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Mise à niveau du détecteur CMS pour la physique du futur

Le détecteur CMS est prêt à améliorer la collecte de données avec un nouveau système de calorimètre.

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Le détecteur Compact Muon Solenoid (CMS) au Grand collisionneur de hadrons (LHC) est en train d'être modernisé pour améliorer ses capacités. Un des composants clés qui est remplacé, c'est le calorimètre d'extrémité, qui va maintenant être remplacé par un calorimètre à haute granularité. Ce nouveau système a pour but de fournir des infos détaillées sur la position, l'énergie et le timing des gerbes de particules dans un environnement à haute luminosité qui est prévu pour le futur.

Le Calorimètre Haute Granularité

Le nouveau calorimètre à haute granularité va utiliser des capteurs à pads en silicium qui viennent en épaisseurs de 120, 200 et 300 microns. Ces capteurs doivent être capables de résister à de hauts niveaux de Radiation, spécifiquement des doses équivalentes à des neutrons de 1 MeV et jusqu'à 1,5 méga gray. Les expériences de Physique des Hautes Énergies (HEP), y compris celles au LHC, ont montré que la radiation peut endommager les détecteurs en silicium, affectant leurs performances.

Effets de la Radiation sur les Capteurs en silicium

Dans les capteurs en silicium, l'exposition à la radiation entraîne l'accumulation d'une couche chargée positivement à la surface, ainsi que des charges piégées qui peuvent perturber le fonctionnement du capteur. Cette accumulation de charge peut interférer avec la capacité du capteur à détecter les particules de manière précise, ce qui peut compromettre les données collectées durant les expériences.

Caractérisation Capacité-Tension

Pour mieux comprendre comment la radiation impacte ces capteurs, les chercheurs effectuent des mesures de capacité-tension sur différents types de dispositifs en silicium. En se concentrant spécifiquement sur les condensateurs à oxyde métallique-semiconducteur (MOS) pré-irradies et irradiés, les mesures peuvent révéler comment la radiation a modifié leur comportement. Les caractéristiques capacité-tension changent en fonction de la densité des charges fixes et piégées dans la couche d'oxyde.

Importance de l'Isolation Inter-Électrodes

Un aspect de la performance des capteurs est l'isolation inter-électrodes. Ce terme fait référence à la capacité des capteurs à maintenir une bonne séparation entre différents électrodes pour éviter les interférences, ce qui est essentiel pour des lectures précises. À mesure que les charges induites par la radiation s'accumulent, cette isolation peut se dégrader, entraînant des problèmes potentiels lors de la collecte des données.

Optimisation des Paramètres de Traitement

En étudiant comment ces charges induites par la radiation se comportent dans les capteurs en silicium, les chercheurs peuvent ajuster les paramètres de traitement qui influencent la performance de ces dispositifs. C'est particulièrement important dans le contexte d'environnements à haute luminosité où les niveaux de radiation sont beaucoup plus élevés. Comprendre comment gérer ces charges peut améliorer l'efficacité et la précision globales du système de capteurs.

Passage au Calorimètre Haute Granularité

Le nouveau design de calorimètre à haute granularité va tirer parti de capteurs en silicium qui peuvent mieux gérer de hauts niveaux de radiation que les dispositifs en silicium sur isolant traditionnels. Ces améliorations incluent un changement de l'utilisation de trous à la collecte d'électrons, ce qui améliore la performance. Des champs électriques qui se chevauchent dans ces designs améliorent également l'efficacité de collecte de charges aux électrodes.

Défis avec les Charges Négatives

Malgré les avancées, certains capteurs en silicium rencontrent des défis liés à l'accumulation de charges d'interface positives. Cette accumulation peut créer des chemins de conduction qui compromettent la résolution et la qualité du signal. Comme stratégie d'atténuation, les ingénieurs mettent souvent en œuvre des implants d'isolation entre les électrodes pour réduire cet effet.

Le Processus de Test

Pour cette étude, les chercheurs ont utilisé diverses structures de test basées sur des plaquettes de 6 et 8 pouces pour évaluer la performance. Les tests impliquaient une procédure pour s'assurer que les dispositifs restent stables et fiables dans des conditions imitant de hauts environnements de radiation. Les mesures incluaient l'observation de la manière dont les changements de structure affectaient la performance du capteur.

