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# Physique# Science des matériaux

Comportement thermélectrique des films minces de Cd3As2

Des recherches montrent des caractéristiques thermoelectriques uniques dans les films minces de Cd3As2.

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Les secrets thermiques deLes secrets thermiques deCd3As2dans de fins films de Cd3As2.Révéler la performance thermoelectrique
Table des matières

Ces dernières années, les chercheurs s'intéressent de plus en plus à des matériaux spéciaux appelés isolants topologiques et semi-métaux. Ces matériaux ont des propriétés uniques qui les rendent potentiellement intéressants pour des applications en conversion d'énergie, comme la récupération d'énergie et les systèmes de refroidissement. Cependant, il reste encore beaucoup à découvrir sur leur comportement, surtout en ce qui concerne le Transport thermoelectrique-le mouvement de la charge électrique et de la chaleur.

Cet article se concentre sur un type spécifique de semi-métal topologique appelé Cd3As2, en particulier sous forme de film mince. Le Cd3As2 a des caractéristiques fascinantes, y compris des états de surface topologiques qui peuvent changer la façon dont il conduit l'électricité et la chaleur.

Concepts Clés

Isolants Topologiques et Semi-Métaux

Les isolants topologiques sont des matériaux qui agissent comme des isolants dans leur forme massive, mais ont des états de surface conducteurs. Les semi-métaux, comme le Cd3As2, partagent certaines propriétés avec les métaux et les semi-conducteurs. Ils ont des structures électroniques uniques qui aident au mouvement de charge.

Transport Thermoelectrique

Le transport thermoelectrique concerne l'efficacité avec laquelle un matériau peut convertir des différences de température en tension électrique (effet Seebeck) et vice versa (effet Peltier). L'efficacité d'un matériau pour ces tâches est mesurée par une propriété appelée performance thermoelectrique.

Confinement quantique

Quand on rend les matériaux plus fins, leurs propriétés peuvent changer de façon significative. Ce phénomène s'appelle le confinement quantique. Dans les films minces, les comportements des porteurs de charge sont influencés par les dimensions réduites.

Focalisation de la Recherche

La recherche examine les propriétés thermoelectriques des films minces fabriqués à partir de Cd3As2, en se concentrant particulièrement sur l'impact de l'épaisseur sur sa performance. Les films ont été préparés avec des techniques avancées pour assurer une haute qualité, et divers tests ont été menés pour observer leur comportement à différentes températures.

Méthodologie

Des films minces de Cd3As2 ont été cultivés à l'aide de l'épithaxie par faisceau moléculaire, une technique qui permet un contrôle précis sur l'épaisseur et la qualité du matériau. Les chercheurs ont créé des échantillons de différentes épaisseurs-950 nm, 95 nm et 25 nm-et ont mesuré leur Résistivité électrique et leurs coefficients Seebeck à diverses températures.

Expérimentations et Observations

Les chercheurs ont découvert que les films les plus fins, mesurant à peine 25 nm, montraient des performances thermoelectriques étonnamment élevées lorsqu'ils étaient refroidis à basse température. En revanche, les films plus épais se comportaient plus comme des matériaux conventionnels avec des comportements prévisibles.

Effets de Température

La résistivité et le coefficient Seebeck ont été mesurés pendant que les échantillons étaient refroidis. Le film le plus épais maintenait une augmentation stable de la résistivité, typique des semi-métaux massifs, tandis que le film de moyenne épaisseur montrait des signes de formation d'un gap de bande massif, indiquant un passage vers des caractéristiques de semi-conducteur.

Le film mince a présenté un comportement unique avec le coefficient Seebeck, restant positif sur toute la plage de température et atteignant un pic à très basse température. Cela indiquait une forte influence des états de surface par rapport aux états massifs.

Oscillations Quantiques

Pour comprendre les propriétés thermoelectriques uniques, des mesures d'oscillations quantiques ont été effectuées. Ces mesures aident à identifier différentes contributions électroniques au sein du matériau. En utilisant un champ magnétique, les chercheurs ont observé des oscillations dans la résistivité électrique et le coefficient Seebeck.

Fréquences Distinctes

Les résultats ont montré des fréquences d'oscillation distinctes pour chaque épaisseur de film, indiquant des contributions provenant de différents types de porteurs de charge dans le matériau. Les chercheurs ont confirmé que les films plus épais proviennent principalement du matériau massif, tandis que des contributions significatives dans les films plus fins provenaient des états de surface.

