Avancées dans les super-conducteurs hybrides pour l'informatique quantique
De nouvelles méthodes pour créer des films de niobium de haute qualité pourraient améliorer l'informatique quantique.
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Table des matières
Cet article parle d'un type de matériau appelé supraconducteurs hybrides, qui combinent les supraconducteurs et les Semi-conducteurs pour créer de nouveaux appareils. Le principal sujet, ce sont les films minces de niobium (Nb) déposés sur de l'arséniure de gallium (GaAs) en utilisant deux méthodes : le dépôt par pulvérisation magnétique et l'Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE). Ces méthodes se font sous vide pour s'assurer que les matériaux restent purs et sans contaminants.
Les supraconducteurs ont des propriétés spéciales qui leur permettent de conduire l'électricité sans résistance lorsqu'ils sont refroidis à basse température. Les combiner avec des semi-conducteurs ouvre des possibilités pour de nouveaux appareils électroniques, surtout dans le domaine de l'informatique quantique. Un des objectifs est de trouver des quasiparticules connues sous le nom d'anyon, qui pourraient être utiles pour construire des ordinateurs quantiques stables.
Contexte sur les Supraconducteurs et les Semi-conducteurs
Les supraconducteurs sont des matériaux capables de conduire l'électricité sans perte d'énergie. Cela n'arrive qu'en dessous d'une certaine température appelée température critique. Les semi-conducteurs, quant à eux, sont des matériaux qui peuvent être utilisés pour contrôler le courant électrique. En combinant ces deux types de matériaux, les scientifiques peuvent créer des dispositifs hybrides qui pourraient avoir des propriétés uniques.
Ces dernières années, il y a eu un gros intérêt pour créer des appareils pouvant mener à une amélioration de l'informatique quantique. La recherche de particules appelées fermions de Majorana, qu'on pense présentes dans certains matériaux, a poussé la recherche dans ce domaine.
L'Importance du Dépôt In-Situ
Le dépôt in-situ, c'est quand des matériaux sont ajoutés à une surface sans rompre l'environnement sous vide. Ce processus est crucial pour maintenir une interface propre entre le supraconducteur et le semi-conducteur. Cela aide à éviter des problèmes comme la formation d'oxydes de surface qui peuvent dégrader la performance du dispositif hybride.
En utilisant des méthodes in-situ, les chercheurs peuvent obtenir une meilleure qualité de matériau, ce qui est essentiel pour les propriétés électroniques recherchées. Une interface propre permet un meilleur transport des électrons, ce qui est crucial pour le bon fonctionnement du dispositif.
Méthodes de Dépôt de Matériaux
Pulvérisation Magnétique
La pulvérisation magnétique est une technique utilisée pour déposer des films minces sur des surfaces. Elle implique l'utilisation de plasma pour frapper des atomes d'un matériau cible (dans ce cas, le niobium) et les déposer sur la surface du semi-conducteur. Cette méthode est particulièrement efficace car elle peut créer des films de haute qualité à des températures relativement basses.
Épitaxie par Faisceau Moléculaire (MBE)
La MBE est une autre méthode de dépôt qui offre un haut degré de contrôle sur le processus de croissance du matériau. Dans cette technique, des éléments sont évaporés dans un vide et se condensent ensuite sur un substrat pour former un film mince. La MBE permet un contrôle précis sur l'épaisseur et la composition du film.
Combinaison des Deux Méthodes
En combinant la pulvérisation magnétique avec la MBE, les chercheurs peuvent tirer profit des deux méthodes pour créer des films de niobium sur l'arséniure de gallium. Cette approche hybride vise à améliorer les propriétés des films résultants tout en les préservant de la contamination.
Résultats de la Recherche
Caractéristiques des Films
Les films de niobium créés avec des méthodes in-situ ont montré des différences significatives par rapport à ceux déposés avec des méthodes ex-situ (où le matériau est déposé après avoir rompu le vide). Les films in-situ avaient généralement une rugosité de surface plus élevée et des orientations de cristallites variées selon les conditions utilisées pendant le dépôt.
