Mesurer les courants de spin dans les métaux lourds
De nouvelles méthodes identifient et mesurent le flux de spin dans des matériaux comme le tungstène et le platine.
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Table des matières
L'Effet Hall de spin (EHS) est un phénomène qui se produit dans certains matériaux où un courant électrique crée un flux de spin, plutôt que de charge. Ça arrive dans des matériaux qui ont des interactions fortes entre le spin des électrons et leur mouvement. Alors que les méthodes standards pour mesurer les courants électriques marchent pas trop bien pour détecter ce flux de spin, les chercheurs veulent trouver des moyens de le faire.
Configuration de Mesure
Pour mesurer le flux de spin, les scientifiques mettent en place un appareil qui utilise deux types de sondes métalliques : une qui peut détecter le spin (métal ferromagnétique) et une qui n'a pas de préférence de spin (métal normal). Ces sondes touchent la surface d'un métal lourd, qui est connu pour produire un fort flux de spin dans certaines conditions. En alignant les sondes correctement, ils peuvent mesurer la tension qui résulte du flux de spin. Cette tension est liée à combien de spin s'est accumulé sur les bords du métal lourd.
Le Rôle du Tungstène et du Platine
Dans cette configuration, deux matériaux spécifiques, le tungstène et le platine, sont utilisés car ils montrent un comportement opposé en termes de flux de spin. Quand un courant électrique est appliqué, le tungstène a tendance à accumuler un type de spin, tandis que le platine accumule l'opposé. Cette différence permet aux chercheurs de vérifier que leurs mesures sont précises en comparant les tensions qu'ils détectent de chaque matériau.
Accumulation de spin
Quand le courant passe à travers le métal lourd, les spins s'accumulent aux bords. Cependant, comme les spins sont égaux et opposés, ils ne créent pas de charge électrique nette. Donc, aucune différence de tension électrique n'est observée sur tout le conducteur. Au lieu de ça, la mesure se concentre sur la détection de toutes petites différences de tension causées par l'orientation de la sonde en métal ferromagnétique par rapport aux spins.
Observations Expérimentales
Les chercheurs ont mené des expériences en utilisant des matériaux lourds avec diverses résistivités, qui mesurent combien le matériau s'oppose au passage du courant électrique. Ils ont créé différents dispositifs en changeant l'épaisseur et la composition des films de tungstène, ce qui leur a permis de découvrir comment le comportement du spin change avec la résistivité. À mesure que la résistivité augmentait, l'accumulation de spin augmentait aussi, entraînant des changements mesurables de tension.
L'Effet Hall de Spin Inverse
En plus de mesurer l'effet Hall de spin, les chercheurs peuvent aussi tester un autre phénomène connexe appelé l'effet Hall de spin inverse (EHSI). Dans ce cas, les propriétés magnétiques des sondes provoquent un courant de spin qui génère une tension électrique mesurable dans le métal lourd. En échangeant les connexions des fils de courant et de tension, les scientifiques peuvent observer comment les spins influencent les courants de charge et vice versa.
La Structure de l'Appareil
La structure des dispositifs joue un rôle crucial dans les expériences. Le canal de métal lourd est entouré de matériau isolant, s'assurant que les sondes n'interagissent qu'avec l'accumulation de spin sur la surface supérieure. Un montage magnétique spécial permet aux chercheurs de changer l'orientation de la sonde ferromagnétique sans affecter l'accumulation de spin.
Résultats des Expériences
Les résultats des expériences ont montré que les lectures de tension changeaient quand la direction du champ magnétique appliqué à la sonde ferromagnétique était modifiée. Ce comportement était particulièrement prononcé dans les dispositifs utilisant du tungstène, où les changements de tension étaient étroitement liés à l'orientation des spins.
En revanche, les dispositifs fabriqués avec du platine produisaient des réponses de tension opposées. En comparant ces résultats, les chercheurs ont confirmé la précision de leurs mesures et l'efficacité de leur conception de dispositif.