Analyse Détaillée

Les chercheurs se sont ensuite concentrés sur des mesures de transport plus détaillées, en mettant l'accent sur les films les plus fins, où les contributions des états de surface étaient notables. Ils ont utilisé des modèles pour quantifier les réponses des différents types de porteurs, associant une grande mobilité aux états massifs de type n et une mobilité plus faible aux états de surface de type p.

Mesures de Magnétorésistance et Hall

Les mesures de magnétorésistance et Hall ont fourni des informations sur la concentration et la mobilité des porteurs. Dans les plus fins échantillons, la contribution des états de surface est devenue significative, s'alignant avec les oscillations quantiques observées.

Coefficients Thermoelectriques

Une analyse plus poussée des coefficients Seebeck et Nernst a révélé des comportements importants qui différaient des tendances attendues des matériaux massifs. En particulier, les films plus fins ont montré un coefficient de Nernst beaucoup plus élevé, indiquant une réponse anomale renforcée probablement liée aux états de surface topologiques.

Conclusion

La recherche dresse un tableau complexe du transport thermoelectrique dans les films minces de Cd3As2. Elle met en avant comment des épaisseurs différentes peuvent entraîner des contributions variées des états massifs et de surface, révélant des voies prometteuses pour de futures applications dans les matériaux thermoelectriques.

Directions Futures

Cette étude souligne le potentiel d'explorer d'autres matériaux avec des propriétés topologiques et comment les effets de confinement peuvent conduire à une performance thermoelectrique améliorée. Alors que les chercheurs continuent d'explorer ces avenues passionnantes, ils espèrent débloquer de nouvelles méthodes pour les technologies de conversion d'énergie qui peuvent utiliser ces matériaux avancés.

Implications et Applications

Étant donné les propriétés uniques des semi-métaux topologiques et leur potentiel pour une haute performance thermoelectrique, il y a de nombreuses implications pour diverses applications :

  1. Récupération d'Énergie : Conversion efficace de la chaleur perdue en électricité utilisable peut améliorer les systèmes d'énergie renouvelable.

  2. Technologies de Refroidissement : Des mécanismes de refroidissement améliorés utilisant des matériaux thermoelectriques peuvent remplacer les méthodes de réfrigération traditionnelles par des solutions plus écologiques.

  3. Électronique : À mesure que les dispositifs deviennent plus petits et plus efficaces, des matériaux qui tirent parti de ces propriétés peuvent mener à des percées en électronique, améliorant la performance sans augmenter les besoins en énergie.

  4. Informatique Quantique : Les états électroniques uniques présents dans ces matériaux pourraient trouver des applications dans l'informatique quantique, où la manipulation des états quantiques est essentielle pour des calculs avancés.

Résumé

Cette recherche illustre le potentiel novateur des semi-métaux de Dirac topologiques dans les applications énergétiques. Alors que les études continuent d'éclairer leurs propriétés, l'objectif reste de tirer parti de ces matériaux pour créer des systèmes plus efficaces pour la transformation d'énergie, contribuant ainsi aux avancées en technologie et en durabilité.

Source originale

Titre: Extraordinary Thermoelectric Properties of Topological Surface States in Quantum-Confined Cd3As2 Thin Films

Résumé: Topological insulators and semimetals have been shown to possess intriguing thermoelectric properties promising for energy harvesting and cooling applications. However, thermoelectric transport associated with the Fermi arc topological surface states on topological Dirac semimetals remains less explored. In this work, we systematically examine thermoelectric transport in a series of topological Dirac semimetal Cd3As2 thin films grown by molecular beam epitaxy. Surprisingly, we find significantly enhanced Seebeck effect and anomalous Nernst effect at cryogenic temperatures when the Cd3As2 layer is thin. Combining angle-dependent quantum oscillation analysis, magnetothermoelectric measurement, transport modelling and first-principles simulation, we isolate the contributions from bulk and surface conducting channels and attribute the unusual thermoeletric properties to the topological surface states. Our analysis showcases the rich thermoelectric transport physics in quantum-confined topological Dirac semimetal thin films and suggests new routes to achieving high thermoelectric performance at cryogenic temperatures.

Auteurs: Wenkai Ouyang, Alexander C. Lygo, Yubi Chen, Huiyuan Zheng, Dung Vu, Brandi L. Wooten, Xichen Liang, Wang Yao, Joseph P. Heremans, Susanne Stemmer, Bolin Liao

Dernière mise à jour: 2023-08-31 00:00:00

Langue: English

Source URL: https://arxiv.org/abs/2308.16487

Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2308.16487

Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Changements: Ce résumé a été créé avec l'aide de l'IA et peut contenir des inexactitudes. Pour obtenir des informations précises, veuillez vous référer aux documents sources originaux dont les liens figurent ici.

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