Amplificateurs de puissance à double bande : clé du 5G
Explore le rôle des amplificateurs de puissance doubles bandes dans les technologies de communication sans fil modernes.
― 8 min lire
Table des matières
Les amplificateurs de puissance (PAs) sont des éléments essentiels dans les systèmes de communication, surtout pour les nouvelles technologies comme la 5G. Ils aident à booster les signaux, permettant aux appareils de transmettre des données de manière plus efficace sur de longues distances. Cet article se concentre sur les amplificateurs de puissance dual-band qui fonctionnent à deux bandes de fréquence spécifiques, à savoir 28 GHz et 38 GHz. Ces bandes sont cruciales pour la communication sans fil moderne.
Importance de la technologie des ondes millimétriques
La technologie des ondes millimétriques fait référence aux fréquences radio allant de 30 GHz à 300 GHz. Cette technologie joue un rôle crucial dans les réseaux 5G et les systèmes de télécommunications futurs. Le principal avantage de l'utilisation des ondes millimétriques est la disponibilité d'un spectre plus large, offrant des débits de données plus élevés et une capacité accrue pour transmettre des informations.
Avec la demande croissante pour une communication sans fil plus rapide et plus fiable, le besoin de nouvelles technologies et de designs devient de plus en plus évident. C'est là que les PAs dual-band entrent en jeu, offrant des solutions qui répondent à plusieurs normes et applications.
Aperçu des amplificateurs de puissance dual-band
Un amplificateur de puissance dual-band peut fonctionner à deux bandes de fréquence différentes. Cette capacité est essentielle dans les systèmes sans fil modernes qui doivent gérer plusieurs normes de communication simultanément. La conception de tels amplificateurs garantit qu'ils peuvent supprimer les signaux indésirables qui se situent entre les bandes de fonctionnement, améliorant ainsi la performance globale.
Le développement de PAs dual-band implique généralement une combinaison de conceptions de circuits innovantes et de techniques de fabrication avancées. Par exemple, l'utilisation d'un réseau d'adaptation basé sur un transformateur peut aider à atteindre la performance désirée tout en optimisant la taille et le coût de l'amplificateur.
Caractéristiques clés des PAs dual-band
Fonctionnement dual-band : Comme mentionné, ces amplificateurs peuvent fonctionner à la fois à 28 GHz et à 38 GHz. Cette polyvalence leur permet de prendre en charge plusieurs normes de communication.
Suppression inter-bande : Un des grands avantages de l'amplificateur dual-band est sa capacité à supprimer les émissions qui se produisent dans l'espace entre les deux bandes de fonctionnement. C'est crucial, car cela empêche les interférences avec d'autres systèmes de communication qui pourraient utiliser des fréquences voisines.
Haute efficacité : Les PAs modernes visent à optimiser l'efficacité énergétique, ce qui est essentiel pour réduire la consommation d'énergie et prolonger la durée de vie des batteries dans les appareils portables.
Petite empreinte : À mesure que les appareils sans fil deviennent plus compacts, la taille des composants doit également diminuer. Les PAs dual-band sont conçus pour occuper un minimum d'espace sur une puce, ce qui les rend adaptés à l'intégration dans de petits appareils.
Compatibilité avec diverses normes : La capacité de communiquer à travers différentes normes est vitale car divers appareils peuvent avoir besoin de se connecter à différents réseaux.
Importance de l'approche de conception
Concevoir un PA dual-band implique plusieurs étapes, chacune nécessitant une attention particulière pour s'assurer que l'amplificateur atteint les objectifs de performance. Les aspects clés de la procédure de conception comprennent :
Sélection des bons composants : Choisir des inducteurs et des condensateurs de haute qualité est crucial pour atteindre la performance souhaitée. La qualité de ces composants affecte directement l'efficacité et la fonctionnalité globale de l'amplificateur.
Adaptation d'impédance : Pour garantir un transfert de puissance maximal, l'amplificateur doit être adapté à la charge qu'il entraîne. Cela implique de concevoir des réseaux qui peuvent fournir l'impédance correcte à la fois pour les bandes de fréquence.
Gestion du facteur de qualité : Le facteur de qualité (facteur Q) indique à quel point un composant peut stocker de l'énergie. Des facteurs Q plus élevés entraînent généralement de meilleures performances. Dans les conceptions dual-band, gérer le facteur Q est essentiel pour éviter les pertes de signal.
Détails techniques
Structure de base du PA dual-band
Un amplificateur de puissance dual-band typique comprend plusieurs cellules de puissance disposées dans une configuration spécifique pour atteindre la sortie désirée. Ces cellules de puissance sont combinées en utilisant une approche parallèle-série, permettant une puissance de sortie plus élevée tout en maintenant l'efficacité. La structure globale peut être complexe, mais chaque partie sert un objectif spécifique pour améliorer la performance.
Réseau d'adaptation d'impédance basé sur un transformateur
Un réseau à transformateur joue un rôle essentiel dans l'adaptation d'impédance. Il aide à convertir l'impédance du signal d'entrée au niveau de sortie requis, garantissant un transfert de puissance efficace. La conception de ce réseau est cruciale car elle influence directement le gain et l'efficacité de l'amplificateur.
