Bore Nitrure Hexagonal à Double Couche Tordu : Impact des Champs Électriques et des Angles de Torsion
Explorer comment les torsions et les champs électriques affectent les propriétés de t2BN.
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Table des matières
Le nitride de bore hexagonal à double couche twisté (t2BN) est une structure faite en empilant deux couches de nitride de bore hexagonal à un petit angle l'une par rapport à l'autre. Cet empilement crée un motif unique qui peut influencer les propriétés électriques du matériau. Quand on tord ces couches, des comportements intéressants se produisent, surtout quand on applique un champ électrique. Cet article passe en revue les effets de la torsion et des Champs électriques sur les propriétés du t2BN, en se concentrant sur leur impact sur la façon dont les charges se déplacent et comment le matériau se comporte en général.
Comprendre la Structure
Le nitride de bore hexagonal est similaire au graphène, qui est fait de carbone. Dans le t2BN, les deux couches sont tournées l'une par rapport à l'autre, créant un motif connu sous le nom de motif moiré. Cette disposition spécifique influence la façon dont les électrons se comportent dans le matériau. Quand les couches sont détendues, c'est-à-dire que leurs positions s'ajustent pour minimiser l'énergie, les niveaux d'énergie du matériau changent.
La Structure de bande d'un matériau définit comment les électrons peuvent se déplacer et où ils peuvent résider en termes d'énergie. Dans les bilayers twistés, la structure de bande peut devenir plate, permettant aux électrons d'interagir de manière originale. Cette platitude peut mener à des phénomènes importants, comme la superconductivité, où les matériaux conduisent l'électricité sans résistance sous certaines conditions.
Le Rôle des Champs Électriques
Quand un champ électrique externe est appliqué au t2BN, il peut modifier significativement les propriétés du matériau. Cet effet se produit en raison de l'interaction du champ électrique avec les charges dans le matériau, provoquant des changements dans la distribution des électrons à travers les couches. Le champ électrique peut pousser des atomes chargés dans des directions opposées, entraînant une redistribution des charges et modifiant les arrangements de pile local du matériau.
À mesure que la force du champ électrique varie, les zones des différents motifs de pile (comme AB et BA) peuvent grandir ou rétrécir. Ces changements peuvent influencer les propriétés électroniques, y compris le gap de bande, qui est la différence d'énergie entre l'état électronique occupé le plus élevé et l'état non occupé le plus bas. Un gap de bande plus étroit conduit souvent à une conductivité accrue.
Effets de Relaxation de Réseau
Quand le t2BN est autorisé à se détendre-c'est-à-dire que les atomes bougent pour diminuer leur énergie-cela change significativement les propriétés du matériau. La relaxation affecte la façon dont les électrons se comportent et peut élargir les bandes d'énergie, les rendant plus plates. C'est important pour les applications en électronique où le contrôle du mouvement des électrons est crucial.
L'orientation de l'empilement dans la structure détendue peut influencer comment la polarisation de charge se produit entre les deux couches. Si la couche du haut a des atomes chargés différemment de la couche du bas, un dipôle (une séparation de charge positive et négative) se forme, ce qui peut influencer comment le matériau réagit à un champ électrique appliqué.
Polarisation de Charge Intercouche Locale
Un effet intéressant dans le t2BN est la polarisation de charge intercouche locale, qui se produit en raison de la distribution inégale de charge entre les couches. Cette polarisation mène à des zones localisées qui peuvent être manipulées par des champs externes. La force et la direction de ces champs électriques peuvent encore renforcer ou diminuer l'effet de la polarisation, permettant aux chercheurs de peaufiner les propriétés du matériau.
La polarisation de charge maximale observée dans certaines Configurations d'empilement indique le potentiel de création de dispositifs pouvant changer leur comportement en fonction des stimuli externes, comme les champs électriques. Cette possibilité de réglage pourrait mener à des avancées dans les dispositifs de mémoire ou les capteurs.
Effets de la Configuration d'Empilement et de l'Angle de Torsion
La configuration d'empilement influence énormément les propriétés électroniques du t2BN. Différentes arrangements, comme AB et BA, ont des profils d'énergie distincts, ce qui influence la performance globale du matériau dans diverses applications. L'angle de torsion entre les couches joue également un rôle essentiel.
À mesure que l'angle de torsion change, les bandes électroniques peuvent devenir plus basses en énergie et, à des angles critiques, peuvent atteindre un état presque plat qui est souhaitable pour de nombreuses applications. La relation entre l'angle de torsion et les propriétés électroniques donne aux ingénieurs un outil précieux pour concevoir des matériaux avec des caractéristiques spécifiques nécessaires pour des applications en électronique et en photonique.
Conclusion
En résumé, le nitride de bore hexagonal à double couche twisté présente des possibilités fascinantes en raison des interactions uniques entre les couches, de l'influence des champs électriques et de l'impact des angles de torsion. Comprendre ces facteurs est crucial pour développer des matériaux avancés qui peuvent être utilisés dans les futurs dispositifs électroniques et optoélectroniques. À mesure que les chercheurs continuent d'explorer ce matériau prometteur, de nouvelles applications et avancées technologiques devraient émerger de leurs découvertes.
Titre: Moir\'e flat bands and antiferroelectric domains in lattice relaxed twisted bilayer hexagonal boron nitride under perpendicular electric fields
Résumé: Local interlayer charge polarization of twisted bilayer hexagonal boron nitride (t2BN) is calculated and parametrized as a function of twist angle and perpendicular electric fields through tight-binding calculations on lattice relaxed geometries Lattice relaxations tend to increase the bandwidth of the nearly flat bands, where widths smaller than 1 meV are expected for angle less than 1.08 degree for parallel BN/BN alignment, and for angle less than 1.5 degree for the antiparallel BN/NB alignment. Local interlayer charge polarization maxima of 2.6 pC/m corresponding are expected at the AB and BA stacking sites of BN/BN aligned t2BN in the long moire period limit for angle less than 1 degree, and evolves non-monotonically with a maximum of 3.5 pC/m at angle equal to 1.6 degree before reaching 2 pC/m for angle equal to 6 degree. The electrostatic potential maxima due to the t2BN are overall enhanced by 20 percentage with respect to the rigid system assuming potential modulation depths of up to 300 mV near its surface. In BN/BN aligned bilayers the relative areas of the AB or BA local stacking regions can be expanded or reduced through a vertical electric field depending on its sign.
Auteurs: Fengping Li, Dongkyu Lee, Nicolas Leconte, Srivani Javvaji, Jeil Jung
Dernière mise à jour: 2024-06-17 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2406.12231
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2406.12231
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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