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# Physique# Électrons fortement corrélés# Science des matériaux

Étudier les propriétés électroniques du pentoxyde de vanadium

Cette étude examine le V2O5 et ses versions dopées au lithium pour diverses applications.

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L'oxyde de vanadium est un matériau unique qui montre des comportements intéressants au niveau de ses propriétés électroniques. Plus précisément, le pentoxyde de vanadium, ou V2O5, est un membre clé de la famille des oxydes de vanadium. Ce composé est connu pour sa capacité à passer d'un état d'oxydation à un autre, ce qui en fait un candidat pour diverses applications, comme dans les batteries, la photocatalyse et les fenêtres intelligentes.

Cette étude se concentre sur les propriétés électroniques du V2O5 et de ses versions dopées au lithium, en particulier Li1-xV2O5. La présence d'ions lithium change le comportement du matériau, ce qui en fait un sujet de recherche intéressant.

Caractéristiques du V2O5 pur

Dans sa forme pure, le V2O5 agit comme un isolant de transfert de charge. Ça veut dire qu'il a un écart d'énergie entre sa bande de valence et sa bande de conduction. Cet écart d'énergie, ou bande interdite, est crucial pour déterminer à quel point un matériau peut conduire l'électricité. Pour le V2O5, cet écart est mesuré entre 2,3 eV et 2,8 eV.

Le V2O5 a une structure en couches, où les couches d'atomes de vanadium et d'oxygène s'empilent les unes sur les autres. Ces couches interagissent faiblement entre elles via des forces de van der Waals. Cette arrangement unique affecte ses propriétés électriques, il est donc essentiel de comprendre comment ces couches influencent le comportement global du matériau.

Structure électronique du V2O5

La structure électronique du V2O5 révèle le rôle des différents types d'atomes d'oxygène. Il y a trois types d’atomes d’oxygène dans ce composé : l'oxygène vanadylique, qui forme une double liaison avec le vanadium, l'oxygène de pont, qui relie deux atomes de vanadium, et l'oxygène en chaîne, qui se lie à trois atomes de vanadium. Ce schéma contribue aux propriétés électroniques uniques du V2O5.

Les bandes de conduction dans le V2O5 sont principalement composées d'orbitales d du vanadium, tandis que les bandes de valence sont formées d'orbitales p de l'oxygène. La forte hybridation entre ces orbitales influence la capacité du matériau à conduire l'électricité.

Le rôle du dopage au lithium

Ajouter du lithium dans la structure du V2O5 modifie significativement ses propriétés électroniques. Quand des ions lithium sont introduits, ils donnent des électrons aux bandes de vanadium, ce qui change la distribution des électrons dans le matériau. Ce processus peut mener à la formation de Polarons, qui sont des porteurs de charge pouvant être localisés sur un seul site ou répartis sur plusieurs sites.

À faibles concentrations de lithium, deux types de polarons peuvent se former : des polarons libres qui sont localisés à des sites de vanadium uniques, et des polarons liés qui sont délocalisés sur plusieurs sites de vanadium autour d'un ion lithium.

Avec des concentrations de lithium plus élevées, la situation change. Les propriétés électroniques ont tendance à se déplacer vers un remplissage de la bande de conduction, ce qui entraîne un changement de la position du Niveau de Fermi. Ce déplacement est connu sous le nom d'effet Burstein-Moss, qui se produit lorsque des électrons supplémentaires remplissent la bande de conduction et poussent le niveau de Fermi vers le haut.

L'importance des méthodes computationnelles

Pour étudier ces propriétés, les chercheurs utilisent des techniques computationnelles avancées comme la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) et la théorie du champ moyen dynamique (DMFT). La DFT aide à comprendre les propriétés de l'état fondamental des matériaux, tandis que la DMFT fournit une vue plus détaillée des fortes corrélations électroniques et de leurs effets sur la structure électronique.

En combinant DFT et DMFT, les chercheurs peuvent obtenir une description plus précise des matériaux comme le V2O5, surtout en ce qui concerne les corrélations électroniques qui sont importantes dans les systèmes fortement corrélés.

Résultats sur le V2O5 pur

Les recherches montrent que la méthode DFT donne une approximation raisonnable de la bande interdite pour le V2O5 pur, mais elle a tendance à sous-estimer la bande de conduction. Les calculs DFT peuvent parfois surestimer le nombre d'électrons dans les atomes de vanadium, ce qui entraîne des écarts avec les valeurs expérimentales.

En revanche, en utilisant la DMFT, les propriétés calculées pour le V2O5 s'alignent beaucoup plus étroitement avec les résultats expérimentaux, notamment en ce qui concerne la bande interdite et le nombre d'électrons dans le vanadium.

