nel coefficiente Seebeck, corrispondenti all'interazione tra fononi e portatori di carica. Questi picchi indicano che i fononi contribuiscono significativamente alla risposta termoelettrica complessiva in specifici intervalli di temperatura.
Conclusione e Implicazioni
Lo studio delle proprietà termoelettriche del fosforo nero sotto temperature e pressioni variabili ha rivelato intuizioni significative. La transizione da semiconduttore a semimetallo influisce drammaticamente sul coefficiente Seebeck e illumina la complessità del trasporto elettronico in questo materiale.
I risultati suggeriscono che sia lo scattering dei portatori che le interazioni con i fononi giocano ruoli critici nel determinare il comportamento termoelettrico del fosforo nero. La capacità di manipolare lo stato elettronico del fosforo nero apre nuove strade per esplorare applicazioni termoelettriche. Comprendere queste proprietà termoelettriche può portare a progressi nelle tecnologie di conversione dell'energia, aprendo la strada a materiali più efficienti nella generazione di energia e refrigerazione.
La ricerca continua in questo campo aumenterà ulteriormente la nostra conoscenza della termoelettricità nei solidi e potrebbe portare a nuove applicazioni nei dispositivi elettronici di prossima generazione.
Titolo: Thermoelectric response across the semiconductor-semimetal transition in black phosphorus
Estratto: In spite of intensive studies on thermoelectricity in metals, little is known about thermoelectric response in semiconductors at low temperature. An even more fascinating and unanswered question is what happens to the Seebeck coefficient when the semiconductor turns to a metal. By precisely tuning the ground state of black phosphorus with pressure from the semiconducting to semimetallic state, we track a systematic evolution of the Seebeck coefficient. Thanks to a manifest correlation between the Seebeck coefficient and resistivity, the Seebeck response in each conduction regime, i.e., intrinsic, saturation, extrinsic, and variable range hopping (VRH) regimes, is identified. In the former two regimes, the Seebeck coefficient behaves in accordance with the present theories, whereas in the later two regimes available theories do not give a satisfactory account for its response. However, by eliminating the extrinsic sample dependence in the resistivity $\rho$ and Seebeck coefficient $S$, the Peltier conductivity $\alpha=S/\rho$ allows to unveil the intrinsic thermoelectric response, revealing vanishing fate for $\alpha$ in the VRH regime. The emerged ionized impurity scattering on entry to the semimetallic state is easily surpassed by electron-electron scattering due to squeezing of screening length accompanied by an increase of carrier density with pressure. In the low temperature limit, a small number of carriers enhances a prefactor of $T$-linear Seebeck coefficient as large as what is observed in prototypical semimetals. A crucial but largely ignored role of carrier scattering in determining the magnitude and sign of the Seebeck coefficient is indicated by the observation that a sign reversal of the $T$-linear prefactor is concomitant with a change in dominant scattering mechanism for carriers.
Autori: Yuna Nakajima, Yuichi Akahama, Yo Machida
Ultimo aggiornamento: 2023-08-15 00:00:00
Lingua: English
URL di origine: https://arxiv.org/abs/2308.07900
Fonte PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.07900
Licenza: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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