Avances en el Modelado de Dispositivos de Conmutación por Umbral
Un nuevo modelo simplifica la simulación de dispositivos de conmutación por umbral para el diseño de circuitos.
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Tabla de contenidos
Los dispositivos de conmutación por umbral son componentes importantes en la electrónica moderna. Pueden cambiar rápidamente entre estados de encendido y apagado, lo que los hace adecuados para varias aplicaciones. Este artículo presenta un modelo más simple para ayudar a simular estos dispositivos de manera efectiva en diseños de circuitos.
¿Qué son los Dispositivos de Conmutación por Umbral?
Los dispositivos de conmutación por umbral, como el Ovonic Threshold Switch (OTS), son dispositivos de dos terminales hechos de materiales especiales llamados aleaciones de calcógeno. Estos dispositivos pueden cambiar su estado según la cantidad de corriente que fluye a través de ellos. Cuando fluye suficiente corriente, cambian a un estado de encendido, permitiendo que la corriente pase fácilmente. Si la corriente disminuye por debajo de un cierto nivel, vuelven a un estado de apagado.
Importancia en la Electrónica
Los dispositivos OTS son atractivos porque pueden cambiar de estado rápidamente y tienen una característica única conocida como Resistencia Diferencial Negativa (NDR). Esto significa que después de un cierto punto, aumentar la corriente provoca una disminución en el voltaje, lo que permite transiciones bruscas entre los estados de encendido y apagado. Estas propiedades los hacen útiles para celdas de memoria, aplicaciones de conmutación rápida y computación neuromórfica, que imita cómo funciona el cerebro humano.
La Necesidad de un Modelo Compacto
A pesar de que se ha estudiado la conmutación por umbral en estos dispositivos durante años, todavía hay mucho que no se comprende completamente. Los modelos existentes a menudo se centran en los detalles físicos de cómo funcionan estos dispositivos, lo que puede ser complejo y difícil de aplicar en diseños de circuitos prácticos. Los diseñadores necesitan modelos que sean precisos, pero también simples y lo suficientemente rápidos para usarse en simulaciones.
El Modelo Propuesto
Se ha desarrollado un nuevo modelo compacto para dispositivos de conmutación por umbral. Este modelo tiene como objetivo simplificar la comprensión de estos dispositivos mientras sigue siendo útil para simulaciones en el diseño de circuitos.
Pasos en el Desarrollo del Modelo
Creando un Modelo Macro: El primer paso fue crear un modelo macro utilizando una herramienta de simulación de circuitos llamada LTSPICE. Este modelo capturó el comportamiento general del dispositivo OTS.
Desarrollando un Modelo Descriptivo: Basado en el modelo macro, se creó un modelo descriptivo utilizando MATLAB. Este modelo proporcionó una vista más detallada de cómo se comporta el dispositivo bajo diferentes condiciones.
Extendiendo a un Modelo Físico: El siguiente paso fue extender el modelo macro para incluir aspectos físicos de cómo opera el dispositivo. Esto involucró entender los procesos que ocurren cuando el dispositivo cambia de estado.
Incorporando un Modelo de Retardo: Se incluyó un modelo de retardo para ayudar a simular cuánto tiempo tarda el dispositivo en cambiar de estado. Este modelo también incluyó una variable interna que ayuda a representar el comportamiento del dispositivo en términos de parámetros eléctricos.
Ajustando el Modelo con Datos Experimentales: Finalmente, se probó el nuevo modelo compacto utilizando datos reales recogidos de un dispositivo OTS fabricado por Western Digital. Esto ayudó a verificar que el modelo podía representar con precisión el comportamiento del mundo real.
Cómo Funciona el Modelo
El modelo compacto describe tres estados principales del dispositivo OTS: apagado, encendido y snapback.
- Estado Apagado: En este estado, el dispositivo no conduce electricidad.
- Estado Encendido: Cuando el dispositivo está encendido, permite que la corriente fluya libremente.
- Estado Snapback: Durante esta fase, el dispositivo presenta características únicas que pueden estabilizar su operación.
El modelo se expresa de una manera que permite a los diseñadores de circuitos implementarlo fácilmente en sus simulaciones. Utiliza un conjunto de ecuaciones eléctricas que representan el comportamiento del dispositivo bajo diferentes condiciones.
Componentes del Modelo
El modelo incluye varios componentes clave:
- Resistencias: Cada estado del dispositivo está representado por una resistencia, que determina cómo responde a los cambios de corriente.
- Transistores: Se utilizan dos tipos de transistores (PNP y NPN) para modelar el comportamiento del dispositivo. Estos componentes ayudan a simular las características eléctricas del OTS.
- Condensadores: Se incluyen condensadores para manejar los cambios de carga y apoyar la capacidad del dispositivo para cambiar de estado.
Resultados de Simulación
El nuevo modelo compacto se ha probado utilizando varios parámetros. Por ejemplo, cambiar la resistencia en serie o el voltaje térmico afecta significativamente cómo se comporta el dispositivo. Estos resultados demuestran la flexibilidad y precisión del modelo.
Aplicaciones Prácticas
El nuevo modelo se puede aplicar en varios campos, incluyendo:
- Tecnología de Memoria: Los dispositivos OTS pueden actuar como selectores para celdas de memoria, lo que ayuda a mejorar la eficiencia en el almacenamiento de datos.
- Dispositivos de Conmutación Rápida: Pueden usarse en interruptores rápidos que requieren transiciones rápidas de encendido y apagado.
- Computación Neuromórfica: El modelo puede apoyar aplicaciones en computación que buscan imitar procesos neuronales humanos.
Conclusión
El desarrollo de este modelo compacto para dispositivos de conmutación por umbral presenta una herramienta útil para los diseñadores de circuitos. Al simplificar la representación de estos dispositivos mientras se mantiene la precisión, permite simulaciones eficientes y aplicaciones prácticas. El ajuste exitoso de datos experimentales confirma su fiabilidad, convirtiéndolo en una contribución esencial al campo de la electrónica. A medida que la tecnología sigue evolucionando, tener acceso a modelos efectivos como este será crucial para avanzar en el diseño de circuitos y la funcionalidad de los dispositivos.
Título: A Compact Model of Threshold Switching Devices for Efficient Circuit Simulations
Resumen: In this paper, we present a new compact model of threshold switching devices which is suitable for efficient circuit-level simulations. First, a macro model, based on a compact transistor based circuit, was implemented in LTSPICE. Then, a descriptive model was extracted and implemented in MATLAB, which is based on the macro model. This macro model was extended to develop a physical model that describes the processes that occur during the threshold switching. The physical model derived comprises a delay structure with few electrical components adjacent to the second junction. The delay model incorporates an internal state variable, which is crucial to transform the descriptive model into a compact model and to parameterize it in terms of electrical parameters that represent the component's behavior. Finally, we applied our model by fitting measured i-v data of an OTS device manufactured by Western Digital Research.
Autores: Mohamad Moner Al Chawa, Daniel Bedau, Ahmet S. Demirkol, James W. Reiner, Derek A. Stewart, Michael K. Grobis, Ronald Tetzlaff
Última actualización: 2023-08-03 00:00:00
Idioma: English
Fuente URL: https://arxiv.org/abs/2308.02017
Fuente PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.02017
Licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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