Impact de la contrainte sur les propriétés du MoS en monocouche
Cette étude examine comment la contrainte affecte les propriétés électroniques du MoS en monocouche.
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Table des matières
- Propriétés du MoS en monocouche
- Effets de la contrainte sur le gap énergétique
- Études récentes sur la contrainte et le gap énergétique
- Méthodes de calcul utilisées
- Le rôle du coefficient de Poisson
- Résultats sur le changement de gap énergétique
- Transition entre semi-conducteur et métal
- Importance du couplage spin-orbite
- Discrepance entre théorie et expérimentation
- Conclusion
- Source originale
- Liens de référence
Le MoS en monocouche est un type de matériau bidimensionnel qui attire l'attention pour ses propriétés uniques. Ce matériau a un gap énergétique significatif, ce qui le rend adapté à diverses applications en électronique et optoélectronique. Le gap énergétique fait référence à la différence d'énergie entre le sommet de la bande de valence et le bas de la bande de conduction. Quand on applique une contrainte à ce matériau, ça peut changer le gap énergétique, ce qui peut affecter ses propriétés électroniques.
Propriétés du MoS en monocouche
Le MoS en monocouche a plusieurs caractéristiques clés qui le rendent intéressant pour la recherche et la technologie. Il a une haute conductivité électrique, de la flexibilité et une grande surface spécifique. Son gap énergétique en fait un Semi-conducteur, ce qui est essentiel pour les dispositifs électroniques. Contrairement au graphène, qui n'a pas de gap énergétique, le MoS peut être éteint et allumé, ce qui lui permet de mieux fonctionner dans des circuits logiques.
Effets de la contrainte sur le gap énergétique
La contrainte peut venir de diverses sources, comme le pliage ou l'étirement du matériau. Quand on applique une contrainte au MoS en monocouche, le gap énergétique peut soit augmenter soit diminuer selon la quantité et le type de contrainte. Des recherches montrent qu'appliquer environ 10% de contrainte peut fermer complètement le gap, transformant le matériau d'un état semi-conducteur à un état métallique. Cette transition peut ouvrir de nouvelles possibilités d'utilisation du MoS dans l'électronique flexible.
Études récentes sur la contrainte et le gap énergétique
Des études expérimentales récentes ont montré que lorsque le MoS en monocouche est placé sur une surface légèrement courbée, comme le graphite, le gap énergétique diminue de manière significative avec la contrainte. Une étude a noté qu'un certain type de contrainte faisait diminuer le gap à un rythme de 400 meV pour chaque 1% de contrainte. Cependant, des calculs théoriques utilisant différentes méthodes ont montré des taux de diminution plus bas.
Dans notre étude, nous avons examiné le gap énergétique du MoS en monocouche en conditions libres en utilisant différentes méthodes de calcul. Nous avons trouvé que le gap énergétique diminue à des taux de 63 meV/% de contrainte (méthode PBE), 73 meV/% de contrainte (méthode HSE06), et 43 meV/% de contrainte (méthode G0W0). Ces chiffres sont bien inférieurs aux taux observés dans des conditions expérimentales.
Méthodes de calcul utilisées
Pour étudier les effets de la contrainte sur le MoS en monocouche, nous avons utilisé plusieurs techniques de calcul. Nous avons commencé par calculer le gap énergétique pour un MoS en monocouche sans contrainte. La première étape a consisté à détendre les paramètres de réseau et les positions des atomes dans le matériau. Ensuite, nous avons appliqué la contrainte tout en gardant certains paramètres constants pour maintenir l'exactitude.
Différentes méthodes ont donné des résultats variés. Par exemple, en utilisant la méthode HSE06, le paramètre de réseau détendu était de 3.15 Å, tandis qu'en utilisant la méthode PBE, il était de 3.18 Å. Les gaps énergétiques utilisant PBE, HSE06, et une méthode supplémentaire étaient respectivement de 1.65 eV, 2.30 eV, et 2.64 eV pour le MoS sans contrainte.
Le rôle du coefficient de Poisson
Le coefficient de Poisson est une mesure de combien un matériau change dans une direction quand il est étiré dans une autre. Pour le MoS en monocouche, une étude expérimentale a déterminé un coefficient de Poisson de 0.44. Cette valeur positive signifie que quand le matériau est étiré dans une direction, il tend à se comprimer dans l'autre direction. Cette compréhension nous a aidés à maintenir les bonnes conditions de contrainte dans nos calculs.
En maintenant un coefficient de Poisson de 0.44, nous avons modélisé comment le gap énergétique change sous contrainte. Nous avons observé qu'un coefficient de Poisson positif fait que la structure cristalline réagit de manière prévisible à la contrainte appliquée.
Résultats sur le changement de gap énergétique
Nos calculs ont montré que le gap énergétique diminue beaucoup moins que ce qui a été indiqué par des résultats expérimentaux précédents. Nous avons noté un changement dans le gap énergétique avec la contrainte, où la méthode G0W0 a prédit un gap énergétique de 0.11 eV sous des conditions de contrainte spécifiques. Ce résultat s'aligne plus étroitement avec les résultats antérieurs mais ne correspond pas aux données expérimentales.
