Impacto de la alta presión en los aislantes topológicos magnéticos
Un estudio revela los efectos de la presión en la dinámica de carga en MnBiTe y Mn(BiSb)Te.
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Tabla de contenidos
Este artículo habla sobre dos materiales especiales llamados MnBiTe y Mn(BiSb)Te, que son conocidos por sus propiedades únicas. Estos materiales pertenecen a un grupo conocido como aislantes topológicos magnéticos. A los investigadores les interesan estos materiales porque pueden soportar comportamientos electrónicos inusuales que no se encuentran comúnmente en materiales regulares.
En este estudio, los investigadores analizaron cómo la aplicación de alta presión afecta el movimiento de carga en estos materiales. Usaron técnicas avanzadas para medir los cambios en las propiedades eléctricas cuando se aumentó la presión.
Antecedentes sobre MnBiTe y Mn(BiSb)Te
MnBiTe es un ejemplo bien conocido de un aislante topológico magnético. Tiene una estructura electrónica especial que le permite conducir electricidad en su superficie mientras aísla en su volumen. Este tipo de comportamiento lo hace atractivo para diversas aplicaciones, especialmente en áreas tecnológicas relacionadas con la computación cuántica y la espintrónica.
Mn(BiSb)Te es un compuesto relacionado donde algunos de los átomos en MnBiTe son reemplazados por antimonio (Sb). Este reemplazo puede alterar sus propiedades electrónicas, lo cual es valioso para la investigación. La forma en que estos materiales responden a cambios en las condiciones, especialmente la presión, es importante para entender sus posibles usos.
Dinámica de Carga Bajo Alta Presión
Uno de los enfoques principales de este estudio es cómo la presión afecta el movimiento de cargas en estos materiales. Cuando se aplica presión, la estructura de un material puede cambiar, lo que a su vez afecta cuán fácilmente puede fluir la electricidad.
Los investigadores encontraron que diferentes propiedades de los materiales cambiaron con la presión, incluyendo la frecuencia plasmática, la Conductividad eléctrica y la reflectancia a ciertas frecuencias. Estos cambios proporcionan información sobre el comportamiento electrónico de los materiales bajo estrés.
Observaciones en MnBiTe
Para MnBiTe, cuando la presión se aumentó a 2 y 4 GPa (gigapascales), se notaron algunos cambios pequeños en las propiedades medidas. Los investigadores observaron que la brecha óptica disminuyó a medida que aumentaba la presión. La brecha óptica es la diferencia de energía que necesita superarse para que los electrones se muevan de la banda de valencia a la banda de conducción.
Este comportamiento fue consistente con hallazgos anteriores, que indicaron que a medida que la presión aumenta, la brecha de energía tiende a disminuir. Esto significa que el material se vuelve más conductor bajo presión, aunque los experimentos mostraron que la conductividad inicialmente no mejora como se esperaba.
Observaciones en Mn(BiSb)Te
En el caso de Mn(BiSb)Te, la dinámica de carga también cambió con la presión, pero los efectos fueron diferentes en comparación con MnBiTe. La brecha de energía era más pequeña, lo que indicaba que el material se estaba acercando a un estado aislante a medida que aumentaba la presión. Esto es contrario a lo que se espera típicamente en materiales conductores, donde aumentar la presión generalmente lleva a una mejor conductividad.
Ambos materiales exhibieron una reducción en sus características metálicas bajo presión. Los investigadores creen que esto puede estar vinculado a cómo se comportan los electrones en presencia de presión, llevando a su localización en lugar de un movimiento libre.
Técnicas Experimentales Utilizadas
Para medir los cambios en las propiedades de estos materiales, los investigadores utilizaron un método llamado Espectroscopía óptica. Esta técnica permite a los científicos estudiar cómo interactúan los materiales con la luz, lo que revela información importante sobre su estructura electrónica.
Se prepararon cristales simples de MnBiTe y Mn(BiSb)Te utilizando una técnica llamada método de auto-flujo, que implica procesos de calentamiento y enfriamiento para crear cristales de alta calidad. Luego, los investigadores colocaron estos cristales en una celda de yunque de diamante, que se usa para aplicar alta presión.
Se tomaron medidas de reflectancia, que implican iluminar el material y medir cuánta luz se refleja. Esto proporciona datos sobre las propiedades electrónicas de los materiales.
