Grafeno de Doble Capa: Una Nueva Frontera en Valleytrónica
El grafeno en capas tiene potencial para la valletromática, permitiendo nuevas tecnologías electrónicas.
T. J. Osborne, M. E. Portnoi, E. Mariani
― 6 minilectura
Tabla de contenidos
El grafeno es un material formado por una sola capa de átomos de carbono dispuestos en una estructura de panal bidimensional. Cuando apilas dos capas de grafeno de una manera específica, conocida como apilamiento Bernal, se forma el grafeno bilayer. Este material tiene propiedades eléctricas únicas que los investigadores están empezando a aprovechar para tecnologías avanzadas, incluyendo la valleytrónica.
La valleytrónica es un nuevo campo de investigación que se centra en los valles de la estructura de banda electrónica de los materiales. En términos simples, estos valles son como picos de energía local donde pueden residir los electrones. Los investigadores quieren usar estos valles para almacenar y procesar información, mucho como usamos la carga o el spin en la electrónica tradicional. El desafío es que en muchos materiales, incluyendo los semiconductores convencionales, es difícil controlar estos valles.
Con el descubrimiento del grafeno en 2004, los científicos empezaron a mirar materiales bidimensionales, que mostraron promesas para la valleytrónica. El grafeno tiene dos valles en las esquinas de su estructura de banda de energía, que son cruciales para las aplicaciones valleytrónicas. Las ideas iniciales se centraron en usar el grafeno para el transporte electrónico. Sin embargo, los defectos a escala atómica en los dispositivos reales mezclaron los valles y hicieron difícil aprovechar su potencial.
Un enfoque alternativo es usar Luz para excitar Portadores de carga dentro del material. Sin embargo, en el grafeno puro, los valles tienen propiedades ópticas similares, lo que dificulta medir y controlar la polarización de los valles, que se refiere a la concentración de portadores de carga en un valle particular. A energías de luz más altas, un fenómeno llamado deformación trigonal permite que los portadores de carga de diferentes valles se esparzan en el espacio cuando la luz los golpea. Este efecto podría permitir a los investigadores controlar los valles, pero a estas energías más altas, los estados de valle tienden a mezclarse debido a procesos de dispersión, reduciendo su utilidad para la valleytrónica.
Para superar estas limitaciones, los científicos pueden cambiar las propiedades del grafeno al colocarlo sobre ciertos sustratos que rompen su simetría de inversión, como el nitruro de boro. Este cambio abre un hueco de banda en el material, dando lugar a nuevas propiedades ópticas. En el grafeno con hueco, los investigadores pueden excitar selectivamente electrones en diferentes valles usando luz polarizada circularmente, que es luz que oscila de manera circular. Este efecto se ha observado en otros materiales bidimensionales con un hueco de banda, pero en el grafeno puro, la separación de los valles es más desafiante.
El enfoque se ha desplazado hacia el grafeno bilayer, específicamente la versión apilada Bernal sin hueco. Estudios recientes han destacado los comportamientos únicos del grafeno bilayer, revelando fenómenos como transiciones de fase de muchos cuerpos y superconductividad. Los investigadores han encontrado que los portadores de carga en el grafeno bilayer pueden separarse espacialmente cuando se les ilumina con luz de baja energía, gracias a la disposición anisotrópica de los valles. Esto significa que los portadores de carga de diferentes valles se mueven hacia lados diferentes del punto de luz. Esta separación se ve aún más potenciada al usar luz polarizada linealmente, que puede alinear el momento de los portadores de carga.
Incluso cuando se introduce un hueco de banda en el grafeno bilayer, los investigadores notaron que las propiedades dependientes del valle persisten. En el grafeno bilayer con hueco, el comportamiento de la luz también puede distinguir entre los valles. Esto significa que es posible detectar cuántos portadores de carga pertenecen a cada valle según el tipo de polarización circular que emiten.
Los investigadores propusieron usar estas características para crear nuevos tipos de dispositivos llamados dispositivos optovalleytrónicos. Estos dispositivos aprovecharían la capacidad de separar portadores de carga según su índice de valle. Los investigadores han delineado dos configuraciones experimentales para demostrar este concepto.
En la primera configuración, el grafeno bilayer con hueco uniforme se expone a luz polarizada linealmente. Esta luz excita a los portadores de carga en el material. Debido a la estructura de banda única del grafeno bilayer, los portadores de carga de valles opuestos se dispersarán alejándose del punto de luz, lo que lleva a una separación espacial. A medida que los portadores de carga llegan a los bordes del material, pueden emitir luz de diferentes polarizaciones circulares según de qué valle provienen. Esto significa que al medir la luz emitida en los bordes, los científicos pueden obtener información sobre la polarización del valle.
En la segunda configuración, una región central de grafeno bilayer sin hueco está rodeada por regiones con un hueco de banda. El área sin hueco permitirá que los portadores de carga se muevan más libremente, lo que significa que pueden propagarse a las áreas con hueco sin una mezcla significativa. Nuevamente, la luz polarizada circularmente emitida desde las diferentes regiones con hueco tendrá manecillas opuestas, permitiendo la detección de la polarización del valle.
Ambas configuraciones se centran en usar las propiedades a granel del grafeno bilayer y evitan los efectos de borde que a menudo complican la manipulación de los valles en dispositivos tradicionales. Los investigadores pretenden trabajar en el rango de frecuencias terahercios, que es importante para las tecnologías futuras.
Experimentos recientes han mostrado que los estados de valle en el grafeno bilayer pueden existir durante mucho tiempo, durando mucho más que los estados de spin tradicionales en los materiales. Esta longevidad hace que el grafeno bilayer sea un fuerte candidato para aplicaciones potenciales en el emergente campo de la quantum valleytrónica.
En conclusión, las propiedades únicas del grafeno bilayer permiten una manipulación efectiva de los valles usando luz. Los portadores de carga de diferentes valles pueden separarse espacialmente, y su índice de valle puede preservarse, ofreciendo una ruta prometedora para los futuros dispositivos optovalleytrónicos. A medida que continúa la investigación, el grafeno bilayer podría convertirse en un jugador clave en el futuro de las tecnologías electrónicas avanzadas, ofreciendo nuevas maneras de procesar y almacenar información.
Título: Valley separation of photoexcited carriers in bilayer graphene
Resumen: We derive the angular generation density of photoexcited carriers in gapless and gapped Bernal bilayer graphene. Exploiting the strong anisotropy of the band structure of bilayer graphene at low energies due to trigonal warping, we show that charge carriers belonging to different valleys propagate to different sides of the light spot upon photoexcitation. Importantly, in this low-energy regime, inter-valley electron-phonon scattering is suppressed, thereby protecting the valley index. This optically induced valley polarisation can be further enhanced via momentum alignment associated with linearly-polarised light. We then consider gapped bilayer graphene (for example with the gap induced by external top- and back-gates) and show that it exhibits valley-dependent optical selection rules with circularly-polarised light analogous to other gapped Dirac materials, such as transition metal dichalcogenides. Consequently, gapped bilayer graphene can be exploited to optically detect valley polarisation. Thus, we predict an optical valley Hall effect - the emission of two different circular polarisations from different sides of the light spot, upon linearly-polarised excitation. We also propose two realistic experimental setups in gapless and gapped bilayer graphene as a basis for novel optovalleytronic devices operating in the elusive terahertz regime.
Autores: T. J. Osborne, M. E. Portnoi, E. Mariani
Última actualización: 2024-09-13 00:00:00
Idioma: English
Fuente URL: https://arxiv.org/abs/2409.08807
Fuente PDF: https://arxiv.org/pdf/2409.08807
Licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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