Le transformateur utilisé dans cette configuration peut avoir un design à centre-tap, permettant un meilleur traitement des différentes bandes de fréquence. Un résonateur supplémentaire peut également être inclus pour aider à gérer les émissions de signal et améliorer la performance globale de l'amplificateur.
Configuration des cellules de puissance
Les cellules de puissance dans l'amplificateur présentent des conceptions de transistors empilés, leur permettant de gérer des tensions plus élevées et de générer une puissance de sortie accrue. En empilant les transistors, l'amplificateur peut atteindre une meilleure efficacité et performance par rapport aux conceptions à transistor unique.
Ces cellules de puissance sont généralement conçues pour un fonctionnement différentiel, ce qui aide à annuler les interférences et le bruit indésirables, améliorant encore la qualité du signal.
Impacts des imperfections du circuit
Chaque composant électronique a des imperfections qui peuvent affecter la performance. Les problèmes courants incluent :
Capacitance parasite : Une capacitance indésirable peut surgir de la disposition physique du circuit. Cela peut entraîner des pertes de signal et réduire l'efficacité de l'amplificateur.
Inexactitudes de modélisation : Concevoir des circuits implique souvent de faire des hypothèses qui peuvent ne pas se vérifier en pratique. Cela peut entraîner des écarts entre la performance attendue et réelle.
Variations de processus : Les variations dans le processus de fabrication peuvent également introduire des différences dans la performance des composants, rendant essentiel de les prendre en compte lors de la phase de conception.
Résultats de simulation
La simulation joue un rôle important dans le processus de conception. Les ingénieurs utilisent souvent des logiciels spécialisés pour modéliser le comportement de l'amplificateur dans différentes conditions. Les résultats de ces simulations peuvent guider des ajustements dans la conception, veillant à ce qu'elle réponde aux critères de performance nécessaires.
Principaux indicateurs de performance
Certains indicateurs de performance clés pour évaluer les PAs dual-band incluent :
Puissance de sortie saturée : Cela indique la puissance maximale que l'amplificateur peut délivrer avant qu'une distorsion ne se produise. Dans ce cas, l'amplificateur atteint 22,6 dBm à 28 GHz et 22,0 dBm à 38 GHz.
Efficacité ajoutée de puissance (PAE) : Cela mesure à quel point l'amplificateur convertit efficacement la puissance d'entrée en puissance de sortie. Le PA atteint une PAE maximale de 33 % à 28 GHz et 32 % à 38 GHz.
Compression de gain : Cela fait référence à la réduction du gain à mesure que la puissance d'entrée augmente. L'amplificateur présente un point de compression de gain de 1 dB à 19,8 dBm pour 28 GHz et 20,0 dBm pour 38 GHz.
Comparaison avec les technologies existantes
Lors de l'évaluation du nouveau PA dual-band, il est crucial de comparer ses performances avec celles des solutions existantes. Cela aide à identifier les domaines d'amélioration et établit la position de la technologie sur le marché. Dans l'ensemble, le nouvel amplificateur présente une meilleure puissance de sortie et efficacité par rapport à de nombreux designs existants, ce qui en fait une option compétitive pour les applications 5G.
Conclusion
L'amplificateur de puissance dual-band 28/38 GHz représente une avancée significative dans la technologie de communication. En intégrant une suppression inter-bande et en employant des techniques de conception innovantes, il offre une solution robuste pour les demandes de communication sans fil modernes. À mesure que la technologie continue d'évoluer, les améliorations futures pourraient se concentrer sur l'optimisation de l'efficacité et la gestion de normes de communication plus complexes.
En résumé, les PAs dual-band sont essentiels pour permettre une communication sans fil à haute capacité, les rendant précieux pour l'avenir des télécommunications. Le chemin vers une connectivité améliorée continue, et les amplificateurs dual-band joueront un rôle crucial dans cette quête.
Titre: A Dual-Band 28/38-GHz Power Amplifier With Inter-Band Suppression in 22-nm FD-SOI CMOS for Multi-Standard mm-Wave 5G Communications
Résumé: In this article, we present a dual-band 28/38-GHz power amplifier (PA) with inter-band suppression for millimeter-wave 5G communications. The dual-band operation is achieved using a center-tapped transformer network with an extra resonator which can provide optimum load impedance of the transistor in the two bands and synthesize a short-circuit between the two bands. This feature suppresses the PA signal emissions in the inter band, commonly allocated for other applications. A design procedure is developed for the proposed matching network including physical limits on the quality factor and the coupling coefficient of the transformer. The PA is designed using a 22-nm fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) CMOS process. The transistor stacking and a four-path transformer parallel-series power combining techniques are used to achieve high output power using the low-voltage process. The PA achieves simulated performance of 22.6/22.0 dBm saturated output power, 19.8/20.0 dBm output power at 1-dB gain compression, and 33/32 % maximum power-added efficiency (PAE) at 28/38 GHz. The inter-band suppression is 6 dB at 33 GHz.
Auteurs: Abbas Nasri, Alireza Yousefi, Reza Nikandish
Dernière mise à jour: 2023-06-26 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2306.14668
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2306.14668
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Changements: Ce résumé a été créé avec l'aide de l'IA et peut contenir des inexactitudes. Pour obtenir des informations précises, veuillez vous référer aux documents sources originaux dont les liens figurent ici.
Merci à arxiv pour l'utilisation de son interopérabilité en libre accès.