Effets des Dommages de Déplacement

Les dommages de déplacement causés par l'exposition à la radiation sont critiques pour déterminer la performance des détecteurs en silicium. Ces dommages peuvent entraîner des défauts dans le réseau de silicium, impactant davantage le transport de charge et ralentissant les temps de réponse. En comprenant ces effets, les chercheurs peuvent adapter les conceptions de capteurs pour minimiser les dommages.

Résultats des Études de Caractérisation

Les études de caractérisation révèlent que des pièges profonds introduits par la radiation peuvent impacter significativement la fonctionnalité des capteurs. Ces pièges peuvent capturer des porteurs et influencer le bon fonctionnement des capteurs dans diverses conditions. La densité de ces pièges est un facteur important à contrôler pour maintenir la performance.

Compréhension de la Dynamique des Charges

L'étude couvre également les aspects dynamiques des charges piégées, notamment comment elles peuvent changer avec les tensions appliquées. L'interaction entre les charges piégées et mobiles peut entraîner des variations dans les réponses des capteurs. Comprendre ces interactions va aider à concevoir des capteurs qui peuvent mieux gérer des conditions de haute radiation.

Remarques Finales sur les Améliorations de Design

En conclusion, les avancées dans la conception des capteurs, notamment celles qui permettent d'améliorer l'isolation inter-électrodes, joueront un rôle crucial dans le succès des futures expériences de HEP. Alors que les environnements à haute luminosité présentent des défis croissants, la recherche et le développement en cours seront essentiels pour garantir que les capteurs peuvent résister et fonctionner efficacement dans ces conditions exigeantes. L'engagement à améliorer les performances des détecteurs en silicium marque une étape importante dans le domaine de la recherche en physique des particules.

Résumé

La mise à niveau du détecteur CMS, à travers le déploiement de calorimètres à haute granularité et d'améliorations des capteurs en silicium, vise à fournir de meilleures capacités de collecte de données dans un environnement à haute radiation. La recherche continue s'attaquera aux défis posés par les dommages causés par la radiation tout en améliorant la performance globale des détecteurs. En affinant les conceptions de capteurs et en améliorant l'isolation inter-électrodes, la prochaine génération de détecteurs de particules sera bien équipée pour répondre aux exigences des expériences modernes en physique.

Source originale

Titre: A method to observe field-region oxide charge and inter-electrode isolation from $CV$-characteristics of $n$-on-$p$ devices

Résumé: $N$-on-$p$ silicon sensors will be utilized in the Compact Muon Solenoid (CMS) detector's tracker and High Granularity Calorimeter (HGCAL) in the High Luminosity upgrade of the Large Hadron Collider (HL-LHC). Among their several advantages in terms of radiation hardness over the traditional $p$-on-$n$ sensors in the extreme radiation environment of the HL-LHC are electron collection instead of holes and overlapping maxima of weighting and electric fields at the charge-collecting electrodes. The disadvantage of the multi-channel SiO$_2$-passivated $n$-on-$p$ sensors is the generation of an inversion layer under the Si/SiO$_2$-interface by a positive interface-oxide-charge ($N_\textrm{ox}$) that at high densities can compromise the position resolution by creating a conduction channel between the electrodes. This issue is typically addressed by including additional isolation implants ($p$-stop, $p$-spray) between $n^+$-electrodes. Focusing on the guard-ring regions of $n$-on-$p$ sensors where no isolation implants are applied between the electrodes, a capacitance-voltage ($CV$) characterization study of both 6-inch wafer test diodes and 8-inch HGCAL prototype and pre-series sensors showed a distinct threshold voltage ($V_\textrm{th,iso}$) in the $CV$-characteristics of a biased $n^+$-electrode when its enclosing guard-ring was left floating. When reproduced by simulations, the measured $V_\textrm{th,iso}$ was found to contain information on the field-region $N_\textrm{ox}$ and indicate the threshold where the two electrodes become electrically isolated by the influence of the reverse bias voltage. Together with previous studies on the inter-electrode isolation of irradiated $n$-on-$p$ sensors, the results indicate that position sensitive $n$-on-$p$ sensors without isolation implants may be feasible in future HEP experiments.

Auteurs: T. Abdilov, N. Akchurin, C. Carty, Y. Kazhykarim, V. Kuryatkov, T. Peltola, A. Wade

Dernière mise à jour: 2024-08-21 00:00:00

Langue: English

Source URL: https://arxiv.org/abs/2402.04365

Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2402.04365

Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Changements: Ce résumé a été créé avec l'aide de l'IA et peut contenir des inexactitudes. Pour obtenir des informations précises, veuillez vous référer aux documents sources originaux dont les liens figurent ici.

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