Nous avons également testé différents coefficients de Poisson, y compris une valeur couramment citée de 0.25. Les résultats ont indiqué que le gap énergétique diminue plus rapidement à un coefficient de Poisson de 0.25 comparé à 0.44. Cependant, ce facteur à lui seul n'explique pas les différences significatives entre nos résultats théoriques et les résultats expérimentaux.
Transition entre semi-conducteur et métal
Une observation intéressante de notre travail est que lorsque 10% de contrainte de traction est appliquée, le MoS en monocouche montre le potentiel de transition d'un semi-conducteur à un métal. Ce changement est significatif car il indique la flexibilité du matériau dans les applications électroniques. La transition permettrait différentes fonctionnalités dans des dispositifs comme des capteurs et des circuits flexibles.
En fait, certaines études expérimentales ont laissé entendre cette transformation, et c'est crucial pour le développement futur de l'électronique flexible. La capacité de contrôler cette transition par la contrainte pourrait mener à de nouvelles innovations en électronique.
Importance du couplage spin-orbite
Le couplage spin-orbite (SOC) est un autre facteur qui peut influencer les propriétés électroniques des matériaux bidimensionnels comme le MoS. Nos calculs ont exploré comment le SOC impacte le gap énergétique sous différentes conditions de contrainte. L'effet du SOC sur le MoS est relativement faible, mais il doit être pris en compte pour des prédictions précises sur le comportement du matériau.
À mesure que la contrainte augmente, la structure de bande change, amenant le MoS à passer d'un matériau à gap direct à un matériau à gap indirect sous des conditions spécifiques. Ce comportement est pertinent pour les applications en optoélectronique, où la distinction entre gaps directs et indirects est importante pour l'absorption et l'émission de lumière.
Discrepance entre théorie et expérimentation
Les différences entre nos résultats théoriques et les findings expérimentaux mettent en évidence la complexité de comprendre les effets de contrainte sur les matériaux bidimensionnels. Même si nous avons maintenu des calculs constants, la diminution observée du gap énergétique était significativement moins que les 400 meV/% de contrainte rapportés dans les expériences.
Plusieurs facteurs pourraient contribuer à cette disparité. Une possibilité est que la contrainte ne soit pas uniformément répartie à travers le matériau. Les contraintes non uniformes pourraient conduire à des régions avec des propriétés électroniques variées, compliquant le comportement global du matériau.
Conclusion
En conclusion, notre étude souligne l'importance de comprendre comment la contrainte affecte les propriétés électroniques du MoS en monocouche. Bien que nous ayons constaté que le gap énergétique diminue avec la contrainte, les taux étaient beaucoup plus bas que ceux rapportés dans les études expérimentales. La capacité de contrôler ces propriétés par la contrainte est cruciale pour les applications futures dans l'électronique flexible et l'ingénierie des contraintes.
L'ambiguïté entre les prédictions théoriques et les résultats expérimentaux nécessite des investigations supplémentaires. Comprendre les raisons sous-jacentes de ces différences améliorera notre connaissance des matériaux bidimensionnels et de leurs capacités dans divers progrès technologiques.
Au fur et à mesure que la recherche continue, examiner des facteurs comme la distribution non uniforme des contraintes et le rôle des matériaux environnants pourrait fournir de meilleures perspectives sur le comportement du MoS en monocouche. Le potentiel de ce matériau en électronique reste vaste, et les études futures découvriront probablement encore plus d'applications et de fonctionnalités.
Titre: Effect of Strain on the Band Gap of Monolayer MoS$_2$
Résumé: Monolayer molybdenum disulfide ($\mathrm{MoS_2}$) under strain has many interesting properties and possible applications in technology. A recent experimental study examined the effect of strain on the bandgap of monolayer $\mathrm{MoS_2}$ on a mildly curved graphite surface, reporting that under biaxial strain with a Poisson's ratio of 0.44, the bandgap decreases at a rate of 400 meV/\% strain. In this work, we performed density functional theory (DFT) calculations for a free-standing $\mathrm{MoS_2}$ monolayer, using the generalized gradient approximation (GGA) PBE, the hybrid functional HSE06, and many-body perturbation theory with the GW approximation using PBE wavefunctions (G0W0@PBE). For the unstrained monolayer, we found a standard level of agreement for the bandgap between theory and experiment. For biaxial strain at the experimental Poisson's ratio, we found that the bandgap decreases at rates of 63 meV/\% strain (PBE), 73 meV/\% strain (HSE06), and 43 meV/\% strain (G0W0@PBE), which are significantly smaller than the experimental rate. We also found that PBE predicts a similarly smaller rate (90 meV/\% strain) for a different Poisson's ratio of 0.25. Spin-orbit correction (SOC) has little effect on the gap or its strain dependence. The strong disagreement between theory and experiment may reflect an unexpectedly strong effect of the substrate on the strain dependence of the gap. Additionally, we observed a transition from a direct to an indirect bandgap under strain, and (under an equal biaxial strain of 10\%) a semiconductor-to-metal transition, consistent with previous theoretical work.
Auteurs: Raj K. Sah, Hong Tang, Chandra Shahi, Adrienn Ruzsinszky, John P. Perdew
Dernière mise à jour: 2024-11-14 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2406.06020
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2406.06020
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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