Température Critique et Champs Magnétiques
La température critique et les capacités magnétiques des films de niobium ont également été mesurées. Ces propriétés sont essentielles car elles déterminent comment les films peuvent fonctionner dans des applications supraconductrices. Les résultats ont indiqué que les films in-situ pouvaient atteindre un comportement supraconducteur même avec des niveaux d'impuretés plus élevés, suggérant qu'ils pourraient convenir à des applications pratiques.
Analyse de l'Interface
L'interface entre le niobium et l'arséniure de gallium a été examinée à l'aide de techniques d'imagerie avancées. On a découvert qu'il y avait une couche amorphe à l'interface pour les films in-situ et ex-situ. La présence de cette couche pourrait affecter les propriétés électriques et la performance globale du matériau hybride.
Implications pour l'Informatique Quantique
Les résultats de cette recherche sont pertinents pour les efforts en cours pour construire de meilleurs dispositifs hybrides supraconducteurs-semi-conducteurs. Ces dispositifs pourraient jouer un rôle crucial dans le développement d'ordinateurs quantiques, qui dépendent du comportement de quasiparticules comme les fermions de Majorana.
La capacité de produire des films de niobium de haute qualité sur l'arséniure de gallium ouvre de nouvelles voies pour créer des dispositifs hybrides plus complexes. Les chercheurs sont optimistes que ces avancées mèneront à des plateformes d'informatique quantique plus fiables.
Directions Futures
En regardant vers l'avenir, l'équipe de recherche prévoit d'explorer une gamme plus large de matériaux, tant des supraconducteurs que des semi-conducteurs, pour créer des systèmes hybrides plus polyvalents. L'objectif est d'élargir la plateforme matérielle pour les hybrides supraconducteurs-semi-conducteurs, permettant de nouvelles applications tant dans l'informatique quantique que dans d'autres domaines.
De plus, d'autres investigations se concentreront sur le raffinement des techniques de dépôt pour optimiser la qualité des films et les caractéristiques des interfaces. Comprendre les interactions à l'interface sera crucial pour développer des dispositifs avec une performance améliorée.
Conclusion
Ce travail présente des avancées significatives dans le domaine des matériaux hybrides supraconducteurs-semi-conducteurs. En utilisant des techniques de dépôt in-situ, les chercheurs ont démontré le potentiel de créer des films de niobium de haute qualité sur l'arséniure de gallium, qui pourraient servir de base pour des dispositifs électroniques de nouvelle génération. L'exploration continue de nouveaux matériaux et de méthodes de dépôt améliorées promet des développements passionnants dans l'informatique quantique et au-delà.
Titre: Development of Nb-GaAs based superconductor semiconductor hybrid platform by combining in-situ dc magnetron sputtering and molecular beam epitaxy
Résumé: We present Nb thin films deposited in-situ on GaAs by combining molecular beam epitaxy and magnetron sputtering within an ultra-high vacuum cluster. Nb films deposited at varying power, and a reference film from a commercial system, are compared. The results show clear variation between the in-situ and ex-situ deposition which we relate to differences in magnetron sputtering conditions and chamber geometry. The Nb films have critical temperatures of around $9 \textrm{K}$. and critical perpendicular magnetic fields of up to $B_{c2} = 1.4 \textrm{T}$ at $4.2 \textrm{K}$. From STEM images of the GaAs-Nb interface we find the formation of an amorphous interlayer between the GaAs and the Nb for both the ex-situ and in-situ deposited material.
Auteurs: Clemens Todt, Sjoerd Telkamp, Filip Krizek, Christian Reichl, Mihai Gabureac, Rüdiger Schott, Erik Cheah, Peng Zeng, Thomas Weber, Arnold Müller, Christof Vockenhuber, Mohsen Bahrami Panah, Werner Wegscheider
Dernière mise à jour: 2023-04-18 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2304.08339
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2304.08339
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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