Comportement du V2O5 dopé au lithium

En examinant le V2O5 dopé au lithium, les résultats révèlent un comportement complexe. Li1-xV2O5 avec de faibles niveaux de dopage montre un mélange de polarons libres et liés, tandis qu'avec des niveaux de dopage plus élevés, les électrons remplissent la bande de conduction de manière plus complète.

La structure électronique du V2O5 dopé au lithium devient plus métallique par rapport au comportement isolant du V2O5 pur. La présence d'ions lithium modifie la symétrie locale et influence les interactions électroniques entre les atomes, menant à cette transition.

Différences entre les polarons libres et liés

La recherche décrit clairement les différences entre les polarons libres et liés. Les polarons libres tendent à se localiser sur un seul atome de vanadium, tandis que les polarons liés se répartissent sur plusieurs sites de vanadium. La différence d'énergie entre ces deux états est faible, ce qui indique que les deux types de polarons peuvent coexister dans le V2O5 dopé au lithium.

Les méthodes computationnelles utilisées montrent que les polarons liés sont souvent énergétiquement plus favorables que les libres, surtout en tenant compte des distorsions structurelles qui résultent de la présence de lithium.

L'effet Burstein-Moss dans le V2O5 dopé au lithium

Au fur et à mesure que le dopage au lithium augmente, la structure de bande du V2O5 se déplace. L'effet Burstein-Moss devient évident alors que des niveaux de dopage plus élevés entraînent un déplacement notable du niveau de Fermi. Ce déplacement est cohérent avec les observations expérimentales provenant des mesures de photoluminescence et d'absorption, soutenant l'idée que les électrons supplémentaires contribuent significativement à la conductivité du matériau.

Conclusion

L'étude du pentoxyde de vanadium et de ses variantes dopées au lithium révèle la relation complexe entre structure et propriétés électroniques. Grâce à des méthodes computationnelles avancées, les chercheurs obtiennent des éclairages sur le comportement des polarons, l'impact du dopage sur la structure électronique, et l'importance de l'hybridation pour déterminer les capacités du matériau.

En résumé, le V2O5 et ses formes dopées au lithium présentent des opportunités passionnantes pour de futures recherches dans le domaine de la science des matériaux. Comprendre les principes sous-jacents régissant leurs propriétés électroniques peut contribuer au développement de nouvelles applications, notamment dans les technologies de stockage et de conversion d'énergie.

Source originale

Titre: Delocalized polaron and Burstein-Moss shift induced by Li in $\alpha$-$\textrm{V}_{2}\textrm{O}_{5}$: DFT+DMFT study

Résumé: We performed density functional theory (DFT)+$U$ and dynamical mean field theory (DMFT) calculations with continuous time quantum Monte Carlo impurity solver to investigate the electronic properties of V$_2$O$_5$ and Li$_x$V$_2$O$_5$ ($x$ = 0.125 and 0.25). Pristine V$_2$O$_5$ is a charge-transfer insulator with strong O $p$-V $d$ hybridization, and exhibits a large band gap ($E_{\textrm{gap}}$) as well as non-zero conduction band (CB) gap. We show that the band gap, the number of $d$ electrons of vanadium, $N_d$, and conduction band (CB) gap for V$_2$O$_5$ obtained from our DMFT calculations are in excellent agreement with the experimental values. While the DFT+$U$ approach replicates the experimental band gap, it overestimates the value of $N_d$ and underestimates the CB gap. In the presence of low Li doping, the electronic properties of V$_2$O$_5$ are mainly driven by a polaronic mechanism, the electron spin resonance and electron nuclear double resonance spectroscopies observed the coexistence of free and bound polarons. Notably, our DMFT results identify both polaron types, with the bound polaron being energetically preferred, while DFT+$U$ method predicts only the free polaron. Our DMFT analysis also reveals that increased Li doping leads to electron filling in the conduction band, shifting the Fermi level, this result consistent with the observed Burstein-Moss shift upon enhanced Li doping and we thus demonstrate that the DFT+DMFT approach can be used for accurate and realistic description of strongly correlated materials.

Auteurs: Huu T. Do, Alex Taekyung Lee, Hyowon Park, Anh T. Ngo

Dernière mise à jour: 2023-11-27 00:00:00

Langue: English

Source URL: https://arxiv.org/abs/2308.04043

Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.04043

Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Changements: Ce résumé a été créé avec l'aide de l'IA et peut contenir des inexactitudes. Pour obtenir des informations précises, veuillez vous référer aux documents sources originaux dont les liens figurent ici.

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