Resultados y Análisis
Los investigadores observaron que ambos materiales mostraron tendencias similares cuando se aplicó presión. La conductividad óptica a baja energía disminuyó, lo que indica una pérdida de carácter metálico.
Hallazgos Detallados en Propiedades Ópticas
Los hallazgos destacaron varias anomalías en la dependencia de la presión de parámetros clave. Por ejemplo, a niveles de presión específicos, se notaron cambios significativos en la conductividad y la reflectancia. Estas anomalías son vitales ya que pueden indicar transiciones en la estructura electrónica de los materiales.
El espectro de reflectancia de MnBiTe mostró un alto nivel de reflectividad a frecuencias bajas, consistente con su naturaleza metálica. Sin embargo, a medida que aumentaba la presión, el espectro cambiaba, y la reflectividad disminuía para frecuencias por debajo de un cierto punto.
Comparando MnBiTe y Mn(BiSb)Te
Aunque ambos materiales mostraron una reducción en sus características metálicas bajo presión, MnBiTe tenía una conductividad inicial más alta en comparación con Mn(BiSb)Te. El compuesto sustituido por Sb mostró un comportamiento metálico mucho más débil y una proximidad más cercana a un estado aislante.
Los experimentos indicaron que la transición de comportamiento metálico a aislante bajo presión en Mn(BiSb)Te es más pronunciada. Esta diferencia en el comportamiento ayuda a entender cómo las variaciones en la composición afectan las propiedades electrónicas.
Efectos en la Dinámica de Portadores de Carga
Entender la dinámica de los portadores de carga es crucial para aplicaciones en electrónica. Cuando se aplica presión, los investigadores notaron que el movimiento de los portadores de carga cambió significativamente.
En MnBiTe, se observó que a medida que aumentaba la presión, había una disminución en la masa efectiva de los portadores de carga. Una masa efectiva aumentada típicamente indica que los electrones se están volviendo menos móviles, lo que lleva a una mayor resistividad.
En Mn(BiSb)Te, se observaron tendencias similares, pero los materiales ya estaban al borde del comportamiento aislante. Su dinámica de portadores de carga sugiere una tendencia hacia la localización en lugar de la deslocalización, que a menudo ocurre en metales bajo presión.
Conclusión
El estudio concluye que la alta presión tiene un impacto notable en la dinámica de carga de ambos MnBiTe y Mn(BiSb)Te. Con el aumento de presión, las propiedades ópticas cambian de tal manera que sugiere una disminución del carácter metálico para ambos materiales.
Los hallazgos destacan la complejidad de estos materiales y los efectos significativos de la presión en sus propiedades electrónicas. Tal investigación no solo avanza la comprensión de los aislantes topológicos magnéticos, sino que también allana el camino para posibles aplicaciones futuras en dispositivos electrónicos avanzados.
En última instancia, los comportamientos observados bajo presión proporcionan datos esenciales para futuras investigaciones y posibles avances tecnológicos involucrando estos materiales fascinantes.
Título: Optical study of the charge dynamics evolution in the topological insulators MnBi$_2$Te$_4$ and Mn(Bi$_{0.74}$Sb$_{0.26}$)$_2$Te$_4$ under high pressure
Resumen: The van der Waals material MnBi$_2$Te$_4$ and the related Sb-substituted compounds Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_4$ are prominent members of the family of magnetic topological insulators, in which rare quantum mechanical states can be realized. In this work, we study the evolution of the charge dynamics in MnBi$_2$Te$_4$ and the Sb-substituted compound Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_4$ with $x=0.26$ under hydrostatic pressure. For MnBi$_2$Te$_4$, the pressure dependence of the screened plasma frequency, the dc conductivity, and the reflectance at selected frequencies shows weak anomalies at $\sim$2 and $\sim$4~GPa, which might be related to an electronic phase transition driven by the enhanced interlayer interaction. We observe a pressure-induced decrease in the optical gap, consistent with the decrease in and closing of the energy gap reported in the literature. Both studied materials show an unusual decrease in the low-energy optical conductivity under pressure, which we attribute to a decreasing spectral weight of the Drude terms describing the free charge carrier excitations. Our results suggest a localization of conduction electrons under pressure, possibly due to hybridization effects.
Autores: M. Köpf, S. H. Lee, Z. Q. Mao, C. A. Kuntscher
Última actualización: 2024-05-24 00:00:00
Idioma: English
Fuente URL: https://arxiv.org/abs/2405.15283
Fuente PDF: https://arxiv.org/pdf/2405.15283
Licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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