Mécanismes de Transport de Spin
Comprendre ce qui motive le comportement des spins dans ces matériaux est essentiel. Il y a deux mécanismes principaux qui contribuent à la façon dont les spins se comportent :
Diffusion biaisée : Ça arrive quand les spins sont déviés en se déplaçant à travers le matériau. Ça dépend de combien les électrons peuvent voyager sans se disperser.
Mécanisme de Saut Latéral : Ça décrit comment les spins sont déviés latéralement quand ils interagissent avec des impuretés ou des défauts dans le matériau.
Le transport global des spins est une combinaison de ces deux processus, et les expériences ont apporté des preuves que les deux se passent dans les dispositifs en tungstène, surtout à des résistivités plus élevées.
Implications et Applications
La capacité à détecter et mesurer les courants de spin est significative pour les avancées dans des domaines comme la spintronique, où les dispositifs utilisent le spin des électrons pour le traitement et le stockage des données. Cette méthode de mesure directe peut aider les chercheurs à concevoir des matériaux et des dispositifs plus efficaces qui utilisent les courants de spin pour des applications pratiques.
Travaux Futurs
La recherche indique que d'autres études sont nécessaires pour affiner ces techniques de mesure et explorer différents matériaux. Ça va améliorer la connaissance de comment les spins se comportent dans différentes conditions et aider à développer de nouvelles technologies qui tirent parti de ces propriétés.
En continuant à ajuster la résistivité des matériaux testés, les chercheurs peuvent affiner leur compréhension du comportement des spins, menant à de nouvelles découvertes et applications potentielles en électronique.
Conclusion
En résumé, l'étude de l'effet Hall de spin et de son inverse offre un domaine riche d'exploration. En concevant un dispositif de mesure simple, les chercheurs peuvent en apprendre davantage sur comment les spins interagissent avec les courants électriques. Les résultats des expériences utilisant du tungstène et du platine ont montré le potentiel de ces techniques pour faire avancer la technologie basée sur la spintronique. À mesure que ce domaine évolue, les implications pour l'informatique et l'électronique restent passionnantes et pleines de possibilités.
Titre: Direct Electrical Detection of Spin Chemical Potential Due to Spin Hall Effect in $\beta$-Tungsten and Platinum Using a Pair of Ferromagnetic and Normal Metal Voltage probes
Résumé: The phenomenon of Spin Hall Effect (SHE) generates a pure spin current transverse to an applied current in materials with strong spin-orbit coupling, although not detectable through conventional electrical measurement. An intuitive Hall effect like measurement configuration is implemented to directly measure pure spin chemical potential of the accumulated spins at the edges of heavy metal (HM) channels that generates large SHE. A pair of transverse linearly aligned voltage probes in placed in ohmic contact with the top surface of HM , one being a ferromagnetic metal (FM) with non-zero spin polarization and other is the reference metal (RM) with zero polarization of carriers. This combination of FM/RM electrodes is shown to induce an additional voltage proportional to a spin accumulation potential, which is anti symmetric with respect to opposite orientations of FM controlled by a 2D vector magnet. Proof of concept of the measurement scheme is verified by comparing the signs of voltages for HM channels of Tungsten (W) and Platinum (Pt) which are known to generate opposite spin accumulation under similar conditions of applied current. The same devices are also able to detect the reciprocal effect, inverse spin Hall effect (ISHE) by swapping the current and voltage leads and the results are consistent with reciprocity principle. Further, exploiting a characteristic feature of W thin film deposition, a series of devices were fabricated with W resistivity varying over a wide range of 10 - 750 $\mu \Omega$-cm and the calculated spin Hall resistivity exhibits a pronounced power law dependence on resistivity. Our measurement scheme combined with almost two decades of HM resistivity variation provides the ideal platform required to test the underlying microscopic mechanism responsible for SHE/ISHE.
Auteurs: Soumik Aon, Abu Bakkar Miah, Arpita Mandal, Harekrishna Bhunia, Dhananjaya Mahapatra, Partha Mitra
Dernière mise à jour: 2024-04-05 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2404.03934
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2404.03934
Licence: https://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/
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